シリコンCMOSフォトニクスに関する研究

• 研究課題/領域番号: 17GS0205
• 研究種目: 学術創成研究費
• 配分区分: 補助金
• 研究機関: 東京大学
• 研究代表者: 和田 一実 東京大学, 大学院・工学系研究科, 教授 (30376511)
• 研究期間 (年度): 2005 – 2009
• 研究課題ステータス: 完了 (2009年度)
• 配分額: 425,360千円 (直接経費: 327,200千円、間接経費: 98,160千円); 2009年度: 56,940千円 (直接経費: 43,800千円、間接経費: 13,140千円); 2008年度: 40,040千円 (直接経費: 30,800千円、間接経費: 9,240千円); 2007年度: 97,240千円 (直接経費: 74,800千円、間接経費: 22,440千円); 2006年度: 116,090千円 (直接経費: 89,300千円、間接経費: 26,790千円); 2005年度: 115,050千円 (直接経費: 88,500千円、間接経費: 26,550千円)
• キーワード: フォトニクス / シリコン / CMOS / 新原理素子 / ナノ集積 / シリコンフォトニクス / Ge / エピ成長装置 / シミュレータ / 微小リング共振器 / 品質因子 / フランツケルディシュ効果

研究概要

本研究では、光素子材料のCMOS互換化路線を走る現在のシリコンフォトニクスとは質的に異なる、光素子の体系を徹底的にスリム化した新世代シリコンフォトニクスの構築を目指した。その結果、具体的な機能統合化素子を概念設計しそのプロトタイプ化に成功し、さらにその基本構造を光計算に適用し現在のコンピュータ性能を遙かに凌ぐ2ビット加算を実証し、所期の目的を達成た。

研究成果

• [雑誌論文] Monolithic Integration and Synchronous Operation of Germanium Photodetectors and Silicon Variable Optical Attenuators (2010)
  • 著者名/発表者名: S. B. Park, Tai Tsuchizawa, Toshifumi Watanabe, Hiroyuki Shinojima, Hidetaka Nishi, Koji Yamada, Yasuhiko Ishikawa, K. Wada, Seiichi Itabashil
  • 雑誌名: OPTICS EXPRESS 8412 ページ: 18-8
• [雑誌論文] Monolithic integration and synchronous operation of germanium photodetectors silicon variable optical attenuators (2010)
  • 著者名/発表者名: Kazumi Wada, Sungbong Park, taisuchizawa, Toshifumi Watanabe, Hiroyuki Shinojima, Hidetaka Nishi
  • 雑誌名: OPTICS EXPRESS 8412 Vol.18
  • 査読あり
• [雑誌論文] Si Photonics and Fiber to the Home (2009)
  • 著者名/発表者名: K. Wada, S. B. Park, Yasuhiko Ishikawa
  • 雑誌名: IEEE ページ: 97-7
• [雑誌論文] Enhanced direct bandgap emission in germanium by micromechanical strain engineering (2009)
  • 著者名/発表者名: Peng Huei Lim, S. B. Park, Yasuhiko Ishikawa, K. Wada
  • 雑誌名: OPTICS EXPRESS 16358 ページ: 17-8
• [雑誌論文] Si Photonics and Fiber to the Home (2009)
  • 著者名/発表者名: Kazumi Wada, S.Park, Y.Ishikawa
  • 雑誌名: Proceedings of the IEEE Vol.97 ページ: 1329-1336
  • 査読あり
• [雑誌論文] Strain and Absorption Coefficient of Finite Ge Structures on Si (2009)
  • 著者名/発表者名: Kazumi Wada, Sungbong Park, Yasuhiko Ishikawa, Yoshiyuki Tsusaka, Junji Matsui
  • 雑誌名: Japanese Journal of Applied Physics 48
  • NAID: 40016627190
  • 査読あり
• [雑誌論文] Reverse current reduction of Ge photodiodes on Si without post-growth aneealing (2009)
  • 著者名/発表者名: Kazumi Wada, Sugbong Park, Shinya Takita, Yasuhiko Ishikawa, Jiro Osaka
  • 雑誌名: Chinese Optics Letters Vol.7
  • 査読あり
• [雑誌論文] Enchanced direct bandgap emission in germaniumby micromechanical strain engineering (2009)
  • 著者名/発表者名: Kazumi Wada, Peng Huei Lim, Sungbong Park, Yasuhiko Ishikawa
  • 雑誌名: Optical Society of America OCIS ntegrated opticsdevices.Optoel ectronics
  • 査読あり
• [雑誌論文] Enhanced photoluminescence from germanium-based ring resonators (2008)
  • 著者名/発表者名: Peng Huei Lim, Y. Kobayashi, S Takita, Y Ishikwa, K. Wada
  • 雑誌名: Appl.Phys.Lett. 93 ページ: 0411031-3
• [雑誌論文] A New Approach of Electronics and Photonics Convergence on Si CMOS Platform : How to Reduce Device Diversity of Photonics for Integration (2008)
  • 著者名/発表者名: K. Wada
  • 雑誌名: Hindawi Publishing Corporation Advances in Optical Technologies Volume 2008 Article ID 807457 Volume
• [雑誌論文] Enhanced photoluminescence from germanium-based ring resonators (2008)
  • 著者名/発表者名: Peng Huei Lim, Y. Kobayashi, S Takita, Y Ishikwa, K. Wada
  • 雑誌名: Appl. Phys. Lett. 93 ページ: 411031-3
  • 査読あり
• [雑誌論文] Effect of Post-Growth Annealing on Morphology of Ge Mesa Selectively Grown on Si (2008)
  • 著者名/発表者名: K. Wada, Y. Ishikawa, Sungbong Park, T. tsuichizawa, T. Watanabe, K. Yamada, S. Itabashi
  • 雑誌名: IEICE Transactions on Electronics E91-C
  • NAID: 10026816686
  • 査読あり
• [雑誌論文] A New Approach of Electronics and Photonics Convergence on Si CMOS Platform: How to Reduce Device Diversity of Photonics for Integration (2008)
  • 著者名/発表者名: Kazumi Wada
  • 雑誌名: Hindawi Publishing Corporation Advances in Optical Technologies Vol. 2008 Article ID807457
  • 査読あり
• [雑誌論文] シリコンフォトニクス (2008)
  • 著者名/発表者名: 和田一実
  • 雑誌名: 電子情報通信学会 91、NO. 3 ページ: 194-200
  • NAID: 110006623870
  • 査読あり
• [雑誌論文] シリコンフォトニクスの基礎と応用 (2008)
  • 著者名/発表者名: 和田一実
  • 雑誌名: 光学 37 ページ: 2-6
  • NAID: 10020124146
  • 査読あり
• [雑誌論文] ライオネルC. キマリング,「高度情報化社会とSiフォトニクスの将来展望」 (2007)
  • 著者名/発表者名: 和田一実
  • 雑誌名: 応用物理 76 ページ: 141-141
• [雑誌論文] Design of monolithically integrated GeSi electro-absorption modulators and photodetectors on an SOI platform (2007)
  • 著者名/発表者名: J. -F. Liu, D. Pan, S. Jongthammanurak, K. Wada, L. C. Kimerling, I. Michel
  • 雑誌名: Optics Express 15 ページ: 623-628
  • 査読あり
• [雑誌論文] 高度情報化社会とSiフォトニクスの将来展望 (2007)
  • 著者名/発表者名: 和田一実, ライオネルC. キマリング
  • 雑誌名: 応用物理 76 ページ: 141-147
  • 査読あり
• [雑誌論文] Germanium-rich Silicon-germanium films epitaxially grown by ultrahigh vacuum chemical-vapor deposition directly on silicon substrates (2007)
  • 著者名/発表者名: D. D. Cannon, J. -F. Liu, D. T. Danielson, S. Jongthammanurak, U. U. Enuha, K. Wada, I. Michel. L. C.
  • 雑誌名: Appl. Physi. Lett., v91 91 ページ: 252111-3
  • 査読あり
• [雑誌論文] シリコンフォトニクスの光インターコネクションへの応用 (2007)
  • 著者名/発表者名: 和田一実
  • 雑誌名: レーザー研究 35 No. 9 ページ: 586-590
  • NAID: 10019843897
  • 査読あり
• [雑誌論文] シリコンフォトニクスの光インターコネクションへの応用 (2007)
  • 著者名/発表者名: 和田一実
  • 雑誌名: レーザー研究 (印刷中)
  • NAID: 10019843897
• [雑誌論文] 高度情報化社会とSiフォトニクスの将来展望 (2007)
  • 著者名/発表者名: 和田 一実、ライオネルC.キマリング
  • 雑誌名: 応用物理 78 ページ: 141-141
• [雑誌論文] Design of monolithically integrated GeSi electro-absorption modulators and photodetectors on an SOI platform (2007)
  • 著者名/発表者名: J.-F. Liu, D. Pan, S., K. Wada, 他
  • 雑誌名: Optics Express 15 ページ: 623-628
• [雑誌論文] Large electro-optic effect in tensile strained Ge-on-Si films (2006)
  • 著者名/発表者名: S. Jongthammanurak, J.-F. Liu, K. Wada, D. D. Cannon, D. T. Danielson, D. Pan, J. Michel, L. C. Kimerling
  • 雑誌名: Appl.Phys.Lett. 89
• [雑誌論文] Large electro-optic effect in tensile strained Ge-on-Si films (2006)
  • 著者名/発表者名: S. Jongthammanurak, J.-F. Liu, K. Wada, 他
  • 雑誌名: Applied Physics Letters 89
• [雑誌論文] Design of all-optical switches based on carrier injection in Si/SiO2 split-ridge waveguides (SRWs) (2006)
  • 著者名/発表者名: F. Gan, F.J. Grawert, , K. Wada, 他
  • 雑誌名: Journal of Lightwave Technology 24 ページ: 3454-63
• [雑誌論文] Si Microphotonics for Optical Interconnection (2006)
  • 著者名/発表者名: K. Wada, D.H. Ahn, 他
  • 雑誌名: Thin Solid Film 508 ページ: 418-21
• [雑誌論文] Si Microphotonics for optical interconnection
  • 著者名/発表者名: K.Wada, D.H.Ahn, D.R.Lim, J.Michel, L.C.Kimerling
  • 雑誌名: Thin Film Solids 未定
• [学会発表] Si Photonics-Past, Present, and Future (2009)
  • 著者名/発表者名: 和田一実
  • 学会等名: The 1st Symposium on Silicon Nanoelectronic, Photonic, and Spintronic devices
  • 発表場所: 東京都市大学
  • 年月日: 2009-10-13
• [学会発表] The Challenge of Silicon Photonics for On-chip Integration (2009)
  • 著者名/発表者名: 和田一実
  • 学会等名: ECOC 2009
  • 発表場所: Wiena, Austria
  • 年月日: 2009-09-21
• [学会発表] Photovoltaics and Si Photonics (2009)
  • 著者名/発表者名: Halle, Germany
  • 学会等名: The 2nd NSC-JST Nano Device Workshop
  • 発表場所: Hsinchu, Taiwan
  • 年月日: 2009-07-24
• [学会発表] New Approach for High Efficiency Thin Film Si Solarcells (2009)
  • 著者名/発表者名: 和田一実
  • 学会等名: 第14回変調半導体構造国際会議
  • 発表場所: 神戸
  • 年月日: 2009-07-21
• [学会発表] Silicon Photonics Challenges and Future (2009)
  • 著者名/発表者名: 和田一実
  • 学会等名: Nanophotonics open seminar at University of Tokyo
  • 発表場所: 東京
  • 年月日: 2009-06-18
• [学会発表] Si Photonics (2009)
  • 著者名/発表者名: 和田一実
  • 学会等名: Colloquium in honor of Professor Dr.rer.Nat.Ulrich Goesele
  • 発表場所: Halle, Germany
  • 年月日: 2009-05-15
• [学会発表] Characteristics of Ge and SiGe pin Photodiodes Without Post-growth Annealing (2008)
  • 著者名/発表者名: K. Wada, S. Takita, S. Park, R. Ichikawa, Y. Ishikawa
  • 学会等名: The Electro Chemical Society
  • 発表場所: ハワイ、ホノルル
  • 年月日: 2008-10-15
• [学会発表] Strain and absorption coefficient of finite Ge structures on Si (2008)
  • 著者名/発表者名: Sungbong Park, Yasuhiko Ishikawa, Kazumi Wada
  • 学会等名: 2008 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2008)
  • 発表場所: 筑波
  • 年月日: 2008-09-24
• [学会発表] Characteristics of Geand SiGe pin Photodiodes Without PostBgrowth Annealing (2008)
  • 著者名/発表者名: K. Wada, S. Takita, S. B. Park, R. Ichikawa, Y. Ishikawa
  • 学会等名: The Electro Chemical Society
• [学会発表] Low dark current Ge photodiodes on Si with intrinsic Si-layer insertion (2008)
  • 著者名/発表者名: Honolulu, Hawaii S. B. Park, Shinya Takita, Yasuhiko Ishikawa, Jiro Osaka, K. Wada
  • 学会等名: 2008 5^<th> International Conference on Group IV Photonics (GFP2008)
  • 発表場所: Sorrento, Italy
• [学会発表] Enhanced Photoluminescence from Germanium Based Ring Resonators (2008)
  • 著者名/発表者名: Peng Huei lim, Yosuke Kobayashi, Shinya Takita, Yasuhiko Ishikawa, Kazumi. Wada
  • 学会等名: 2008 5^<th> International Conference on Group IV Photonics (GFP2008)
  • 発表場所: Sorrento,Italy
• [学会発表] Low dark-current Ge photodiodes on Si with intrinsic-Si-layer insertion (2008)
  • 著者名/発表者名: Sungbong Park, Shinya Takita, Yasuhiko Ishikawa, Jiro Osaka, Kazumi Wada
  • 学会等名: 2008 5th International Conference on Group IV Photonics (GFP2008)
  • 発表場所: Sorrento, Italy
• [学会発表] Enhanced Photoluminescence from Germanium-Based Ring Resonators (2008)
  • 著者名/発表者名: Peng Huei Lim, Yosuke Kobayashi, Shinya Takita, Yasuhiko Ishikawa, Kazumi Wada
  • 学会等名: 2008 5th International Conference on Group IV Photonics (GFP2008)
  • 発表場所: Sorrento, Italy
• [学会発表] Fabrication and Responsivity Spectra of p-Ge/i-Si/n-Si Near-Infrared Photodiodes (2008)
  • 著者名/発表者名: Yasuhiko Ishikawa, Sungbong Park, Jiro Osaka, Kazumi Wada
  • 学会等名: 2008 5th International Conference on Group IV Photonics (GFP2008)
  • 発表場所: Sorrento, Italy
• [学会発表] Absorption Blue Shift in Thin-Film Ge-on-Si Photodiodes Induced by Post-Growth Annealing (2008)
  • 著者名/発表者名: Yasuhiko Ishikawa, Sungbong Park, Jiro Osaka, Kazumi Wada
  • 学会等名: The 5th International Symposium on Advanced Science and Technology of Silicon Materials
  • 発表場所: Kona, Hawaii, USA
• [学会発表] As-grown Geを用いたpin diodeの逆方向電流の低減 (2008)
  • 著者名/発表者名: 朴成鳳、滝田真也、市川竜三、石川靖彦、大坂次郎、和田一実
  • 学会等名: 第69回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 愛知、春日井
• [学会発表] Spectral Responsivity of Vertical p-i-n Photodiode of Selectively Grown Ge on Silicon-on-Insulator (SOI) Platform" (2007)
  • 著者名/発表者名: Sungbong Park, Yasuhiko Ishikawa, K. Wada
  • 学会等名: 2007 4th International Conference on Group IV Photonics (GFP2007)
  • 発表場所: 東京
  • 年月日: 2007-09-10
• [学会発表] Selective epitaxial growth of Germanium on Silicon via ultra-high vacuum chemical vapor depos (2007)
  • 著者名/発表者名: Sungbong Park, Y. Ishikawa, T. Tsuchizawa, T. Watanabe, K. Yamada, S. Itabashi, K. Wada
  • 学会等名: International Conference on Si
  • 発表場所: マルセイユ、フランス
  • 年月日: 2007-05-01
• [学会発表] Responsivity of Vertical p-i-n Photodiode of Selectively lGrown Ge on Silicon-on-Insulator (SOI) Platform (2007)
  • 著者名/発表者名: S. B. Park, Yasuhiko, Ishikawa, K. Wada
  • 学会等名: 4^<th> International Conference on Group IV Photonics (GFP2007)
• [学会発表] 「選択成長を用いたSi光導波路上Geフォトディテクタ」「シリオンフォトニクス技術への期待」 (2007)
  • 著者名/発表者名: 朴成鳳, 石川靖彦, 和田一実
  • 学会等名: 第68回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 札幌
• [学会発表] Si photonics: past, present, and future (2007)
  • 著者名/発表者名: K. Wada
  • 学会等名: 2007 7th Asia-Pacific Optical Communications Conference (APOC 2007)
  • 発表場所: Wuhan, China
• [学会発表] Fabrication and Responsivity Spectra of p-Ge/i-Si/n-Si Near Infrared Photodiodes
  • 著者名/発表者名: Yasuhiko Ishikawa, Sugbong Park, Jiro Osaka
  • 学会等名: 2008 5^<th> International Conference on Group IV photonics (GFP2008)
• [学会発表] The Challenge of Silicon Photonics for On-chip Integration
  • 著者名/発表者名: K. Wada
  • 学会等名: ECOC2009
• [図書] ナノシリコンの最新技術と応用展開 (2010)
  • 著者名/発表者名: 越田信義
  • 総ページ数: 250
  • 出版者: (株)シーエムシー出版
• [図書] Silicon Photonics (2007)
  • 著者名/発表者名: K.Wada, L.C.Kimerling
  • 総ページ数: 20
  • 出版者: Springer-Verlag,
• [図書] Optical Interconnects, The Silicon Approach, eds L. Pavesi, G. Guillot (Springer, Berlin, Heidelberg, New Yok) (2006)
  • 著者名/発表者名: K. Wada, J. F. Liu, S. Jongthammanurak, D. D. Cannon, D.T. Danielson, D. H. Ahn, S. Akiyama, M. Popovic, D. R Lim, K. K. Lee, H. -C Luan, Y. Ishikawa, J. Michel, H. A. Haus, L. C. Kimerling
  • 出版者: Si Microphotonics for optical interconnection
• [図書] Si Microphotnics for optical interconnection (2006)
  • 著者名/発表者名: K. Wada, J. F. Liu, S. Jongthammanurak, 他
  • 出版者: Springer Berlin Heidelberg New York
• [備考]
  • URL: http://www.microphotonics.material.t.u-tokyo.ac.ip/LabHP/Microphotonics-U-Tokyo.html
• [備考]
  • URL: http://www.youtube.com/watch?v=I79Y7lx5rcQ&feature=channel_page
• [備考]
  • URL: http://www.microphotonics.material.t.u-tokyo.ac.jp/LabHP/Microphotonics-U-Tokyo.html
• [産業財産権] ゲルマニウム受光器およびその製造方法 (2010)
  • 発明者名: 和田一実, 石川靖彦, 板橋聖一, 土澤泰, 山田浩治, 渡辺俊文
  • 権利者名: 東京大学、NTT
  • 出願年月日: 2010-03-04
• [産業財産権] 光検出器の製造方法 (2010)
  • 発明者名: 和田一実, 石川靖彦, 山田浩治, 土澤泰, 渡辺俊文, パクソンボン, 板橋聖一
  • 権利者名: 東京大学、NTT
  • 出願年月日: 2010-03-04
• [産業財産権] 光導波路共振器の製造方法及び共振器回路の製造方法 (2010)
  • 発明者名: 和田一実, 滝田真也, 山添正裕
  • 権利者名: 東京大学
  • 出願年月日: 2010-02-08
• [産業財産権] ゲルマニウム受光器およびその製造方法 (2010)
  • 発明者名: 和田一実, 石川靖彦, 板橋聖一, 土澤泰, 山田浩治, 渡辺俊文
  • 権利者名: 東京大学/NTT
  • 出願年月日: 2010-03-04
• [産業財産権] 光検出器の製造方法 (2010)
  • 発明者名: 和田一実, 石川靖彦, 山田浩治, 土澤泰, 渡辺俊文, パクソンポン, 板橋聖一
  • 権利者名: 東京大学/NTT
  • 出願年月日: 2010-03-04
• [産業財産権] 光導波路共振器の製造方法及び共振器回路の製造方法 (2010)
  • 発明者名: 和田一実, 滝田真也, 山添正裕
  • 権利者名: 東京大学
  • 出願年月日: 2010-02-08
• [産業財産権] シリコン太陽電池 (2009)
  • 発明者名: 和田一実, 市川竜三
  • 権利者名: 東京大学
  • 産業財産権番号: 2008-024227
  • 出願年月日: 2009-02-03
• [産業財産権] Ge素子製作方法 (2009)
  • 発明者名: 和田一実, 大坂次郎, 石川靖彦, L. C. Kimerling
  • 権利者名: 東京大学, MIT
  • 出願年月日: 2009-09-22
• [産業財産権] 光半導体素子、光電変換素子及び光変調素子 (2009)
  • 発明者名: 和田一実, 石川靖彦, SungbongPark
  • 権利者名: 東京大学
  • 出願年月日: 2009-07-28
• [産業財産権] Ge素子制作方法 (2009)
  • 発明者名: 和田一実, 大坂次郎, 石川靖彦, L.C.Kimerling
  • 権利者名: 東京大学
  • 出願年月日: 2009-09-22
• [産業財産権] 光半導体素子、光電変換素子及び光変調素子 (2008)
  • 発明者名: 和田一実, 石川靖彦, Sungbong Park
  • 権利者名: 東京大学
  • 産業財産権番号: 2010-034226
  • 出願年月日: 2008-07-28
• [産業財産権] 半導体基板、半導体基板の製造方法および電子デバイス (2008)
  • 発明者名: 和田一実, 秦雅彦, 高田朋幸, 山中貞則, 山本武継
  • 権利者名: 東京大学、住友化学株式会社
  • 産業財産権番号: 2008-334830
  • 出願年月日: 2008
• [産業財産権] 半導体基板、半導体基板の製造方法および電子デバイス (2008)
  • 発明者名: 和田一実, 秦雅彦, 高田朋幸, 山中貞則, 山本武継
  • 権利者名: 東京大学、住友化学株式会社
  • 産業財産権番号: 2008-332613
  • 出願年月日: 2008
• [産業財産権] 半導体基板および半導体基板の製造方法 (2008)
  • 発明者名: 和田一実, 秦雅彦, 高田朋幸, 山中貞則, 山本武継
  • 権利者名: 東京大学、住友化学株式会社
  • 産業財産権番号: 2008-334962
  • 出願年月日: 2008
• [産業財産権] 光半導体素子、光電変換素子及び光変調素子 (2008)
  • 発明者名: 和田一実, 石川靖彦, Sungbong Park
  • 権利者名: 東京大学
  • 産業財産権番号: 2008-193799
  • 出願年月日: 2008-07-28
• [産業財産権] 発光素子 (2007)
  • 発明者名: 和田一実, 林世云, 小林洋介, 林乗輝
  • 権利者名: 東京大学
  • 産業財産権番号: 2009-076498
  • 出願年月日: 2007-09-18
• [産業財産権] 導波路共振器型光バッファ (2007)
  • 発明者名: 和田一実, 林乗輝, デスモンドロドニーリム チョン ション
  • 権利者名: 東京大学
  • 産業財産権番号: 2009-063673
  • 出願年月日: 2007-09-04
• [産業財産権] 光増幅器 (2007)
  • 発明者名: 和田一実, 林世云
  • 権利者名: 東京大学
  • 産業財産権番号: 2008-520153
  • 出願年月日: 2007-04-11
• [産業財産権] 導波路共振器型光バッファ (2007)
  • 発明者名: 和田一実, 林乗輝, デズモンドロドニーリムチョンション
  • 権利者名: 東京大学
  • 産業財産権番号: 2007-229435
  • 出願年月日: 2007-09-04
• [産業財産権] 発光素子 (2007)
  • 発明者名: 和田一実, 林世云, 小林洋介, 林秉輝
  • 権利者名: 東京大学
  • 産業財産権番号: 2007-241408
  • 出願年月日: 2007-09-18
• [産業財産権] 光検出器 (2006)
  • 発明者名: 和田一実, 石川靖彦
  • 権利者名: 東京大学
  • 産業財産権番号: 2006-322861
  • 出願年月日: 2006-11-30
• [産業財産権] アレイ導光路回折格子 (2006)
  • 発明者名: 小林洋介, 和田一実
  • 権利者名: 和田一実
  • 出願年月日: 2006-02-09
• [産業財産権] 光半導体素子および光変調器 (2005)
  • 発明者名: 和田一実, 尾崎太亮
  • 権利者名: 東京大学
  • 公開番号: 2006-301379
  • 出願年月日: 2005-04-21
• [産業財産権] 光半導体素子および光変調器 (2005)
  • 発明者名: 尾崎太亮, 和田一実
  • 権利者名: 東京大学
  • 出願年月日: 2005-04-21