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高品位三原色光源実現に向けた青・緑色面発光レーザ

研究課題

研究課題/領域番号 17H01055
研究種目

基盤研究(A)

配分区分補助金
応募区分一般
研究分野 結晶工学
研究機関名城大学

研究代表者

竹内 哲也  名城大学, 理工学部, 教授 (10583817)

研究分担者 田中 崇之  名城大学, 理工学部, 准教授 (10367120)
宮嶋 孝夫  名城大学, 理工学部, 教授 (50734836)
井手 利英  国立研究開発法人産業技術総合研究所, エレクトロニクス・製造領域, 主任研究員 (90397092)
研究期間 (年度) 2017-04-01 – 2020-03-31
研究課題ステータス 完了 (2019年度)
配分額 *注記
44,200千円 (直接経費: 34,000千円、間接経費: 10,200千円)
2019年度: 7,540千円 (直接経費: 5,800千円、間接経費: 1,740千円)
2018年度: 10,790千円 (直接経費: 8,300千円、間接経費: 2,490千円)
2017年度: 25,870千円 (直接経費: 19,900千円、間接経費: 5,970千円)
キーワード面発光レーザー / 窒化物半導体 / 多層膜反射鏡 / トンネル接合 / 窒化ガリウム / 面発光レーザ / 電流狭窄 / 光閉じ込め / 半導体レーザ / エピタキシャル成長
研究成果の概要

高効率・高出力化に対して、光閉じ込め構造と長共振器構造により、従来3mW程度の光出力が、4.4mWまで増大した。また、導電性DBRにより、素子抵抗が2/3まで低減した。さらに、低抵抗GaNトンネル接合を実現させ、トンネル接合を有する面発光レーザーも実証した。長波長化に関しては、その場ウエハ曲率測定により、エピ成長が進行することでInNモル分率が意図せず増加する現象を見出し、エピ条件で補償することで、より均一なDBRを作製した。活性層の長波長化はGaN基板上の成長条件最適化が必要なことが明らかになった。最後に、変調特性としてGHzレベルの応答を示す初期的結果が得られた。

研究成果の学術的意義や社会的意義

レーザーの高性能とLEDの高生産性を兼ね備える面発光レーザーでは、GaAs系赤外・赤色面発光レーザーが実現し、顔認証などの光源として実用化されている。GaN系青・緑色面発光レーザーが実現すれば、三原色が揃い、メガネ型ディスプレイ、アダプティブヘッドライトなどの次世代光源として、安心・安全社会実現に大きく貢献する。
本研究では、GaN系反射鏡、光閉じ込め、電流狭窄などの必須構造を、生産性の観点も考慮した手法で検討した。その結果、波長410nmにて光出力4.4mW、GHzレベルの高速変調の可能性などを実証した。上述したアプリケーションへの社会実装に必要な要素技術の確立と今後の方向性を明確にした。

報告書

(4件)
  • 2019 実績報告書   研究成果報告書 ( PDF )
  • 2018 実績報告書
  • 2017 実績報告書
  • 研究成果

    (89件)

すべて 2020 2019 2018 2017

すべて 雑誌論文 (13件) (うち査読あり 8件、 オープンアクセス 5件) 学会発表 (65件) (うち国際学会 39件、 招待講演 28件) 図書 (1件) 産業財産権 (10件) (うち外国 2件)

  • [雑誌論文] GaN-based vertical cavity surface emitting lasers with lateral optical confinements and conducting distributed Bragg reflectors2020

    • 著者名/発表者名
      Iida Ryosuke、Ueshima Yusuke、Muranaga Wataru、Iwayama Sho、Takeuchi Tetsuya、Kamiyama Satoshi、Iwaya Motoaki、Akasaki Isamu
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 59 号: SG ページ: SGGE08-SGGE08

    • DOI

      10.35848/1347-4065/ab6e05

    • 関連する報告書
      2019 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] In-situ curvature measurements of AlInN/GaN distributed Bragg reflectors during growths containing substrate temperature ramping steps2020

    • 著者名/発表者名
      Hiraiwa Kei、Muranaga Wataru、Iwayama Sho、Takeuchi Tetsuya、Kamiyama Satoshi、Iwaya Motoaki、Akasaki Isamu
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth

      巻: 531 ページ: 125357-125357

    • DOI

      10.1016/j.jcrysgro.2019.125357

    • 関連する報告書
      2019 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] In situ wafer curvature measurement and strain control of AlInN/GaN distributed Bragg reflectors2020

    • 著者名/発表者名
      Kei Hiraiwa, Wataru Muranaga, Sho Iwayama, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Motoaki Iwaya, and Isamu Akasaki
    • 雑誌名

      Applied Physics Express

      巻: 13 号: 5 ページ: 055506-055506

    • DOI

      10.35848/1882-0786/ab88c6

    • 関連する報告書
      2019 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] GaN-based vertical-cavity surface-emitting lasers using n-type conductive AlInN/GaN bottom distributed Bragg reflectors with graded interfaces2019

    • 著者名/発表者名
      Wataru Muranaga, Takanobu Akagi, Ryouta Fuwa, Shotaro Yoshida, Junichiro Ogimoto, Yasuto Akatsuka, Sho Iwayama, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Motoaki Iwaya and Isamu Akasaki
    • 雑誌名

      Jaoanese Journal of Applied Physics

      巻: 58 号: SC ページ: SCCC01-SCCC01

    • DOI

      10.7567/1347-4065/ab1253

    • NAID

      210000155770

    • 関連する報告書
      2019 実績報告書
    • 査読あり / オープンアクセス
  • [雑誌論文] AlInN/GaN多層膜反射鏡を有するGaN系面発光レーザーの偏波特性2019

    • 著者名/発表者名
      小田 薫、飯田涼介、岩山 章、清原一樹、竹内哲也、上山 智、岩谷素顕、赤崎 勇
    • 雑誌名

      信学技報

      巻: 119 ページ: 57-60

    • 関連する報告書
      2019 実績報告書
  • [雑誌論文] 青色LEDの将来展望:マイクロLEDディスプレイと青色レーザー2019

    • 著者名/発表者名
      竹内 哲也
    • 雑誌名

      化学と教育

      巻: 67 ページ: 368-371

    • NAID

      130007883568

    • 関連する報告書
      2019 実績報告書
  • [雑誌論文] GaN-based vertical-cavity surface-emitting lasers with AlInN/GaN distributed Bragg reflectors2019

    • 著者名/発表者名
      Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Motoaki Iwaya and Isamu Akasaki
    • 雑誌名

      Reports on Progress in Physics

      巻: 82 号: 1 ページ: 012502-012502

    • DOI

      10.1088/1361-6633/aad3e9

    • 関連する報告書
      2018 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Doping profiles in low resistive GaN tunnel junctions grown by metalorganic vapor phase epitaxy2019

    • 著者名/発表者名
      Yasuto Akatsuka, Sho Iwayama, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Motoaki Iwaya and Isamu Akasaki
    • 雑誌名

      Applied Physics Express

      巻: 12 号: 2 ページ: 025502-025502

    • DOI

      10.7567/1882-0786/aafca8

    • NAID

      210000135591

    • 関連する報告書
      2018 実績報告書
    • 査読あり / オープンアクセス
  • [雑誌論文] 高効率GaN面発光レーザの現状と展望2018

    • 著者名/発表者名
      竹内 哲也 上山 智 岩谷 素顕 赤﨑 勇
    • 雑誌名

      電子情報通信学会論文誌 C

      巻: J101-C ページ: 312-318

    • 関連する報告書
      2018 実績報告書
    • 査読あり / オープンアクセス
  • [雑誌論文] LED(発光ダイオード)からLD(半導体レーザー)へ : 未来の光源としての期待2018

    • 著者名/発表者名
      竹内 哲也
    • 雑誌名

      工業教育資料

      巻: 380 ページ: 7-11

    • NAID

      40021639635

    • 関連する報告書
      2018 実績報告書
    • オープンアクセス
  • [雑誌論文] GaInN 量子井戸を用いた黄緑色発光ダイオードの作製2018

    • 著者名/発表者名
      吉永純也、市川竜弥、竹内哲也、岩谷素顕、上山智、赤崎勇
    • 雑誌名

      名城大学総合研究所紀要

      巻: 23 ページ: 41-44

    • NAID

      40021636845

    • 関連する報告書
      2017 実績報告書
  • [雑誌論文] A GaN-Based VCSEL with a Convex Structure for Optical Guiding2018

    • 著者名/発表者名
      Natsumi Hayashi, Junichiro Ogimoto, Kenjo Matsui, Takashi Furuta, Takanobu Akagi, Sho Iwayama, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Motoaki Iwaya, Isamu Akasaki
    • 雑誌名

      Physica Status Solidi A

      巻: 1700648 号: 10 ページ: 1700648-1700648

    • DOI

      10.1002/pssa.201700648

    • 関連する報告書
      2017 実績報告書
    • 査読あり / オープンアクセス
  • [雑誌論文] n型導電性AlInN/GaN多層膜反射鏡を有するGaN系面発光レーザーの室温連続動作2017

    • 著者名/発表者名
      竹内哲也
    • 雑誌名

      光学

      巻: 46

    • 関連する報告書
      2017 実績報告書
  • [学会発表] ミスト供給法を用いたAlInN層の熱酸化2020

    • 著者名/発表者名
      松本 浩輝、岩山 章、小出 典克、小田原 麻人、竹内 哲也、上山 智、岩谷 素顕、丸山 隆浩、赤崎 勇
    • 学会等名
      第67回応用物理学会春季学術講演会
    • 関連する報告書
      2019 実績報告書
  • [学会発表] 世界を変えた青色LED、世界を変える青色レーザー2019

    • 著者名/発表者名
      竹内哲也
    • 学会等名
      軽金属学会東海支部 2019年度 第1回講演会
    • 関連する報告書
      2019 実績報告書
    • 招待講演
  • [学会発表] Developments of GaN-based VCSELs with AlInN/GaN DBRs2019

    • 著者名/発表者名
      T. Takeuchi, S. Kamiyama, M. Iwaya, and I. Akasaki
    • 学会等名
      Workshop on Nitride Semiconductor Lasers Program
    • 関連する報告書
      2019 実績報告書
    • 国際学会 / 招待講演
  • [学会発表] Epitaxy and Performance of VCSEL Structures2019

    • 著者名/発表者名
      T. Takeuchi, S. Kamiyama, M. Iwaya, and I. Akasaki
    • 学会等名
      13th International Conference on Nitride Semiconductors
    • 関連する報告書
      2019 実績報告書
    • 国際学会 / 招待講演
  • [学会発表] GaN-based VCSELs with AlInN/GaN distributed Bragg reflectors (DBRs)2019

    • 著者名/発表者名
      T. Takeuchi, S. Kamiyama, M. Iwaya, and I. Akasaki
    • 学会等名
      21th International Vacuum Congress
    • 関連する報告書
      2019 実績報告書
    • 国際学会 / 招待講演
  • [学会発表] 青色LEDおよびレーザーの開発とその応用2019

    • 著者名/発表者名
      竹内哲也
    • 学会等名
      2019年度 日本医用歯科機器学会 第29回研究発表大会
    • 関連する報告書
      2019 実績報告書
    • 招待講演
  • [学会発表] Epitaxy of GaN-based VCSELs2019

    • 著者名/発表者名
      T. Takeuchi, S. Kamiyama, M. Iwaya, and I. Akasaki
    • 学会等名
      ICCGE-19, OMVPE-19
    • 関連する報告書
      2019 実績報告書
    • 国際学会 / 招待講演
  • [学会発表] GaN系面発光レーザーの 進展と応用展開2019

    • 著者名/発表者名
      竹内哲也、上山 智、岩谷素顕、赤﨑 勇
    • 学会等名
      第80回応用物理学会秋季学術講演会
    • 関連する報告書
      2019 実績報告書
    • 招待講演
  • [学会発表] Statas and Prospects of GaN-based VCSELs2019

    • 著者名/発表者名
      T. Takeuchi, S. Kamiyama, M. Iwaya, and I. Akasaki
    • 学会等名
      ICAE 2019
    • 関連する報告書
      2019 実績報告書
    • 国際学会 / 招待講演
  • [学会発表] GaN系面発光レーザーの 現状と展望2019

    • 著者名/発表者名
      竹内哲也、上山 智、岩谷素顕、赤﨑 勇
    • 学会等名
      第5回窒化物半導体に関する最先端技術研究会
    • 関連する報告書
      2019 実績報告書
    • 招待講演
  • [学会発表] GaN系面発光レーザーの 進展と波長域拡大2019

    • 著者名/発表者名
      竹内哲也、上山 智、岩谷素顕、赤﨑 勇
    • 学会等名
      光エレクトロニクス第130委員会 第320回研究会
    • 関連する報告書
      2019 実績報告書
    • 招待講演
  • [学会発表] Statas and Prospects of GaN-based VCSELs2019

    • 著者名/発表者名
      T. Takeuchi, S. Kamiyama, M. Iwaya, and I. Akasaki
    • 学会等名
      Photonic Device Workshop 2019
    • 関連する報告書
      2019 実績報告書
    • 国際学会 / 招待講演
  • [学会発表] MOVPE-grown GaInN laser diodes with GaN tunnel junctions2019

    • 著者名/発表者名
      Ryosuke Iida, Kohei Miyoshi, Yuki Kato, Kei Arakawa, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Motoaki Iwaya, and Isamu Akasaki
    • 学会等名
      APWS2019
    • 関連する報告書
      2019 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] Room-temperature continuous-wave operations of GaN-based vertical-cavity surface-emitting lasers with GaInN tunnel junctions2019

    • 著者名/発表者名
      Kazuki Kiyohara, Ryota Fuwa, Mahito Odawara, Tetsuya Taeuchi, Satoshi Kamiyama, Motoaki Iwaya, Isamu Akasaki, Tatsuma Saito
    • 学会等名
      ICNS2019
    • 関連する報告書
      2019 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] AlInN/GaN多層膜反射鏡を有するGaN系面発光レーザーの偏波特性2019

    • 著者名/発表者名
      小田 薫、飯田 涼介、岩山 章、清原 一樹、竹内 哲也、上山 智、岩谷 素顕、赤﨑 勇
    • 学会等名
      電子情報通信学会
    • 関連する報告書
      2019 実績報告書
  • [学会発表] Polarization characteristics in GaN-based VCSELs2019

    • 著者名/発表者名
      Kaoru Oda, Ryosuke Iida, Wataru Muranaga, Sho Iwayama, Tetsuya Takeuchi, Satoshi kamiyama, Motoaki Iwaya, Isamu Akasaki
    • 学会等名
      LEDIA2019
    • 関連する報告書
      2019 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] In-situ curvature monitoring of AlInN/GaN DBRs2019

    • 著者名/発表者名
      Kei Hiraiwa, Wataru Muranaga, Sho Iwayama, Tetusya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Motoaki Iwaya, Isamu Akasaki
    • 学会等名
      LEDIA2019
    • 関連する報告書
      2019 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] Lateral current distribution in GaN-based VCSELs with conducting AlInN/GaN DBRs2019

    • 著者名/発表者名
      Ryosuke Iida, Wataru Muranaga, Syo Iwayama, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Motoaki Iwaya, Isamu Akasaki
    • 学会等名
      LEDIA2019
    • 関連する報告書
      2019 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] GaN-based VCSELs using conducting AlInN/GaN DBRs with graded interfaces2019

    • 著者名/発表者名
      Yusuke Ueshima, Wataru Muranaga, Ryosuke Iida, Sho Iwayama, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Motoaki Iwaya, Isamu Akasaki
    • 学会等名
      LEDIA2019
    • 関連する報告書
      2019 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] IN-SITU CURVATURE MONITORING OF ALINN/GAN DBRS2019

    • 著者名/発表者名
      Kei Hiraiwa, Wataru Muranaga, Sho Iwayama, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Motoaki Iwaya, and Isamu Akasaki
    • 学会等名
      ICCGE-19
    • 関連する報告書
      2019 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] Characteristics of GaN-based VCSELs with conducting AlInN/GaN DBRs2019

    • 著者名/発表者名
      R. Iida, W. Muranaga, Y. Ueshima, S. Iwayama, T. Takeuchi, S. Kamiyama, M. Iwaya, I. Akasaki
    • 学会等名
      SSDM2019
    • 関連する報告書
      2019 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] その場反り測定によるAlInN/GaN多層膜反射鏡の高精度組成制御2019

    • 著者名/発表者名
      平岩 恵、村永 亘、岩山 章、清原 一樹、竹内 哲也、上山 智、岩谷 素顕、赤﨑 勇
    • 学会等名
      第80回応用物理学会秋季学術講演会
    • 関連する報告書
      2019 実績報告書
  • [学会発表] 埋め込みSiO2光閉じ込め構造とn型導電性AlInN/GaN DBRを有するGaN系VCSEL2019

    • 著者名/発表者名
      飯田 涼介、村永 亘、上島 佑介、岩山 章、竹内 哲也、上山 智、岩谷 素顕、赤﨑 勇
    • 学会等名
      第80回応用物理学会秋季学術講演会
    • 関連する報告書
      2019 実績報告書
  • [学会発表] 面発光レーザの応用へ向けたArプラズマ照射による窒化物半導体トンネル接合電流狭窄構造2019

    • 著者名/発表者名
      小田原 麻人、不破 綾太、清原 一樹、岩山 章、竹内 哲也、岩谷 素顕、上山 智、赤崎 勇
    • 学会等名
      第80回応用物理学会秋季学術講演会
    • 関連する報告書
      2019 実績報告書
  • [学会発表] "高品質AlInN/GaN多層膜反射鏡のための その場観察反り測定"2019

    • 著者名/発表者名
      平岩 恵, 村永 亘 , 岩山 章 竹内 哲也, 上山 智, 岩谷 素顕, 赤﨑 勇
    • 学会等名
      第66回 応用物理学会春期学術講演会
    • 関連する報告書
      2018 実績報告書
  • [学会発表] AlInN/GaN DBRs for long-wavelength GaN-based VCSELs2019

    • 著者名/発表者名
      Kei Hiraiwa, Wataru Muranaga, Sho Iwayama, Tetsuya Takeuchi, Satoshi, Kamiyama, Motoaki Iwaya, Isamu Aasaki
    • 学会等名
      The 7th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications
    • 関連する報告書
      2018 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] "Polarization characteristic of GaN-based VCSELs with AlInN/GaN DBRs "2019

    • 著者名/発表者名
      Kaoru Oda, Ryosuke Iida, Wataru Muranaga, Sho Iwayama, Tetsuya Takeuchi, Motoaki Iwaya, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki
    • 学会等名
      The 7th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications
    • 関連する報告書
      2018 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] GaN based VCSELs using conducting AlInN/GaN DBRs with graded interfaces2019

    • 著者名/発表者名
      Yusuke Ueshima, Wataru Muranaga, Ryosuke Iida, Sho Iwayama, Tetsuya Takeuchi, Satoshi, Kamiyama, Motoaki Iwaya, Isamu Aasaki
    • 学会等名
      The 7th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications
    • 関連する報告書
      2018 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] Embedded SiO2 waveguide structure for GaInN VCSELs2019

    • 著者名/発表者名
      Ryosuke iida, Wataru Muranaga, Sho Iwayama, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Motoaki Iwaya, Isamu Akasaki
    • 学会等名
      11th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials 12th International Conference on Plasma-Nano Technology & Science
    • 関連する報告書
      2018 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] Lateral current distribution in GaN-based VCSELs with conducting AlInN/GaN DBRs2019

    • 著者名/発表者名
      Ryosuke iida, Wataru Muranaga, Sho Iwayama, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Motoaki Iwaya, Isamu Akasaki
    • 学会等名
      The 7th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications
    • 関連する報告書
      2018 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] Blue edge-emitting laser diodes with AlInN/AlGaN multiple cladding layers2019

    • 著者名/発表者名
      Kei Arakawa, Kohei Miyoshi, Tetsuya Takeuchi, Makoto Miyoshi, Satoshi Kamiyama, Motoaki Iwaya, Isamu Akasaki
    • 学会等名
      The International Workshop on Nitride Semiconductors 2018
    • 関連する報告書
      2018 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] Growth of GaInN yellow-green LEDs2018

    • 著者名/発表者名
      Junya Yoshinaga, Tatsuya Ichikawa, Tetsuya Takeuchi, Motoaki Iwaya, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki
    • 学会等名
      19th International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy
    • 関連する報告書
      2018 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] A 1.8mW GaN-based VCSEL with an n-type conducting bottom DBR2018

    • 著者名/発表者名
      Wataru Muranaga, Ryota Fuwa, Takanobu Akagi, Shotaro Yoshida, Junichiro Ogimoto, Yasuto Akatsuka, Sho Iwayama, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Motoaki Iwaya, Isamu Akasaki
    • 学会等名
      The International Workshop on Nitride Semiconductors 2018
    • 関連する報告書
      2018 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] GaN系長波長面発光レーザへ向けたAlInN/GaN多層膜反射鏡2018

    • 著者名/発表者名
      平岩 恵, 村永 亘 , 赤木 孝信, 竹内 哲也, 三好 実人, 上山 智, 岩谷 素顕, 赤﨑 勇
    • 学会等名
      第10 回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会
    • 関連する報告書
      2018 実績報告書
  • [学会発表] AlInN/GaN DBRs for long-wavelength GaN-based VCSELs2018

    • 著者名/発表者名
      Kei Hiraiwa, Wataru Muranaga, Junichiro Ogimoto, Takanobu Akagi, Tetsuya Takeuchi, Satoshi, Kamiyama, Motoaki Iwaya, Isamu Aasaki
    • 学会等名
      International Symposium of Growth of III-Nitrides ISGN-7
    • 関連する報告書
      2018 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] Substrate off-angle and direction dependences on DUV-LED2018

    • 著者名/発表者名
      Hisanori Kojima, Takuma Ogasawara, Myunghee Kim, Yoshiki Saito, Kazuyoshi Iida, Norikatsu Koide, Tetsuya Takeuchi, Motoaki Iwaya, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki
    • 学会等名
      The International Workshop on Nitride Semiconductors 2018
    • 関連する報告書
      2018 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] 深紫外LED発光特性の基板オフ角・方向依存性2018

    • 著者名/発表者名
      小島 久範, 小笠原 多久満, 金 明姫, 飯田 一善, 小出 典克, 竹内 哲也, 岩谷 素顕,上山 智, 赤崎 勇
    • 学会等名
      第79 回応用物理学会秋季学術講演会
    • 関連する報告書
      2018 実績報告書
  • [学会発表] SiO2埋め込みによる光導波構造を有するIII族窒化物面発光レーザ2018

    • 著者名/発表者名
      飯田 涼介, 林 菜摘, 村永 亘, 岩山 章, 竹内 哲也, 上山 智, 岩谷 素顕, 赤﨑 勇
    • 学会等名
      電子情報通信学会 レーザ・量子エレクトロニクス研究会(Laser and Quantum Electronics)
    • 関連する報告書
      2018 実績報告書
  • [学会発表] AlInN/AlGaN多周期クラッド層を用いた青色端面発光レーザダイオード2018

    • 著者名/発表者名
      荒川渓, 三好晃平, 竹内哲也, 三好実人, 上山智, 岩谷素顕, 赤﨑勇
    • 学会等名
      第10 回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会
    • 関連する報告書
      2018 実績報告書
  • [学会発表] GaInN VCSELswith semiconductor-based DBRs2018

    • 著者名/発表者名
      T. Takeuchi, S. Kamiyama, M. Iwaya, and I. Akasaki
    • 学会等名
      SPIE photonics Europe
    • 関連する報告書
      2018 実績報告書 2017 実績報告書
    • 国際学会 / 招待講演
  • [学会発表] Electrically-injectedGaN-based VCSELs2018

    • 著者名/発表者名
      T. Takeuchi, S. Kamiyama, M. Iwaya, and I. Akasaki
    • 学会等名
      Compound Semiconductor Week 2018
    • 関連する報告書
      2018 実績報告書
    • 国際学会 / 招待講演
  • [学会発表] GaN-based vertical-cavity surface-emitting lasers with MOVPE-grown AlInN/GaN DBRs2018

    • 著者名/発表者名
      T. Takeuchi, S. Kamiyama, M. Iwaya, and I. Akasaki
    • 学会等名
      ICMOVPE XIX
    • 関連する報告書
      2018 実績報告書
    • 国際学会 / 招待講演
  • [学会発表] GaN-based VCSELs: Their Progress and Prospects2018

    • 著者名/発表者名
      T. Takeuchi, S. Kamiyama, M. Iwaya, and I. Akasaki
    • 学会等名
      MOC2018
    • 関連する報告書
      2018 実績報告書
    • 国際学会 / 招待講演
  • [学会発表] Low resistive GaN tunnel junctionsgrown by MOVPE2018

    • 著者名/発表者名
      T. Takeuchi, S. Kamiyama, M. Iwaya, and I. Akasaki
    • 学会等名
      Photonics West OPTO
    • 関連する報告書
      2018 実績報告書
    • 国際学会 / 招待講演
  • [学会発表] GaN-based VCSELs with conducting AlInN/GaN DBRs2018

    • 著者名/発表者名
      T. Takeuchi, S. Kamiyama, M. Iwaya, and I. Akasaki
    • 学会等名
      Photonics West OPTO
    • 関連する報告書
      2018 実績報告書
    • 国際学会 / 招待講演
  • [学会発表] GaN系長波長面発光レーザへ向けたAlInN/GaN多層膜反射鏡2018

    • 著者名/発表者名
      平岩 恵,荻本 純一郎,赤塚 泰斗,村永 亘,赤木 孝信,竹内 哲也,上山 智,岩谷 素顕,赤﨑 勇
    • 学会等名
      第65回応用物理学会春季学術講演会
    • 関連する報告書
      2017 実績報告書
  • [学会発表] MOVPE-grown GaN-based tunnel junction and its application2018

    • 著者名/発表者名
      T. Takeuchi, M. Iwaya, S. Kamiyama, and I. Akasaki
    • 学会等名
      Photonics West OPTO
    • 関連する報告書
      2017 実績報告書
    • 国際学会 / 招待講演
  • [学会発表] GaInN系面発光レーザーの開発と展望2018

    • 著者名/発表者名
      竹内哲也、上山 智、岩谷素顕、赤﨑 勇
    • 学会等名
      レーザー学会学術講演会第38回年次大会
    • 関連する報告書
      2017 実績報告書
    • 招待講演
  • [学会発表] 半導体多層膜反射鏡を有するGaN系面発光レーザの高効率・高出力化2018

    • 著者名/発表者名
      竹内哲也、上山 智、岩谷素顕、赤﨑 勇
    • 学会等名
      第3回パワー光源及び応用システム調査専門委員会
    • 関連する報告書
      2017 実績報告書
    • 招待講演
  • [学会発表] GaNトンネル接合の低抵抗化に向けた不純物プロファイルの最適化2018

    • 著者名/発表者名
      赤塚 泰斗、不破 綾太、岩山 章、竹内 哲也、岩谷 素顕、上山 智、赤﨑 勇
    • 学会等名
      第65回応用物理学会春季学術講演会
    • 関連する報告書
      2017 実績報告書
  • [学会発表] Low-temperature-grown p-side structure with tunnel junction towards long wavelength nitride-based LED2017

    • 著者名/発表者名
      J. Yoshinaga, K. Suzuki, D. Takasuka, N. Koide,
    • 学会等名
      The 5th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications
    • 関連する報告書
      2017 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] トンネル接合を用いた低温成長 p 側構造黄色 LED の作製2017

    • 著者名/発表者名
      吉永純也,市川達弥,鈴木健太,小出典克,竹内哲也,岩谷素顕,上山智,赤﨑勇
    • 学会等名
      第78回応用物理学会 秋季学術講演会
    • 関連する報告書
      2017 実績報告書
  • [学会発表] GaN-based VCSELs towards high efficiency2017

    • 著者名/発表者名
      T. Takeuchi, S. Kamiyama, M. Iwaya, and I. Akasaki
    • 学会等名
      OPIC 2017 LDC’17
    • 関連する報告書
      2017 実績報告書
    • 国際学会 / 招待講演
  • [学会発表] 名城大学におけるGaInN系面発光レーザの現状とその展望2017

    • 著者名/発表者名
      竹内哲也、上山 智、岩谷素顕、赤﨑 勇
    • 学会等名
      光電相互変換第125委員会 第236回研究会
    • 関連する報告書
      2017 実績報告書
    • 招待講演
  • [学会発表] 高効率窒化物半導体発光素子に向けた新展開2017

    • 著者名/発表者名
      竹内哲也、上山 智、岩谷素顕、赤﨑 勇
    • 学会等名
      ワイドギャップ半導体光・電子デバイス第162委員会 第104回合同研究会
    • 関連する報告書
      2017 実績報告書
    • 招待講演
  • [学会発表] GaInN VCSELs with AlInN/GaN DBRs2017

    • 著者名/発表者名
      T. Takeuchi, S. Kamiyama, M. Iwaya, and I. Akasaki
    • 学会等名
      ICNS’ 12th International Conference on Nitride Semiconductors
    • 関連する報告書
      2017 実績報告書
    • 国際学会 / 招待講演
  • [学会発表] 窒化物半導体における新しい導電性制御: トンネル接合と分極ドーピング2017

    • 著者名/発表者名
      竹内哲也、岩谷素顕、上山 智、赤﨑 勇
    • 学会等名
      第36回電子材料シンポジウム
    • 関連する報告書
      2017 実績報告書
    • 招待講演
  • [学会発表] Alternative hole injections in nitride-based light-emitting devices2017

    • 著者名/発表者名
      T. Takeuchi, M. Iwaya, S. Kamiyama, and I. Akasaki
    • 学会等名
      2017 MRS Fall Meeting
    • 関連する報告書
      2017 実績報告書
    • 国際学会 / 招待講演
  • [学会発表] High-performanceGaN-based VCSELs2017

    • 著者名/発表者名
      T. Takeuchi, S. Kamiyama, M. Iwaya, and I. Akasaki
    • 学会等名
      2017 IEEE Photonics Conference
    • 関連する報告書
      2017 実績報告書
    • 国際学会 / 招待講演
  • [学会発表] GaN/GaN tunnel junctions grown by MOVPE2017

    • 著者名/発表者名
      R.Fuwa, D. Takasuka, Y. Akatsuka, T. Takeuchi, M. Iwaya, S. Kamiyama, and I. Akasaki
    • 学会等名
      LEDIA`17
    • 関連する報告書
      2017 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] MOVPE法による低抵抗GaNトンネル接合2017

    • 著者名/発表者名
      不破綾太、赤塚泰人、竹内哲也、岩谷素顕、上山智、赤崎勇
    • 学会等名
      第78回応用物理学会秋季学術講演会
    • 関連する報告書
      2017 実績報告書
  • [学会発表] Low resistive GaN tunnel junctions grown by MOVPE2017

    • 著者名/発表者名
      R.Fuwa, Y. Akatsuka, T. Takeuchi, M. Iwaya, S. Kamiyama, and I. Akasaki
    • 学会等名
      2017 MRS Fall Meeting
    • 関連する報告書
      2017 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] GaN-based VCSELs with lateral optical confinement structures2017

    • 著者名/発表者名
      N. Hayashi, K. Matsui, T. Takeuchi, S. Kamiyama, M. Iwaya, I. Akasaki
    • 学会等名
      ICNS-12
    • 関連する報告書
      2017 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] (優秀論文賞受賞記念講演) Room-temperature continuous-wave operation of GaN-based vertical-cavity surface-emitting lasers with n-type conducting AlInN/GaN distributed Bragg reflectors2017

    • 著者名/発表者名
      池山 和希、小塚 祐吾、松井 健城、吉田 翔太朗、赤木 孝信、赤塚 泰斗、小出 典克、竹内 哲也、上山 智、岩谷 素顕、赤﨑 勇
    • 学会等名
      第78回応用物理学会秋季学術講演会
    • 関連する報告書
      2017 実績報告書
    • 招待講演
  • [学会発表] 面発光レーザへの応用に向けた窒化物半導体埋め込みトンネル接合2017

    • 著者名/発表者名
      赤塚 泰斗、不破 綾太、岩山 章、竹内 哲也、岩谷 素顕、上山 智、赤﨑 勇
    • 学会等名
      第78回応用物理学会秋季学術講演会
    • 関連する報告書
      2017 実績報告書
  • [図書] III-Nitride Tunnel Junctions and Their Applications2017

    • 著者名/発表者名
      S. Rajan, T. Takeuchi
    • 出版者
      Springer
    • ISBN
      9789811037542
    • 関連する報告書
      2017 実績報告書
  • [産業財産権] 低抵抗窒化物半導体トンネル接合を用いたレーザーダイオード2019

    • 発明者名
      竹内哲也 他
    • 権利者名
      名城大学
    • 産業財産権種類
      特許
    • 出願年月日
      2019
    • 関連する報告書
      2019 実績報告書
  • [産業財産権] 窒化物半導体発光素子及び窒化物半導体発光素子の製造方法2019

    • 発明者名
      竹内哲也 他
    • 権利者名
      名城大学、スタンレー
    • 産業財産権種類
      特許
    • 出願年月日
      2019
    • 関連する報告書
      2019 実績報告書
  • [産業財産権] 窒化物半導体多層膜反射鏡の製造方法2019

    • 発明者名
      竹内哲也 他
    • 権利者名
      名城大学
    • 産業財産権種類
      特許
    • 出願年月日
      2019
    • 関連する報告書
      2019 実績報告書
  • [産業財産権] 垂直共振器型面発光素子2019

    • 発明者名
      竹内哲也 他
    • 権利者名
      名城大学、スタンレー
    • 産業財産権種類
      特許
    • 出願年月日
      2019
    • 関連する報告書
      2019 実績報告書
  • [産業財産権] 半導体多層膜反射鏡及び垂直共振器型発光素子2019

    • 発明者名
      竹内哲也 他
    • 権利者名
      名城大学
    • 産業財産権種類
      特許
    • 出願年月日
      2019
    • 関連する報告書
      2019 実績報告書
    • 外国
  • [産業財産権] 垂直共振器型発光素子2019

    • 発明者名
      竹内哲也 他
    • 権利者名
      名城大学
    • 産業財産権種類
      特許
    • 出願年月日
      2019
    • 関連する報告書
      2019 実績報告書
    • 外国
  • [産業財産権] 窒化物半導体多層膜反射鏡2018

    • 発明者名
      竹内哲也、平岩 恵、岩山 章、上山 智、岩谷 素顕、赤﨑 勇
    • 権利者名
      名城大学
    • 産業財産権種類
      特許
    • 産業財産権番号
      2018-228857
    • 出願年月日
      2018
    • 関連する報告書
      2018 実績報告書
  • [産業財産権] 窒化物半導体発光素子の製造方法、及び窒化物半導体発光素子2017

    • 発明者名
      竹内哲也、岩谷基顕、赤塚泰斗、岩山章、赤﨑勇
    • 権利者名
      名城大学
    • 産業財産権種類
      特許
    • 産業財産権番号
      2017-217351
    • 出願年月日
      2017
    • 関連する報告書
      2017 実績報告書
  • [産業財産権] 窒化物半導体発光素子の製造方法、及び窒化物半導体発光素子 番号:特願2017-2173482017

    • 発明者名
      竹内哲也、岩谷基顕、不破綾太、岩山章、赤﨑勇
    • 権利者名
      名城大学
    • 産業財産権種類
      特許
    • 産業財産権番号
      2017-217348
    • 出願年月日
      2017
    • 関連する報告書
      2017 実績報告書
  • [産業財産権] 窒化物半導体光素子2017

    • 発明者名
      竹内哲也、岩谷基顕、上山智、赤﨑勇
    • 権利者名
      名城大学
    • 産業財産権種類
      特許
    • 産業財産権番号
      2017-239235
    • 出願年月日
      2017
    • 関連する報告書
      2017 実績報告書

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公開日: 2017-04-28   更新日: 2021-02-19  

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