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炭化ケイ素半導体デバイス中の単一光子源の量子状態計測

研究課題

研究課題/領域番号 17H01056
研究種目

基盤研究(A)

配分区分補助金
応募区分一般
研究分野 結晶工学
研究機関国立研究開発法人量子科学技術研究開発機構

研究代表者

大島 武  国立研究開発法人量子科学技術研究開発機構, 高崎量子応用研究所 先端機能材料研究部, 部長(定常) (50354949)

研究分担者 波多野 睦子  東京工業大学, 工学院, 教授 (00417007)
藤ノ木 享英 (梅田享英)  筑波大学, 数理物質系, 准教授 (10361354)
土方 泰斗  埼玉大学, 理工学研究科, 准教授 (70322021)
研究期間 (年度) 2017-04-01 – 2020-03-31
研究課題ステータス 完了 (2019年度)
配分額 *注記
43,940千円 (直接経費: 33,800千円、間接経費: 10,140千円)
2019年度: 10,400千円 (直接経費: 8,000千円、間接経費: 2,400千円)
2018年度: 12,740千円 (直接経費: 9,800千円、間接経費: 2,940千円)
2017年度: 20,800千円 (直接経費: 16,000千円、間接経費: 4,800千円)
キーワード量子センシング / 結晶工学 / 格子欠陥 / 半導体物性 / 光物性 / 放射線 / 量子エレクトロニクス
研究成果の概要

本研究では、炭化ケイ素(SiC)中の単一光子源(SPS)の発光やスピン特性を明らかにするとともに、それらSPSの状態制御技術の開発を目的に、a)SPSをSiCデバイス内の任意位置に導入する技術を開発し、光検出磁気共鳴(ODMR)を用いたSPSのスピン制御及びそれを応用した磁場センシングの実証、b)電圧印加や電流注入といったデバイス動作がSPSの発光やスピン特性といった量子状態に及ぼす影響を明らかにすることで、デバイス動作によるSPSの量子状態制御の基盤技術の構築、c)窒素-空孔(NcVsi)や表面SPSの形成条件や物性及び量子状態に関する情報を得た。

研究成果の学術的意義や社会的意義

量子コンピューティング、量子暗号通信技術や量子センシングといった量子技術の実用化には、安定・確実に動作する演算子(量子ビット)や量子センサの開発が不可欠である。本研究では、結晶成長技術やデバイス作製技術が確立しつつある炭化ケイ素(SiC)半導体に着目し、SiCを母材とした単一光子源(SPS)に関する研究を推進した。イオン照射技術等を駆使することで位置制御可能なSPS形成技術を開発したこと、形成したSPSのスピンや光学特性を明らかにしたこと、更には、SPSをSiCデバイス中に導入し、デバイス動作によるSPSの量子状態制御を実証したことは、将来の量子デバイスの開発に向けて大いに意義がある。

報告書

(4件)
  • 2019 実績報告書   研究成果報告書 ( PDF )
  • 2018 実績報告書
  • 2017 実績報告書
  • 研究成果

    (92件)

すべて 2020 2019 2018 2017 その他

すべて 国際共同研究 (12件) 雑誌論文 (26件) (うち国際共著 16件、 査読あり 26件、 オープンアクセス 3件) 学会発表 (52件) (うち国際学会 22件、 招待講演 5件) 備考 (2件)

  • [国際共同研究] University of Melbourne/RMIT University(オーストラリア)

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  • [国際共同研究] University of Wurzburg/University of Stuttgart(ドイツ)

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  • [国際共同研究] Linkoping University(スウェーデン)

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  • [国際共同研究] University of Chicago(米国)

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  • [国際共同研究] University of Wurzburg/University of Stuttgart(ドイツ)

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  • [国際共同研究] University of Melbourne/RMIT University(オーストラリア)

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  • [国際共同研究] Linkoping University(スウェーデン)

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  • [国際共同研究] University of Melbourne/RMIT University(Australia)

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  • [国際共同研究] Linkoping University(スウェーデン)

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  • [国際共同研究] University of Chicago/Stanford University(米国)

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  • [雑誌論文] Influence of Irradiation on Defect Spin Coherence in Silicon Carbide2020

    • 著者名/発表者名
      C. Kasper, D. Klenkert, Z. Shang, D. Simin, A. Gottscholl, A. Sperlich, H. Kraus, C. Schneider, S. Zhou, M. Trupke, W. Kada, T. Ohshima, V. Dyakonov, G. V. Astakhov
    • 雑誌名

      Phys. Rev. Appl.

      巻: 13 号: 4 ページ: 1-11

    • DOI

      10.1103/physrevapplied.13.044054

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      2019 実績報告書
    • 査読あり / 国際共著
  • [雑誌論文] Electrical and optical control of single spins integrated in scalable semiconductor devices2019

    • 著者名/発表者名
      C. P. Anderson, A. Bourassa, K. C. Miao, G. Wolfowicz, P. J. Mintun, A. L. Crook, H. Abe, J. U. Hassan, N. T. Son, T. Ohshima, D. D. Awschalom
    • 雑誌名

      Science

      巻: 366 号: 6470 ページ: 1225-1230

    • DOI

      10.1126/science.aax9406

    • 関連する報告書
      2019 実績報告書
    • 査読あり / 国際共著
  • [雑誌論文] Coherent electrical readout of defect spins in silicon carbide by photo-ionization at ambient conditions2019

    • 著者名/発表者名
      M. Niethammer, M. Widmann, T. Rendler, N. Morioka, Y-C. Chen, R. Stohr, J. U. Hassan, S. Onoda, T. Ohshima, S-Y. Lee, A. Mukherjee, J. Isoya, N. T. Son, Jorg Wrachtrup
    • 雑誌名

      Nat. Commun.

      巻: 10 号: 1 ページ: 1-8

    • DOI

      10.1038/s41467-019-13545-z

    • 関連する報告書
      2019 実績報告書
    • 査読あり / オープンアクセス / 国際共著
  • [雑誌論文] Electrically driven optical interferometry with spins in silicon carbide2019

    • 著者名/発表者名
      K. C. Miao, A. Bourassa, C. P. Anderson, S. J. Whiteley, A. L. Crook, S. L. Bayliss, G. Wolfowicz, G. Thiering, P. Udvarhelyi, V. Ivady, H. Abe, T. Ohshima, A. Gali, D. D. Awschalom
    • 雑誌名

      Sci. Adv.

      巻: 5 号: 11 ページ: 1-7

    • DOI

      10.1126/sciadv.aay0527

    • 関連する報告書
      2019 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Electrical Charge State Manipulation of Single Silicon Vacancies in a Silicon Carbide Quantum Optoelectronic Devic2019

    • 著者名/発表者名
      M. Widmann, M. Niethammer, D. Y. Fedyanin, I. A. Khramtsov, T. Rendler, I. D. Booker, J. U Hassan, N. Morioka, Y.-C. Chen, I. G. Ivanov, N. T. Son, T. Ohshima, M. Bockstedte, A. Gali, C. Bonato, S.-Y. Lee, J. Wrachtrup
    • 雑誌名

      Nano Lett.

      巻: 19 号: 10 ページ: 7173-7180

    • DOI

      10.1021/acs.nanolett.9b02774

    • 関連する報告書
      2019 実績報告書
    • 査読あり / 国際共著
  • [雑誌論文] Formation of nitrogen-vacancy centers in 4H-SiC and their near infrared photoluminescence properties2019

    • 著者名/発表者名
      S.-i. Sato, T. Narahara, Y. Abe, Y. Hijikata, T. Umeda, T. Ohshima
    • 雑誌名

      Journal of Applied Physics

      巻: 126 号: 8 ページ: 083105-083105

    • DOI

      10.1063/1.5099327

    • NAID

      120007132685

    • 関連する報告書
      2019 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Creation of Color Centers in SiC PN Diodes Using Proton Beam Writing2019

    • 著者名/発表者名
      Y. Chiba, Y. Yamazaki, T. Makino, S.-i. Sato, N. Yamada, T. Satoh, K. Kojima, S.-Y. Lee, Y. Hijikata, T. Ohshima
    • 雑誌名

      Mater. Sci. Forum

      巻: 963 ページ: 709-713

    • DOI

      10.4028/www.scientific.net/msf.963.709

    • 関連する報告書
      2019 実績報告書
    • 査読あり / 国際共著
  • [雑誌論文] Energy levels and charge state control of the carbon antisite-vacancy defect in 4H-SiC2019

    • 著者名/発表者名
      N. T. Son, P. Stenberg, V. Jokubavicius, H. Abe, T. Ohshima, J. U. Hassan, I. G. Ivanov
    • 雑誌名

      Appl. Phys. Lett.

      巻: 114 号: 21 ページ: 212105-212105

    • DOI

      10.1063/1.5098070

    • 関連する報告書
      2019 実績報告書
    • 査読あり / 国際共著
  • [雑誌論文] High-fidelity spin and optical control of single silicon-vacancy centres in silicon carbide2019

    • 著者名/発表者名
      Nagy Roland、Niethammer Matthias、Widmann Matthias、Chen Yu-Chen、Udvarhelyi P?ter、Bonato Cristian、Hassan Jawad Ul、Karhu Robin、Ivanov Ivan G.、Son Nguyen Tien、Maze Jeronimo R.、Ohshima Takeshi、Soykal ?ney O.、Gali ?d?m、Lee Sang-Yun、Kaiser Florian、Wrachtrup J?rg
    • 雑誌名

      Nature Communications

      巻: 10 号: 1

    • DOI

      10.1038/s41467-019-09873-9

    • 関連する報告書
      2019 実績報告書
    • 査読あり / オープンアクセス / 国際共著
  • [雑誌論文] Identification of divacancy and silicon vacancy qubits in 6H-SiC2019

    • 著者名/発表者名
      J. Davidsson, V. Ivady, R. Armiento, T. Ohshima, N. T. Son, A. Gali, I. A. Abrikosov
    • 雑誌名

      Appl. Phys. Lett.

      巻: 114 号: 11 ページ: 112107-112111

    • DOI

      10.1063/1.5083031

    • 関連する報告書
      2018 実績報告書
    • 査読あり / 国際共著
  • [雑誌論文] Ligand hyperfine interactions at silicon vacancies in 4H-SiC2019

    • 著者名/発表者名
      N. T. Son, P. Stenberg, V. Jokubavicius, T. Ohshima, J. U. Hassan, I. G Ivanov
    • 雑誌名

      J. Phys.: Condens. Matter

      巻: 31 号: 19 ページ: 195501-195501

    • DOI

      10.1088/1361-648x/ab072b

    • 関連する報告書
      2018 実績報告書
    • 査読あり / 国際共著
  • [雑誌論文] First-Principles Study of Oxygen-Related Defects on 4H-SiC Surface: The Effects of Surface Amorphous Structure2019

    • 著者名/発表者名
      Y. Matsushita, Y. Furukawa, Y. Hijikata, T. Ohshima
    • 雑誌名

      Applied Surface Science

      巻: 464 ページ: 451-454

    • DOI

      10.1016/j.apsusc.2018.09.072

    • 関連する報告書
      2018 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Oxygen-incorporated single-photon sources observed at the surface of silicon carbide crystals2018

    • 著者名/発表者名
      Y. Hijikata, T. Horii, Y. Furukawa, Y. Matsushita, T. Ohshima
    • 雑誌名

      J. Phys. Commun.

      巻: 2 号: 11 ページ: 111003-111003

    • DOI

      10.1088/2399-6528/aaede4

    • 関連する報告書
      2018 実績報告書
    • 査読あり / オープンアクセス
  • [雑誌論文] Excitation properties of the divacancy in 4H-SiC2018

    • 著者名/発表者名
      B. Magnusson, N. T. Son, A. Csore, A. Gallstrom, T. Ohshima, A. Gali, I. G. Ivanov
    • 雑誌名

      Phys. Rev. B

      巻: 98 号: 19

    • DOI

      10.1103/physrevb.98.195202

    • 関連する報告書
      2018 実績報告書
    • 査読あり / 国際共著
  • [雑誌論文] Electrically controllable position-controlled color centers created in SiC pn junction diode by proton beam writing2018

    • 著者名/発表者名
      Y. Yamazaki, Y. Chiba, T. Makino, S. -I. Sato, N. Yamada, T. Satoh, Y. Hijikata, K. Kojima, S.-Y. Lee, T. Ohshima
    • 雑誌名

      J. Mater. Res.

      巻: 33 号: 20 ページ: 3355-3361

    • DOI

      10.1557/jmr.2018.302

    • 関連する報告書
      2018 実績報告書
    • 査読あり / 国際共著
  • [雑誌論文] Creation of Silicon Vacancy in Silicon Carbide by Proton Beam Writing toward Quantum Sensing Applications2018

    • 著者名/発表者名
      T. Ohshima, T. Satoh, H. Kraus, G. V. Astakhov, V. Dyakonov, P. G. Baranov
    • 雑誌名

      J. Phys. D: Appl. Phys.

      巻: 51 号: 33 ページ: 333002-333002

    • DOI

      10.1088/1361-6463/aad0ec

    • 関連する報告書
      2018 実績報告書
    • 査読あり / 国際共著
  • [雑誌論文] Room Temperature Electrical Control of Single Photon Sources at 4H-SiC Surface2018

    • 著者名/発表者名
      S.-i. Sato, T. Honda, T. Makino, Y. Hijikata, S.-Y. Lee, T. Ohshima
    • 雑誌名

      ACS Photonics

      巻: 5 号: 8 ページ: 3159-3165

    • DOI

      10.1021/acsphotonics.8b00375

    • 関連する報告書
      2018 実績報告書
    • 査読あり / 国際共著
  • [雑誌論文] Various Single Photon Sources Observed in SiC pin Diodes2018

    • 著者名/発表者名
      H. Tsunemi, T. Honda, T. Makino, S. Onoda, S.-I. Sato, Y. Hijikata, T. Ohshima
    • 雑誌名

      Mater. Sci. Forum

      巻: 924 ページ: 204-207

    • DOI

      10.4028/www.scientific.net/msf.924.204

    • 関連する報告書
      2018 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Oxidation-Process Dependence of Single Photon Sources Embedded in 4H-SiC MOSFETs2018

    • 著者名/発表者名
      Y. Abe, T. Umeda, M. Okamoto, S. Onoda, M. Haruyama, W. Kada, O. Hanaizumi, R. Kosugi, S. Harada, T. Ohshima
    • 雑誌名

      Mater. Sci. Forum

      巻: 924 ページ: 281-284

    • DOI

      10.4028/www.scientific.net/msf.924.281

    • 関連する報告書
      2018 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Ab Initio Theory of Si-Vacancy Quantum Bits in 4H and 6H-SiC2018

    • 著者名/発表者名
      V. Ivady, J. Davidsson, N. T. Son, T. Ohshima, I. A. Abrikosov, A. Gali
    • 雑誌名

      Mater. Sci. Forum

      巻: 924 ページ: 895-900

    • DOI

      10.4028/www.scientific.net/msf.924.895

    • 関連する報告書
      2018 実績報告書
    • 査読あり / 国際共著
  • [雑誌論文] Bright single photon sources in lateral silicon carbide light emitting diodes2018

    • 著者名/発表者名
      M. Widmann, M. Niethammer, T. Makino, T. Rendler, S. Lasse, T. Ohshima, J. Ul Hassan, N. T. Son, S.-Y. Lee, J. Wrachtrup
    • 雑誌名

      Appl. Phys. Lett.

      巻: 112 号: 23

    • DOI

      10.1063/1.5032291

    • 関連する報告書
      2018 実績報告書
    • 査読あり / 国際共著
  • [雑誌論文] Highly Efficient Optical Pumping of Spin Defects in Silicon Carbide for Stimulated Microwave Emission2018

    • 著者名/発表者名
      M. Fischer, A. Sperlich, H. Kraus, T. Ohshima, G. V. Astakhov, V. Dyakonov
    • 雑誌名

      Phys. Rev. Appl.

      巻: 9 号: 5

    • DOI

      10.1103/physrevapplied.9.054006

    • 関連する報告書
      2018 実績報告書
    • 査読あり / 国際共著
  • [雑誌論文] Single photon sources in 4H-SiC metal-oxide-semiconductor field-effect transistors2018

    • 著者名/発表者名
      Y. Abe, T. Umeda, M. Okamoto, R. Kosugi, S. Harada, M. Haruyama, W. Kada, O. Hanaizumi, S. Onoda, T. Ohshima
    • 雑誌名

      Appl. Phys. Lett.

      巻: 112 号: 3

    • DOI

      10.1063/1.4994241

    • NAID

      120007133812

    • 関連する報告書
      2017 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Quantum Properties of Dichroic Silicon Vacancies in Silicon Carbide2018

    • 著者名/発表者名
      R. Nagy, M. Widmann, M. Niethammer, D. B.R. Dasari, I. Gerhardt, O. O. Soykal, M. Radulaski, T. Ohshima, J. Vuckovic, N. T. Son, I. G. Ivanov, S. E. Economou, C. Bonato, S.-Y. Lee, J. Wrachtrup
    • 雑誌名

      Phys. Rev. Applied

      巻: 9 号: 3

    • DOI

      10.1103/physrevapplied.9.034022

    • 関連する報告書
      2017 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Stark tuning and electrical charge state control of single divacancies in silicon carbide2017

    • 著者名/発表者名
      C. F. de las Casas, D. J. Christle, J. Ul Hassan, T. Ohshima, N. T. Son, D. D. Awschalom
    • 雑誌名

      Appl. Phys. Lett.

      巻: 111 号: 26

    • DOI

      10.1063/1.5004174

    • 関連する報告書
      2017 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Identification of Si-vacancy related room-temperature qubits in 4H silicon carbide2017

    • 著者名/発表者名
      V. Ivady, J. Davidsson, N. T. Son, T. Ohshima, I. A. Abrikosov, A. Gali
    • 雑誌名

      Phys. Rev. B

      巻: 96 号: 16

    • DOI

      10.1103/physrevb.96.161114

    • 関連する報告書
      2017 実績報告書
    • 査読あり
  • [学会発表] SiC デバイス内に作製したシリコン空孔の光・電気同時励起時における光学特性2019

    • 著者名/発表者名
      山﨑 雄一, 千葉 陽史, 佐藤 真一郎, 牧野 高紘, 山田 尚人, 佐藤 隆博, 土方 泰斗, 児嶋 一聡, 土田 秀一, 星乃 紀博, 大島 武
    • 学会等名
      応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第6回講演会
    • 関連する報告書
      2019 実績報告書
  • [学会発表] SiC結晶中シリコン空孔の光検出磁気共鳴信号にアニール温度が及ぼす影響2019

    • 著者名/発表者名
      千葉 陽史, 山﨑 雄一, 牧野 高紘, 佐藤 真一郎, 山田 尚人, 佐藤 隆博, 土方 泰斗, 大島 武
    • 学会等名
      応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第6回講演会
    • 関連する報告書
      2019 実績報告書
  • [学会発表] 4H-SiC中の窒素・空孔複合欠陥の形成量と窒素不純物濃度の関係2019

    • 著者名/発表者名
      楢原 拓真,佐藤 真一郎,児島 一聡,山﨑 雄一, 土方 泰斗, 大島 武
    • 学会等名
      応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第6回講演会
    • 関連する報告書
      2019 実績報告書
  • [学会発表] The effect of γ-ray irradiation on optical properties of single photon sources in 4H- SiC MOSFET2019

    • 著者名/発表者名
      Y. Abe, T. Umeda, M. Okamoto, S. Harada, Y. Yamazaki, T. Ohshima
    • 学会等名
      International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (ICSCRM2019)
    • 関連する報告書
      2019 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] Enhancement of ODMR Contrasts of Silicon Vacancy in SiC by Thermal Treatment2019

    • 著者名/発表者名
      Y. Chiba, Y. Yamazaki, S.i. Sato, T. Makino, N. Yamada, T. Satoh, Y. Hijikata, T. Ohshima
    • 学会等名
      International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (ICSCRM2019)
    • 関連する報告書
      2019 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] Effects of Nitrogen Impurity Concentration on Nitrogen-Vacancy Center Formation in 4H-SiC2019

    • 著者名/発表者名
      T. Narahara, S.-i. Sato, K. Kojima, Y. Yamazaki, Y. Hijikata, T. Ohshima
    • 学会等名
      International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (ICSCRM2019)
    • 関連する報告書
      2019 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] Near Infrared Photoluminescence in High-Purity Semi-Insulating 4H-SiC Irradiated with Energetic Charged Particles2019

    • 著者名/発表者名
      S.-i. Sato, T. Narahara, S. Onoda, Y. Yamazaki, Y. Hijikata, B. C. Gibson, A. D. Greentree, T. Ohshima
    • 学会等名
      International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (ICSCRM2019)
    • 関連する報告書
      2019 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] Optically detected magnetic resonance study of 3D arrayed silicon vacancies in SiC pn diodes2019

    • 著者名/発表者名
      Y. Yamazaki, Y. Chiba, S.-I. Sato, T. Makino, N. Yamada, T. Satoh, K. Kojima, Y. Hijikata, H. Tsuchida, N. Hoshino, T. Ohshima
    • 学会等名
      International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (ICSCRM2019)
    • 関連する報告書
      2019 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] SiCデバイス内の3次元配列シリコン空孔を用いた光検出磁場共鳴測定2019

    • 著者名/発表者名
      山﨑 雄一, 千葉 陽史, 佐藤 真一郎, 牧野 高紘, 山田 尚人, 佐藤 隆博, 土方 泰斗, 児嶋 一聡, 土田 秀一, 星乃 紀博, 大島 武
    • 学会等名
      2019年 第80回応用物理学会秋季学術講演会
    • 関連する報告書
      2019 実績報告書
  • [学会発表] SiC結晶中シリコン空孔のODMR信号に熱処理温度が及ぼす影響2019

    • 著者名/発表者名
      千葉 陽史, 山﨑 雄一, 牧野 高紘, 佐藤 真一郎, 山田 尚人, 佐藤 隆博, 土方 泰斗, 大島 武
    • 学会等名
      2019年 第80回応用物理学会秋季学術講演会
    • 関連する報告書
      2019 実績報告書
  • [学会発表] 4H-SiC中の窒素・空孔複合欠陥の形成における窒素不純物濃度の影響2019

    • 著者名/発表者名
      楢原 拓真, 佐藤 真一郎, 児島 一聡, 山﨑 雄一, 土方 泰斗, 大島 武
    • 学会等名
      2019年 第80回応用物理学会秋季学術講演会
    • 関連する報告書
      2019 実績報告書
  • [学会発表] Creation of nitrogen-vacancy centers in SiC by ion irradiation2019

    • 著者名/発表者名
      T. Ohshima, S.-i. Sato, T. Narahara, Y. Yamazaki, Y. Abe, T. Umeda, Y. Hijikata
    • 学会等名
      30th International Conference on Defects in Semiconductors
    • 関連する報告書
      2019 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] Position-Selective Silicon Vacancy Formation in Silicon Carbide Devices using Proton Beam Writing2019

    • 著者名/発表者名
      T. Ohshima, Y. Yamazaki, Y. Chiba, Y. Hijikata, K. Kojima, S.-Y. Lee, W. Kada
    • 学会等名
      Quantum 2019
    • 関連する報告書
      2019 実績報告書
    • 国際学会 / 招待講演
  • [学会発表] Creation of silicon vacancy in silicon carbide using proton beam writing techniques for quantum sensing2019

    • 著者名/発表者名
      T. Ohshima
    • 学会等名
      Workshop on Ion beams for future technologies 2019
    • 関連する報告書
      2019 実績報告書
    • 国際学会 / 招待講演
  • [学会発表] 4H-SiC MOSFETチャネルの単一光子源のゲート電圧制御22019

    • 著者名/発表者名
      阿部裕太,梅田享英,岡本光央,原田信介,佐藤真一郎,山﨑雄一,大島武
    • 学会等名
      第66回応用物理学会春季学術講演会
    • 関連する報告書
      2018 実績報告書
  • [学会発表] γ線照射が炭化ケイ素表面発光中心の生成・発光特性に与える影響2019

    • 著者名/発表者名
      山﨑雄一,常見大貴,佐藤真一郎, 土方泰斗,大島武
    • 学会等名
      第66回応用物理学会春季学術講演会
    • 関連する報告書
      2018 実績報告書
  • [学会発表] 同位体酸素を用いたSiC 表面に形成される単一光子源の構造推定2019

    • 著者名/発表者名
      土方泰斗, 松下雄一郎,大島 武
    • 学会等名
      第66回応用物理学会春季学術講演会
    • 関連する報告書
      2018 実績報告書
  • [学会発表] 4H-SiC中の窒素・空孔複合欠陥の形成におけるイオンビーム照射の影響2019

    • 著者名/発表者名
      楢原拓真, 佐藤真一郎, 土方泰斗, 大島武
    • 学会等名
      第66回応用物理学会春季学術講演会
    • 関連する報告書
      2018 実績報告書
  • [学会発表] Quantum Sensing in 4H-SiC Power Devices2018

    • 著者名/発表者名
      Hoang Minh Tuan, Takeshi Ohshima, Makoto Nakajima, Kosuke Mizuno, Yuta Masuyama, Takayuki Iwasaki, Digh Hisamoto, Mutsuko Hatano
    • 学会等名
      2018 MRS Fall Meeting and Exhibit, Materials Research Society
    • 関連する報告書
      2018 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] a面およびm面4H-SiC MOSFETにおける単一光子源の探索2018

    • 著者名/発表者名
      阿部裕太,梅田享英,原田信介,佐藤真一郎,山﨑雄一,大島武
    • 学会等名
      応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第5回講演会
    • 関連する報告書
      2018 実績報告書
  • [学会発表] プロトンビーム描画により形成したシリコン空孔の光学特性劣化要因に関する研究2018

    • 著者名/発表者名
      山﨑雄一,千葉陽史,牧野高紘, 佐藤真一郎,山田尚人, 佐藤隆博, 加田 渉, 土方泰斗,児島一聡, S. -Y. Lee, 大島武
    • 学会等名
      応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第5回講演会
    • 関連する報告書
      2018 実績報告書
  • [学会発表] SiC表面に形成される単一光子源の酸化膜厚依存性2018

    • 著者名/発表者名
      常見大貴,佐藤真一郎,山﨑雄一,牧野高紘,土方泰斗,大島武
    • 学会等名
      応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第5回講演会
    • 関連する報告書
      2018 実績報告書
  • [学会発表] プロトンビーム描画により形成されたSiC pnダイオード中シリコン空孔のODMR測定2018

    • 著者名/発表者名
      千葉陽史,山﨑雄一,牧野高紘,佐藤真一郎,山田尚人, 佐藤隆博,加田渉,児島一聡,土方泰斗,大島 武
    • 学会等名
      応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第5回講演会
    • 関連する報告書
      2018 実績報告書
  • [学会発表] 4H-SiC中の窒素・空孔複合欠陥の形成と発光特性2018

    • 著者名/発表者名
      楢原拓真, 佐藤真一郎, 土方泰斗, 大島武
    • 学会等名
      応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第5回講演会
    • 関連する報告書
      2018 実績報告書
  • [学会発表] プロトンビーム描画プロセスがSiC pnダイオード中に導入したシリコン空孔の光学特性に与える影響2018

    • 著者名/発表者名
      山﨑雄一,千葉陽史,牧野高紘, 佐藤真一郎,山田尚人, 佐藤隆博, 土方泰斗,児島一聡,  S. -Y. Lee, 大島武
    • 学会等名
      2018年 第79回応用物理学会秋季学術講演
    • 関連する報告書
      2018 実績報告書
  • [学会発表] SiC p+nn+ダイオード中の単一光子源の発光特性に関する考察2018

    • 著者名/発表者名
      常見大貴, 佐藤真一郎, 山﨑雄一, 牧野高紘, 土方泰斗, 大島武
    • 学会等名
      2018年 第79回応用物理学会秋季学術講演
    • 関連する報告書
      2018 実績報告書
  • [学会発表] プロトンビーム描画を用いてSiCデバイス中に作製したシリコン空孔のODMR測定2018

    • 著者名/発表者名
      千葉陽史,山﨑雄一,牧野高紘,佐藤真一郎,山田尚人, 佐藤隆博, 児島一聡, 土方泰斗,大島武
    • 学会等名
      2018年 第79回応用物理学会秋季学術講演
    • 関連する報告書
      2018 実績報告書
  • [学会発表] Creation of electrically controllable radiation centers in SiC using proton beam writing2018

    • 著者名/発表者名
      Y. Chiba, Y. Yamazaki, T. Makino, S.-i. Sato, N. Yamada, T. Sato, K. Kojima, S.-Y. Lee, Y. Hijikata, T. Ohshima
    • 学会等名
      12th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM2018)
    • 関連する報告書
      2018 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] Near Infrared Photoluminescence from Nitrogen-Vacancy Centers in Silicon Carbide2018

    • 著者名/発表者名
      S.-I. Sato, Y. Abe, T. Umeda, T. Ohshima
    • 学会等名
      12th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM2018)
    • 関連する報告書
      2018 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] Creation of silicon vacancy in silicon carbide device by proton beam writing toward quantum applications2018

    • 著者名/発表者名
      Takeshi Ohshima, Yuichi Yamazaki, Yuji Chiba, Naoto Yamada, Shin-ichiro Sato, Takahiro Satoh, Yasuto Hijikata, Sang-Yun Lee, Kazutoshi Kojima
    • 学会等名
      25th International Conference on Application of Accelerators in Research and Industry (CAARI2018)
    • 関連する報告書
      2018 実績報告書
    • 国際学会 / 招待講演
  • [学会発表] Position-selective introduction of electrically excitable color centers in SiC pn junction diode by proton beam writing2018

    • 著者名/発表者名
      Y. Yamazaki, Y. Chiba, T. Makino, S. -i. Sato, N. Yamada, T. Satoh, Y. Hijikata, K. Kojima, S. Y. Lee, T. Ohshima
    • 学会等名
      16th International Conference on Nuclear Microprobe Technology and Applications (ICNMTA2018)
    • 関連する報告書
      2018 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] Radiation Efficiency Enhancement of Single Photon Source near Stacking Fault in 4H-SiC Epilayer2018

    • 著者名/発表者名
      Y. Hijikata, Y. Furukawa, Y. -i. Matsushita, T. Ohshima
    • 学会等名
      2018 E-MRS Spring meeting and Exhibit
    • 関連する報告書
      2018 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] プロトンビーム描画を用いたSiC pinダイオード中への発光中心の形成2018

    • 著者名/発表者名
      千葉陽史, 常見大貴, 本多智也, 牧野高紘, 佐藤真一郎, 山田尚人, 佐藤隆博, 土方泰斗, 大島武
    • 学会等名
      第65回応用物理学会春季学術講演会
    • 関連する報告書
      2017 実績報告書
  • [学会発表] 4H-SiCエピ層中の積層欠陥近傍における単一光子源の発光効率向上2018

    • 著者名/発表者名
      赤堀周平、古川頼誉、松下雄一郎、大島武、土方泰斗
    • 学会等名
      第65回応用物理学会春季学術講演会
    • 関連する報告書
      2017 実績報告書
  • [学会発表] Magnetic Field Sensing with Silicon Vacancy in 4H-SiC Under Ambient Conditions2018

    • 著者名/発表者名
      Hoang Minh Tuan, Takeshi Ohshima, Yuta Masuyama, Takayuki Iwasaki, Digh Hisamoto, Mutsuko Hatano
    • 学会等名
      第65回応用物理学会春季学術講演会
    • 関連する報告書
      2017 実績報告書
  • [学会発表] 4H-SiC酸化によるアモルファス構造が表面単一光子光源に与える影響の理論的分析2018

    • 著者名/発表者名
      古川頼誉, 土方泰斗, 大島武, 松下雄一郎
    • 学会等名
      第65回応用物理学会春季学術講演会
    • 関連する報告書
      2017 実績報告書
  • [学会発表] Functionalization of Silicon Carbide by Particle Irradiation toward Quantum Devices2017

    • 著者名/発表者名
      T. Ohshima, T. Honda, H. Tsunemi, T. Makino, S. Sato, S. Onoda, Y. Hijikata
    • 学会等名
      2017 MRS Fall Meeting and Exhibit
    • 関連する報告書
      2017 実績報告書
    • 国際学会 / 招待講演
  • [学会発表] Radiation Response of Silicon Carbide Devices - Degradation and Functionalization -2017

    • 著者名/発表者名
      T. Ohshima
    • 学会等名
      Workshop on Ultra-Precision Processing for Wide Bandgap Semiconductors 2017
    • 関連する報告書
      2017 実績報告書
    • 国際学会 / 招待講演
  • [学会発表] SiC p+nn+ダイオード表面に形成される単一光子源の発光特性2017

    • 著者名/発表者名
      常見大貴, 本多智也, 佐藤真一郎, 小野田忍, 牧野高紘, 土方泰斗, 大島武
    • 学会等名
      先進パワー半導体分科会 第4回講演会
    • 関連する報告書
      2017 実績報告書
  • [学会発表] バイアス印加によるSiCダイオード中の発光中心の発光強度変化2017

    • 著者名/発表者名
      本多智也, 常見大貴, 小野田忍, 佐藤真一郎, 牧野高紘, 土方泰斗, 大島武
    • 学会等名
      先進パワー半導体分科会 第4回講演会
    • 関連する報告書
      2017 実績報告書
  • [学会発表] 4H-SiC 中の積層欠陥が単一光子光源の発光波長に及ぼす影響の理論的分析2017

    • 著者名/発表者名
      古川頼誉,土方泰斗,大島武,松下雄一郎
    • 学会等名
      先進パワー半導体分科会 第4回講演会
    • 関連する報告書
      2017 実績報告書
  • [学会発表] Oxidation-process dependence of Single photon sources embedded in 4H-SiC MOSFETs2017

    • 著者名/発表者名
      Y. Abe, M. Okamoto, S. Onoda, T. Ohshima, M. Haruyama, W. Kada, O. Hanaizumi, R. Kosugi, S. Harada, Y. Kagoyama, T. Umeda
    • 学会等名
      International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM2017)
    • 関連する報告書
      2017 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] Coherent defect engineering with varying irradiation methods2017

    • 著者名/発表者名
      C. Kasper, D. Simin, H. Kraus, W. Kada, T. Ohshima, A. Sperlich, C. Salter, M. Trupke, V. Dyakonov, G. V. Astakhov
    • 学会等名
      International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM2017)
    • 関連する報告書
      2017 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] Controlled 3D Placement of Vacancy Spins for Quantum Applications in Silicon Carbide2017

    • 著者名/発表者名
      H. Kraus, D. Simin, C. Kasper, W. Kada, Y. Hijikata, C. Cochrane, T. Ohshima, V. Dyakonov, G. V. Astakhov
    • 学会等名
      International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM2017)
    • 関連する報告書
      2017 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] Enhanced single photon emission near stacking fault in 4H-SiC epilayer2017

    • 著者名/発表者名
      Y. Hijikata, S. Akahori, T. Ohshima
    • 学会等名
      International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM2017)
    • 関連する報告書
      2017 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] Various single photon sources observed in SiC pin diodes2017

    • 著者名/発表者名
      H. Tsunemi, T. Honda, T. Makino, S. Onoda, S-I. Sato, Y. Hijikata, T. Ohshima
    • 学会等名
      International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM2017)
    • 関連する報告書
      2017 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] 4H-SiC MOSFETチャネルの単一光子源のゲート電圧制御2017

    • 著者名/発表者名
      梅田亨英, 阿部裕太, 岡本光央, 原田信介, 春山盛善, 加田渉, 花泉修, 小野田忍, 大島武
    • 学会等名
      2017年 第78回応用物理学会秋季学術講演
    • 関連する報告書
      2017 実績報告書
  • [学会発表] 4H-SiC MOSFETチャネル中の単一光子源に対する水素の影響2017

    • 著者名/発表者名
      阿部裕太, 岡本光央, 小野田忍, 大島武, 春山盛善, 加田渉, 花泉修, 原田信介, 鹿児山陽平, 梅田亨英
    • 学会等名
      2017年第78回応用物理学会秋季学術講演会
    • 関連する報告書
      2017 実績報告書
  • [学会発表] SiC p+nn+ダイオード中の発光中心のバイアス電圧による発光強度変化2017

    • 著者名/発表者名
      本多智也, 常見大貴, 児島一聡, 佐藤真一郎, 牧野高紘, 小野田忍, 土方泰斗, 大島武
    • 学会等名
      2017年 第78回応用物理学会秋季学術講演会
    • 関連する報告書
      2017 実績報告書
  • [学会発表] 4H-SiCエピ層における積層欠陥近傍の単一光子源の発光特性2017

    • 著者名/発表者名
      赤堀周平、古川頼誉、松下雄一郎、大島武、土方泰斗
    • 学会等名
      2017年 第78回応用物理学会秋季学術講演会
    • 関連する報告書
      2017 実績報告書
  • [学会発表] SiC p+nn+ダイオードに形成される単一光子源の発光スペクトル2017

    • 著者名/発表者名
      常見大貴,本多智也,牧野高紘,小野田忍,佐藤真一郎,土方泰斗,大島武
    • 学会等名
      2017年 第78回応用物理学会秋季学術講演会
    • 関連する報告書
      2017 実績報告書
  • [学会発表] Observation of Single Photon Sources in Silicon Carbide PiN Diodes2017

    • 著者名/発表者名
      T. Ohshima, T. Honda, H. Tsunemi, T. Makino, S. Sato, S. Onoda, Y. Hijikata, B. C. Johnson, J. R. Klein, A. Lohrmann, J. C. McCaiium
    • 学会等名
      International Union of Materials Research Societies, The 15th International Conference on Advanced Materials (IUMRS-ICAM2017)
    • 関連する報告書
      2017 実績報告書
    • 国際学会
  • [備考] 量子科学技術研究開発機構 高崎量子応用研究所 プロジェクト「半導体照射効果研究」

    • URL

      https://www.qst.go.jp/site/semiconductor/

    • 関連する報告書
      2019 実績報告書
  • [備考] 量子科学技術研究開発機構 高崎量子応用研究所 プロジェクト「半導体照射効果研究」

    • URL

      http://www.taka.qst.go.jp/eimr_div/RadEffects/index_j.html

    • 関連する報告書
      2018 実績報告書 2017 実績報告書

URL: 

公開日: 2017-04-28   更新日: 2022-05-18  

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