研究課題
基盤研究(A)
一般に高周波回路では金属が用いられるが,その伝搬損失は,周波数が高くなるほど顕著になる.本研究では,金属を用いない誘電体の微細周期構造であるフォトニック結晶に着目し,1 THz帯回路の基盤技術の開拓を行った.シリコンを用いた1 THz帯フォトニック結晶回路によって,従来技術としては低損失である中空金属導波管と比較して,一桁以上小さな0.1 dB/cmという伝搬損失が得られた.1 Gbit/sのデータ伝送実験にも成功し,1 THz帯におけるフォトニック結晶の有用性を示した.
1 THz帯は,エレクトロニクスにおける高周波極限に相当する.その物理限界の一つである金属による損失を光に関する科学技術であるフォトニクス分野のアイディアであるフォトニック結晶によって克服できることを示したことは学術的に意義深い.0.1 THzから10 THzの周波数の電磁波であるテラヘルツ波を用いた通信・センシング応用が期待されており,特にデバイス・回路の開発が困難な1 THz帯の応用可能性を示したことは,新たな周波数帯の電磁波の利活用につながるため,社会的な意義が大きい.
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