研究課題
基盤研究(A)
プラズマ遺伝子・分子導入の機序解明を進めた結果、プラズマ刺激なしでエンドサイトーシス促進剤により単にエンドサイトーシスを引き起こすだけでは、遺伝子の導入はほとんど生じないことからプラズマは単にエンドサイトーシスを惹起しているだけでなく、プラスミドの膜付着を促進していることが示唆された。また、ウェル上の細胞群を等価回路網モデルで表現し回路解析を行った結果、電流が電気的な刺激の主要因であることが示唆された。本研究により、細胞帯電によるプラスミドと細胞の衝突プロセスの促進、電流と活性酸素種の複合刺激によるエンドサイトーシスの惹起の2段階のプロセスでプラズマ遺伝子導入が生じているとの結論に至った。
プラズマ遺伝子・分子導入法の機序解明が進み、プラズマの必要性とエンドサイトーシスでの分子取り込みに必要なプラズマの作用要因が明確になった。特に、電気的要因として電流が主要であることが示唆されたことは意義が大きい。また、社会的には、従来法とは異なり、細胞へのダメージが小さくかつ効率良く導入を行えるプラズマ法の機序解明が進んだことで、実用へ大きく近づくことが出来た。
すべて 2019 2018 2017
すべて 雑誌論文 (1件) (うち査読あり 1件) 学会発表 (14件) (うち国際学会 8件) 産業財産権 (1件)
Japanese Journal of Applied Physics
巻: 1 ページ: 1-1
210000156277
