| 研究課題/領域番号 |
17H01228
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| 研究種目 |
基盤研究(A)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
無機工業材料
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| 研究機関 | 東京工業大学 |
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研究代表者 |
細野 秀雄 東京工業大学, 科学技術創成研究院, 教授 (30157028)
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| 研究分担者 |
松石 聡 東京工業大学, 元素戦略研究センター, 准教授 (30452006)
飯村 壮史 東京工業大学, 科学技術創成研究院, 助教 (80717934)
金 正煥 東京工業大学, 元素戦略研究センター, 助教 (90780586)
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| 研究期間 (年度) |
2017-04-01 – 2018-03-31
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| 研究課題ステータス |
中途終了 (2017年度)
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| 配分額 *注記 |
43,160千円 (直接経費: 33,200千円、間接経費: 9,960千円)
2017年度: 15,860千円 (直接経費: 12,200千円、間接経費: 3,660千円)
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| キーワード | アモルファス / エレクトライド / 薄膜 / 半導体物性 |
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| 研究実績の概要 |
アモルファスC12A7エレクトライドの光学的・電気的性質を検討するために薄膜試料を作製した。具体的にはC１２A７エレクトライドの緻密なセラミックスターゲットをSPSで作製し、これを用いて高周波スパッターリングによってシリカガラス基板上に50-200nmの厚さの薄膜を堆積した。スパッターガスには１００％アルゴンを用いた。薄膜X線開設測定から試料はアモルファスであることを確認した。光学吸収を測定したところ、2eVと4eV付近に2つの吸収帯が観測された。結晶ではメインであった2eVの吸収帯は、アモルファス薄膜では強度が小さく,4eVバンドがメインとなった。その結果、アモルファス薄膜は透明性が高く、光学的用途には適していることが分かった。
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| 現在までの達成度 (段落) |
29年度が最終年度であるため、記入しない。
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| 今後の研究の推進方策 |
29年度が最終年度であるため、記入しない。
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