| 研究課題/領域番号 |
17H01264
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| 研究種目 |
基盤研究(A)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
電子・電気材料工学
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| 研究機関 | 大阪大学 |
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研究代表者 |
藤原 康文 大阪大学, 工学研究科, 教授 (10181421)
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| 研究分担者 |
舘林 潤 大阪大学, 工学研究科, 講師 (40558805)
市川 修平 大阪大学, 工学研究科, 助教 (50803673)
児島 貴徳 大阪大学, 工学研究科, 助教 (70725100)
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| 研究期間 (年度) |
2017-04-01 – 2019-03-31
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| 研究課題ステータス |
中途終了 (2018年度)
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| 配分額 *注記 |
44,200千円 (直接経費: 34,000千円、間接経費: 10,200千円)
2018年度: 14,300千円 (直接経費: 11,000千円、間接経費: 3,300千円)
2017年度: 20,800千円 (直接経費: 16,000千円、間接経費: 4,800千円)
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| キーワード | 希土類元素 / フォトン場制御 / 発光機能 |
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| 研究実績の概要 |
研究代表者は、従来の発光ダイオード(LED)とは全く発光原理が異なる、ユウロピウム(Eu)添加GaN (GaN:Eu)を用いた窒化物半導体狭帯域赤色LEDの開発に、世界に先駆けて成功している。本研究では、これまでの伝導帯・価電子帯間のインターバンド遷移による発光機能ではなく、希土類元素特有のイントラセンター遷移による発光機能に着目した「半導体イントラ・フォトニクスの開拓」を目的としている。この日本発オリジナルである「Eu添加GaNを用いた赤色LED」の超高輝度化を当面の目標に、半導体への原子レベル制御Eu添加手法を基盤として、フォトン場によるEu発光機能の究極的制御を実証することを目指している。 今年度に得られた成果は下記の通りである。
【課題２】Eu添加GaNマイクロ光共振器の作製とEu発光機能の操作：Eu発光強度の増大を目的に、成長用基板をサファイアからn型GaNに変更し、LEDを作製する要素技術の確立に取り組んだ。Eu 発光波長に近い621.5 nmで最大反射率98.1 %を示すn型DBR の作製に成功した。
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| 現在までの達成度 (段落) |
平成30年度が最終年度であるため、記入しない。
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| 今後の研究の推進方策 |
平成30年度が最終年度であるため、記入しない。
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