| 研究課題/領域番号 |
17H01313
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| 研究種目 |
基盤研究(A)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
金属物性・材料
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| 研究機関 | 国立研究開発法人物質・材料研究機構 |
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研究代表者 |
宝野 和博 国立研究開発法人物質・材料研究機構, 磁性・スピントロニクス材料研究拠点, フェロー・拠点長 (60229151)
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| 研究分担者 |
三浦 良雄 京都工芸繊維大学, 電気電子工学系, 准教授 (10361198)
桜庭 裕弥 国立研究開発法人物質・材料研究機構, 磁性・スピントロニクス材料研究拠点, 主任研究員 (10451618)
佐々木 泰祐 国立研究開発法人物質・材料研究機構, 磁性・スピントロニクス材料研究拠点, 主任研究員 (30615993)
中谷 友也 国立研究開発法人物質・材料研究機構, 磁性・スピントロニクス材料研究拠点, 主任研究員 (60782646)
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| 研究期間 (年度) |
2017-04-01 – 2018-03-31
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| 研究課題ステータス |
中途終了 (2017年度)
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| 配分額 *注記 |
45,240千円 (直接経費: 34,800千円、間接経費: 10,440千円)
2017年度: 27,040千円 (直接経費: 20,800千円、間接経費: 6,240千円)
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| キーワード | CPP-GMR / ホイスラー合金 / 高スピン分極率 / ハーフメタル / CPPGMR |
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| 研究実績の概要 |
電流面直巨大磁気抵抗（CPP-GMR）はトンネル磁気抵抗に比べ、面積抵抗（RA）が1 桁以上小さく、ハードディスクドライブの再生ヘッドセンサーへの応用が期待される。CPP-GMR 出力の増大のために、低いアニール温度で高い規則性を持つホイスラー合金を用いることが必要である。本研究ではCoFeMnGe合金に着目し下地層、アニール温度とB2型規則度との関連を調べた。
SPring8において放射光を用いた異常分散X線回折を行い、下地層としてアモルファスCoFeTaB合金を用いることにより、多結晶CoFeMnGeについて、アニール時のCo-Fe間の規則度が増大することがわかった。スペーサー層に比較的高電気抵抗の導電性酸化物を用いたAg/InZnO(IZO)/Zn の積層構造を用いてCPP-GMR素子を作成した。その結果、RA を70～120 mΩ μm2、ΔR/R を15%以上に増大することができた。透過電子顕微鏡を用いた解析の結果、アニールによってスペーサー層のAgとIZO間に拡散が起こり、Ag がIZO スペーサー中に不均一に分布し面直電流はAg 濃度の高い部分を選択的に流れることが予想される。すなわち、不均一な電流分布が、RA とΔR/R の増大の起源であると考えられる。
基盤（S）課題番号17H06152の交付決定に伴い、重複受給が認められないため廃止した。本課題の研究は基盤（S）の課題に引き継いで行う。
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| 現在までの達成度 (段落) |
29年度が最終年度であるため、記入しない。
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| 今後の研究の推進方策 |
29年度が最終年度であるため、記入しない。
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