| 研究課題/領域番号 |
17H02760
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
応用物性
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| 研究機関 | 千葉大学 |
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研究代表者 |
工藤 一浩 千葉大学, 大学院工学研究院, 教授 (10195456)
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| 研究分担者 |
岡田 悠悟 千葉大学, 先進科学センター, 特任助教 (50756062)
酒井 正俊 千葉大学, 大学院工学研究院, 准教授 (60332219)
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| 研究期間 (年度) |
2017-04-01 – 2020-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2019年度)
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| 配分額 *注記 |
17,550千円 (直接経費: 13,500千円、間接経費: 4,050千円)
2019年度: 2,340千円 (直接経費: 1,800千円、間接経費: 540千円)
2018年度: 7,540千円 (直接経費: 5,800千円、間接経費: 1,740千円)
2017年度: 7,670千円 (直接経費: 5,900千円、間接経費: 1,770千円)
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| キーワード | 強相関電子系 / 金属－絶縁体転移 / 電荷秩序相 / 相転移型トランジスタ / BEDT-TTF / 有機電荷移動錯体 / ラミネーションコンタクト / 4端子FET測定 / 強相関 / 有機エレクトロニクス / フレキシブルエレクトロニクス / 金属-絶縁体転移 / フレキシブル / 分子性固体 / 強相関エレクトロニクス / マイクロ・ナノデバイス / 有機導体 / 電子・電気材料 |
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| 研究成果の概要 |
有機電荷秩序材料の単結晶を本研究で開発したラミネーションコンタクト電極を結晶の表面に貼り付けることによって4端子電界効果トランジスタ特性の温度依存性の測定を行った。α-(BEDT-TTF)2I3を用いた場合、バルクの金属－絶縁体相転移温度である140K 以下の温度域において閾電圧以上のゲート電圧を印加すると急激なコンダクタンスの増大が観測され、ゲート電圧の印加によって金属－絶縁体相転移に起因する相転移型トランジスタの動作を実証した。
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| 研究成果の学術的意義や社会的意義 |
本研究成果の学術的な意義は、有機電荷秩序物質を用いて電界効果トランジスタ構造を作ることによって、ゲート電界により注入された余剰キャリアの効果により金属―絶縁体相転移を制御することができることを初めて明確に示したことである。また、テクニカルな意義として、4端子ラミネーションコンタクト電極を考案し、これまで技術的にハードルが高かった有機微結晶の4端子電気測定および4端子電界効果トランジスタ測定が容易に実行できるようになった。この分野の電子物性探索に寄与することが期待される。
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