研究課題
基盤研究(B)
共役系高分子、グラフェンなどのπ電子系物質は様々な光・電子デバイスへの応用が検討されている。電圧印加状態の電子状態の解明を目的に、共役系高分子、単層グラフェンをイオン液体デバイスによりドーピングしてラマン散乱測定を行った。共役系高分子においては、振動ラマン信号のみならず電子状態を反映したラマン信号の変化もとらえ解析した。単層グラフェンにおいては電子状態と格子振動の結合の振舞いを明らかにした。
π電子系物質を用いたデバイスの動作状態について、基礎的な観点から電子状態、格子の状態を明らかにすることは、現在、様々な観点から行われているπ電子デバイス開発の一つの指針を与えることになると考えられる。また、イオン液体を用いた物性制御が幅広く試みられており、この制御された状態に関する知見は、今後のイオン液体を使ったπ電子デバイスなどの研究開発における基礎的な情報として重要である。
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The Journal of Physical Chemistry C
巻: 124 号: 48 ページ: 26428-26433
10.1021/acs.jpcc.0c06566
