研究課題/領域番号 |
17H02783
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研究種目 |
基盤研究(B)
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配分区分 | 補助金 |
応募区分 | 一般 |
研究分野 |
薄膜・表面界面物性
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研究機関 | 東京大学 |
研究代表者 |
高橋 琢二 東京大学, 生産技術研究所, 教授 (20222086)
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研究期間 (年度) |
2017-04-01 – 2021-03-31
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研究課題ステータス |
完了 (2021年度)
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配分額 *注記 |
17,550千円 (直接経費: 13,500千円、間接経費: 4,050千円)
2020年度: 3,380千円 (直接経費: 2,600千円、間接経費: 780千円)
2019年度: 3,900千円 (直接経費: 3,000千円、間接経費: 900千円)
2018年度: 4,290千円 (直接経費: 3,300千円、間接経費: 990千円)
2017年度: 5,980千円 (直接経費: 4,600千円、間接経費: 1,380千円)
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キーワード | ナノプローブ / 多元系化合物半導体 / 太陽電池 / 光励起キャリア / 光起電力 / 再結合プロセス |
研究成果の概要 |
光照射ケルビン・プローブ・フォース顕微鏡(P-KFM)や光熱モード原子間力顕微鏡(PT-AFM)などの光援用ナノプローブ技術を開発・改良するとともに、それらを利用して、Cu(In,Ga)(S,Se)2などの多元系化合物半導体太陽電池材料における光誘起キャリアのダイナミクス、特にそれらの再結合プロセスの解明を進めた。また、光容量AFM(PCap-AFM)を構築するための基礎となる多重周波数変調静電引力顕微鏡技術の開発を行い、同種太陽電池材料での実測を通じて、同手法の妥当性の確認を行った。
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研究成果の学術的意義や社会的意義 |
多くの場合に微結晶系となる太陽電池用多元系化合物半導体に対して、局所計測が可能な光援用ナノプローブ技術を適用することによって、結晶粒界が光励起キャリアの再結合プロセスに与える影響などの微視的な知見を得るといった学術的な成果を上げた。また、それらの知見は、同種太陽電池の将来的な特性改善への貢献が期待されるといった社会的な意義も持っている。
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