| 研究課題/領域番号 |
17H02786
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
薄膜・表面界面物性
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| 研究機関 | 金沢大学 |
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研究代表者 |
徳田 規夫 金沢大学, ナノマテリアル研究所, 教授 (80462860)
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| 研究分担者 |
加藤 宙光 国立研究開発法人産業技術総合研究所, エネルギー・環境領域, 主任研究員 (00415655)
大曲 新矢 国立研究開発法人産業技術総合研究所, エネルギー・環境領域, 主任研究員 (40712211)
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| 研究期間 (年度) |
2017-04-01 – 2020-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2019年度)
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| 配分額 *注記 |
18,070千円 (直接経費: 13,900千円、間接経費: 4,170千円)
2019年度: 4,290千円 (直接経費: 3,300千円、間接経費: 990千円)
2018年度: 4,290千円 (直接経費: 3,300千円、間接経費: 990千円)
2017年度: 9,490千円 (直接経費: 7,300千円、間接経費: 2,190千円)
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| キーワード | 表面・界面物性 / ダイヤモンド |
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| 研究成果の概要 |
ダイヤモンドは、様々な分野で用いられているパワーデバイスとして最も高い省エネ効果が期待されている半導体材料である。本研究で得られた主な成果は、①縦型ダイヤモンドMOSFET構造作製のための、炭素固溶反応を用いたV字及びU字トレンチ構造形成プロセスの開発、②低チャネル移動度の原因となっているAl2O3/ダイヤモンド界面における界面準位密度の定量評価、③界面準密度の低減プロセスの開発である。
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| 研究成果の学術的意義や社会的意義 |
本研究成果は、主にダイヤモンド、広くは炭素に関するマテリアルサイエンスの発展、そしてデバイス応用が期待される。ダイヤモンドはパワーデバイスだけでなく、量子デバイス/センサ応用も期待されており、ダイヤモンドを用いたパワー・量子デバイスの実用化により、次世代ダイヤモンドエレクトロニクス及びその産業の創出、そして省エネ・低炭素社会及びSociety 5.0の実現への貢献が期待される。
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