| 研究課題/領域番号 |
17H03147
|
|---|
| 研究種目 |
基盤研究(B)
|
| 配分区分 | 補助金 |
|---|
| 応募区分 | 一般 |
|---|
| 研究分野 |
機械材料・材料力学
|
|---|
| 研究機関 | 徳島大学 |
|---|
研究代表者 |
富田 卓朗 徳島大学, 大学院社会産業理工学研究部(理工学域), 准教授 (90359547)
|
|---|
| 研究分担者 |
岡田 達也 徳島大学, 大学院社会産業理工学研究部(理工学域), 教授 (20281165)
直井 美貴 徳島大学, 大学院社会産業理工学研究部(理工学域), 教授 (90253228)
山口 誠 秋田大学, 理工学研究科, 准教授 (90329863)
|
|---|
| 研究期間 (年度) |
2017-04-01 – 2020-03-31
|
| 研究課題ステータス |
完了 (2019年度)
|
| 配分額 *注記 |
17,420千円 (直接経費: 13,400千円、間接経費: 4,020千円)
2019年度: 3,770千円 (直接経費: 2,900千円、間接経費: 870千円)
2018年度: 4,160千円 (直接経費: 3,200千円、間接経費: 960千円)
2017年度: 9,490千円 (直接経費: 7,300千円、間接経費: 2,190千円)
|
|---|
| キーワード | フェムト秒レーザー / レーザー加工・改質 / シリコンカーバイド / 窒化ガリウム / 金属電極 / ワイドバンドギャップ半導体 / ダイアモンド / レーザー合金化 / 界面合金化 / オーミック電極 / 窒化物半導体 / レーザーアニール |
|---|
| 研究成果の概要 |
本研究では、フェムト秒レーザー光照射により、金属とシリコンカーバイド及び窒化ガリウム間にオーミック接触を作製することを目標とした。レーザー照射には二通りの方法を用いた。一つは、試料表面からレーザー照射を行い、それから電極を蒸着する手法である。もう一つは、先に電極を蒸着してから半導体側からレーザーを照射する手法である。これらの手法を用いることで比較的低温の熱アニールもしくは熱アニールを必要としないオーミック電極の作製に成功した。
|
| 研究成果の学術的意義や社会的意義 |
本研究により、フェムト秒レーザー光をワイドバンドギャップ半導体の表面に照射してから電極を蒸着する方法とワイドバンドギャップ半導体に電極を蒸着してからフェムト秒レーザー光を界面に照射する方法の両方においてオーミック電極作製することに成功した。これらの結果は、シリコンカーバイドや窒化ガリウムに電極を作製する上で簡便かつ自由度の高い方法を提案したことになる。今後、更なる低抵抗電極を実現できれば、ワイドバンドギャップデバイスの性能向上へ大きく繋がることが期待できる。
|
