| 研究課題/領域番号 |
17H03229
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
電子・電気材料工学
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| 研究機関 | 東京大学 |
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研究代表者 |
J・J Delaunay 東京大学, 大学院工学系研究科(工学部), 准教授 (80376516)
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| 研究分担者 |
松井 裕章 東京大学, 大学院工学系研究科(工学部), 准教授 (80397752)
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| 研究期間 (年度) |
2017-04-01 – 2020-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2019年度)
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| 配分額 *注記 |
18,330千円 (直接経費: 14,100千円、間接経費: 4,230千円)
2019年度: 1,430千円 (直接経費: 1,100千円、間接経費: 330千円)
2018年度: 5,200千円 (直接経費: 4,000千円、間接経費: 1,200千円)
2017年度: 11,700千円 (直接経費: 9,000千円、間接経費: 2,700千円)
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| キーワード | プラズモニクス / 光デバイス / ナノ材料 / plasmonics / laser / subwavelength / light source / nanostructures / 電気・電子材料 |
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| 研究成果の概要 |
プラズモニクスレーザーは、ナノスケールでのレーザー源として有望である。現在主流である半導体ナノワイヤはボトムアップの技術による合成後、金属表面にトランスファーする方法は、煩雑さによりオンチップデバイスへの実現性が乏しい。本研究では、トランスファー工程が不要なトップダウン技術で製造されるプラズモニクスナノレーザーを実現し、オンチップ回路の製造要件に適応させる。さらに、レーザー利得媒質の上部にあるプラズモニクス金属層を用いる設計により、フォトン‐エキシトン‐プラズモン間のエネルギー交換を効率化し、低発振閾値で330Kまでの紫外線領域におけるレーザー発振を実現した。
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| 研究成果の学術的意義や社会的意義 |
We propose a nanolaser plasmonic structure with very efficient light confinement at subwavelength dimensions. This nanosize light source circuit can be fabricated on a chip by top-down techniques and therefore offers a means to integrate optical nano-circuits on a large scale.
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