| 研究課題/領域番号 |
17H03234
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
電子・電気材料工学
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| 研究機関 | 岐阜大学 |
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研究代表者 |
久米 徹二 岐阜大学, 工学部, 教授 (30293541)
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| 研究分担者 |
福山 敦彦 宮崎大学, 工学部, 教授 (10264368)
鵜殿 治彦 茨城大学, 理工学研究科(工学野), 教授 (10282279)
大橋 史隆 岐阜大学, 工学部, 准教授 (20613087)
今井 基晴 国立研究開発法人物質・材料研究機構, 機能性材料研究拠点, 上席研究員 (90354159)
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| 研究期間 (年度) |
2017-04-01 – 2021-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2020年度)
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| 配分額 *注記 |
17,940千円 (直接経費: 13,800千円、間接経費: 4,140千円)
2020年度: 2,860千円 (直接経費: 2,200千円、間接経費: 660千円)
2019年度: 3,120千円 (直接経費: 2,400千円、間接経費: 720千円)
2018年度: 2,730千円 (直接経費: 2,100千円、間接経費: 630千円)
2017年度: 9,230千円 (直接経費: 7,100千円、間接経費: 2,130千円)
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| キーワード | 半導体クラスレート / 薄膜II型クラスレート / IV族元素 / IV族半導体クラスレート / 電子・電気材料 / 太陽電池 / クラスレート / クラスレート薄膜 / 薄膜 |
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| 研究成果の概要 |
本研究課題の成果は、次世代半導体材料として期待されるSiGeクラスレートについて以下の4つの点において新たな知見を得たことである。1.初めて透明（絶縁）基板上にGeクラスレート薄膜を形成し、光透過スペクトルを明らかにした。2.SiGe混晶クラスレートの作製に成功し、その最適な合成条件、結晶構造について情報が得られた。3.新しいクラスレート薄膜作製手法を提案し、より高品質な薄膜を短時間での作製に成功した。4.クラスレート薄膜の形成に重要なパラメータを理解した。
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| 研究成果の学術的意義や社会的意義 |
半導体産業の根幹をなしているIV族元素Si、Geの新しい結晶構造であるクラスレートは、古くから注目されてきた材料の一つである。本課題により、クラスレートの薄膜状合成に道筋を得たことで、今後この物性を実験的に調べることが可能になった。通常のダイヤモンド構造よりも優れるとされるクラスレートの太陽電池材料としての可能性を見出すことになれば、従来にない安価で高性能の太陽電池材料として半導体産業に大きなインパクトを与えることになる。
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