| 研究課題/領域番号 |
17H03238
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
電子・電気材料工学
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| 研究機関 | 大阪府立大学 |
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研究代表者 |
永瀬 隆 大阪府立大学, 工学(系)研究科(研究院), 准教授 (00399536)
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| 研究期間 (年度) |
2017-04-01 – 2020-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2019年度)
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| 配分額 *注記 |
14,560千円 (直接経費: 11,200千円、間接経費: 3,360千円)
2019年度: 2,340千円 (直接経費: 1,800千円、間接経費: 540千円)
2018年度: 3,380千円 (直接経費: 2,600千円、間接経費: 780千円)
2017年度: 8,840千円 (直接経費: 6,800千円、間接経費: 2,040千円)
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| キーワード | 有機トランジスタ / 可溶性有機半導体 / トップゲート構造 / 有機メモリ / フローティングゲート / 電子デバイス・機器 / 電子・電気材料 / 機能デバイス / 溶液プロセス |
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| 研究成果の概要 |
印刷技術を用いたフレキシブルデバイスの実用化において、溶液プロセスで作製できる有機電界効果トランジスタ（有機FET）の高性能化や機能デバイスの開発が求められている。本研究では、トップゲート構造を有する有機FETの塗布成膜で生じる可溶性有機半導体の自己組織化を利用した動作性能の改善や不揮発性メモリの開発を検討した。スピンコート成膜から作製した有機FETで高移動度 (10 cm2/Vs) を得られることを示し、また自己凝集した有機半導体をフローティングゲートとして機能させることで不揮発性メモリ動作が可能となることを明らかにした。
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| 研究成果の学術的意義や社会的意義 |
有機フレキシブルデバイスの開発に溶液プロセスを用いた有機FETを利用する利点は、製造コストの低減以外に高移動度化が可能になることにもある。これは、溶液プロセスを用いる膜形成過程では溶媒揮発を伴うことで結晶成長が促進されるためである。本研究では、集積回路作製で求められる有機FETのチャネル長の縮小化に適したトップゲート塗布型有機FETの高移動度化を達成し、また従来困難とされている不揮発性有機FETメモリの溶液プロセスによる作製に成功した。これらの知見を活用することで、印刷技術を用いた有機集積回路や無線情報タグ、各種センサデバイスの研究開発の進展が期待できる。
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