研究課題
基盤研究(B)
磁性膜と重金属膜のヘテロ界面にはジャロシンスキー守谷相互作用とスピンホール効果が発現し、スピントロニクスデバイスの新たな駆動原理として期待されている。しかし、これは界面効果であるため界面数nmにしか及ばず応用上の問題であった。そこで、希土類金属と遷移金属からなるRE-TM磁性膜と重金属膜を積層した磁性細線を作成し、電流磁壁駆動の実験を行ったところ、驚いたことにこの界面効果がTbCoでは15nm程度、GdFeCoでは500nm以上にまで及ぶことがわかった。このバルク的に利用可能なバルクスピン軌道トルクは高機能省電力メモリやロジック等の新たなスピンエレクトロニクス技術への応用展開が期待できる。
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