| 研究課題/領域番号 |
17H03249
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
電子デバイス・電子機器
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| 研究機関 | 名古屋大学 |
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研究代表者 |
岩田 聡 名古屋大学, 未来材料・システム研究所, 教授 (60151742)
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| 研究分担者 |
加藤 剛志 名古屋大学, 工学研究科, 准教授 (50303665)
大島 大輝 名古屋大学, 未来材料・システム研究所, 助教 (60736528)
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| 研究期間 (年度) |
2017-04-01 – 2020-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2019年度)
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| 配分額 *注記 |
18,070千円 (直接経費: 13,900千円、間接経費: 4,170千円)
2019年度: 3,380千円 (直接経費: 2,600千円、間接経費: 780千円)
2018年度: 5,200千円 (直接経費: 4,000千円、間接経費: 1,200千円)
2017年度: 9,490千円 (直接経費: 7,300千円、間接経費: 2,190千円)
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| キーワード | 巨大磁気抵抗効果 / スピンバルブ膜 / 反強磁性NiO層 / 磁気異方性 / 磁歪現象 / スピンホール効果 / スピン流 / 歪みセンサ / NiO反強磁性層 / 磁気センサ / ビラリ効果 / 磁歪の逆効果 / 磁化自由層 / スピンバルブ構造 / 一方向異方性 / 触覚センサ |
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| 研究成果の概要 |
巨大磁気抵抗効果と磁歪の逆効果を利用した歪みセンサの開発を行なった。高感度かつ環境磁界による影響のない歪みセンサを実現するためには，磁化自由層の磁化方向を交流的に変調して，外部磁界の影響を取り除くことが有効であることを明らかにした。次に電力消費を低減するために，スピンホール効果を利用して磁化方向を制御する素子の開発を行なった。センサ素子は，スピンホール効果を発現するTa/FeCo，スピンバルブ膜および，両者を交換結合する反強磁性NiO層から成る構造とした。スピンホール効果によるスピン流により磁化自由層の磁化反転が観測され，スピンホール効果による磁化自由層の磁化方向制御の可能性が示された。
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| 研究成果の学術的意義や社会的意義 |
本研究で開発を進めた歪みセンサは，マイクロサイズに微細化できることから，これをアレイ状に配列した触覚センサへの応用が考えられる。ロボットの指先の繊細な感覚をフィードバックすることを可能とする触覚センサは，介護ロボットなどにおいて求められている機能である。
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