研究課題/領域番号 |
17H03377
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研究種目 |
基盤研究(B)
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配分区分 | 補助金 |
応募区分 | 一般 |
研究分野 |
金属物性・材料
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研究機関 | 名古屋大学 |
研究代表者 |
谷山 智康 名古屋大学, 理学研究科, 教授 (10302960)
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研究期間 (年度) |
2017-04-01 – 2020-03-31
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研究課題ステータス |
完了 (2019年度)
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配分額 *注記 |
18,200千円 (直接経費: 14,000千円、間接経費: 4,200千円)
2019年度: 3,900千円 (直接経費: 3,000千円、間接経費: 900千円)
2018年度: 3,900千円 (直接経費: 3,000千円、間接経費: 900千円)
2017年度: 10,400千円 (直接経費: 8,000千円、間接経費: 2,400千円)
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キーワード | スピントロニクス / 反強磁性 / 界面 / 磁性規則合金 / 磁性 / スピンエレクトロニクス |
研究成果の概要 |
反強磁性から強磁性への磁気相転移を示すFeRh規則合金に焦点を当て、その磁気特性に対する4d, 5d元素極薄膜の被覆効果と強誘電体とのヘテロ界面における歪効果について調査した。その結果、4d, 5d元素極薄膜の被覆がFeRh規則合金薄膜の反強磁性秩序を安定化することを明らかにした。さらに、強磁性領域においては、電界により誘起された界面格子歪が磁気異方性を変調することが明らかとなった。これらの研究成果は、反強磁性スピントロニクスにおける新たな機能創出に繋がる重要な知見と言える。
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研究成果の学術的意義や社会的意義 |
反強磁性体の磁性制御とそのための学理構築は、外部磁場や電磁波に対して強固な耐性をも持つ革新的磁気機能を創出する上で極めて重要である。本研究において得られた原子層被覆に伴う反強磁性秩序の安定化に関する知見は、界面における格子変調や軌道混成効果と磁気秩序の相関に関する物理的情報を提供するという学術意義に止まらず、界面歪を外部制御することで実現可能な新たな低消費電力反強磁性スピントロニクス技術を創出するという観点からも大きな社会的意義を有している。
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