研究課題/領域番号 |
17H03440
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研究種目 |
基盤研究(B)
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配分区分 | 補助金 |
応募区分 | 一般 |
研究分野 |
化工物性・移動操作・単位操作
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研究機関 | 金沢大学 |
研究代表者 |
内田 博久 金沢大学, フロンティア工学系, 教授 (70313294)
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研究分担者 |
田村 和弘 金沢大学, 機械工学系, 教授 (20143878)
春木 将司 金沢大学, 機械工学系, 准教授 (90432682)
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研究期間 (年度) |
2017-04-01 – 2020-03-31
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研究課題ステータス |
完了 (2019年度)
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配分額 *注記 |
17,940千円 (直接経費: 13,800千円、間接経費: 4,140千円)
2019年度: 3,250千円 (直接経費: 2,500千円、間接経費: 750千円)
2018年度: 4,290千円 (直接経費: 3,300千円、間接経費: 990千円)
2017年度: 10,400千円 (直接経費: 8,000千円、間接経費: 2,400千円)
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キーワード | 製膜 / 有機薄膜 / 噴霧晶析 / 超臨界二酸化炭素 / 薄膜設計 / 結晶成長 / 有機薄膜トランジスタ / 溶解度 / TIPSペンタセン / テトラセン |
研究成果の概要 |
本研究では,我々が考案した「超臨界二酸化炭素を用いた噴霧晶析法による有機製膜技術」による高性能有機半導体デバイスを実現可能な有機薄膜創製を目標として,本技術による有機製膜機構の解明とその成果に基づいた有機薄膜の自由設計(薄膜設計)技術の開発を行った。具体的には,有機薄膜特性に及ぼす種々の操作因子の影響を系統的に調査し,有機製膜機構の解明に繋がる基礎的知見の蓄積を行い,薄膜設計指針を明らかにした。さらに,製膜機構の解明や薄膜設計技術立案への基礎的知見として必要不可欠な超臨界二酸化炭素に対する有機半導体材料の溶解度の測定と推算モデル開発を実施した。
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研究成果の学術的意義や社会的意義 |
本研究は,省エネルギー・環境調和型,低コスト,高生産性,高汎用性(大面積対応・様々な基板利用可能)という特徴を有した独創的かつ革新的な製膜技術による有機半導体薄膜の創製を実施したものであり,その過程で有機製膜機構の解明や超臨界二酸化炭素に対する有機半導体材料の溶解度を始めとする多くの学術的課題を解明した。さらに,本技術を発展させることによって高性能有機半導体が製造可能になった場合,世界の有機エレクトロニクス分野において先導的立場の一翼を担うことができると考える。
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