| 研究課題/領域番号 |
17H04846
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| 研究種目 |
若手研究(A)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 研究分野 |
物性Ⅰ
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| 研究機関 | 国立研究開発法人理化学研究所 |
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研究代表者 |
吉見 龍太郎 国立研究開発法人理化学研究所, 創発物性科学研究センター, 特別研究員 (40780143)
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| 研究期間 (年度) |
2017-04-01 – 2020-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2019年度)
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| 配分額 *注記 |
25,870千円 (直接経費: 19,900千円、間接経費: 5,970千円)
2019年度: 2,080千円 (直接経費: 1,600千円、間接経費: 480千円)
2018年度: 4,030千円 (直接経費: 3,100千円、間接経費: 930千円)
2017年度: 19,760千円 (直接経費: 15,200千円、間接経費: 4,560千円)
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| キーワード | ラシュバ半導体 / 強磁性 / 電流誘起磁化反転 / スピントロニクス / 異常ホール効果 / ラシュバ効果 / マルチフェロイクス / 磁性半導体 / 物性実験 / ラシュバ系 |
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| 研究成果の概要 |
強誘電性によって空間反転対称性が破れた強磁性バルクラシュバ半導体(Ge,Mn)Teに着目して、電場印加による強誘電反転を通じて電荷スピン変換の極性制御を試みた。分子線エピタキシー法によって作製した(Ge,Mn)Te薄膜において電流誘起磁化反転を観測し、スピン偏極したバルクバンドのスピントロニクス特性を明らかにした。また、薄膜成長技術を詳細に調べることで試料内のキャリヤー濃度を制御する方法を確立し、電場による強誘電分極反転に筋道をつけた。
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| 研究成果の学術的意義や社会的意義 |
伝導電子によってスピン角運動量を生成するスピン電荷変換はこれまで数多く研究がなされてきたが、スピン角運動量の向きを電場によって変換する試みはこれまで行われてこなかった。本研究は強磁性ラシュバ半導体に着目してそのスピントロニクス特性を開発しただけでなく、上述の電場制御にまでアプローチした点において社会的意義がある。
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