| 研究課題/領域番号 |
17H04919
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| 研究種目 |
若手研究(A)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 研究分野 |
電子・電気材料工学
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| 研究機関 | 名古屋大学 |
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研究代表者 |
黒澤 昌志 名古屋大学, 工学研究科, 講師 (40715439)
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| 研究期間 (年度) |
2017-04-01 – 2020-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2019年度)
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| 配分額 *注記 |
24,310千円 (直接経費: 18,700千円、間接経費: 5,610千円)
2019年度: 4,030千円 (直接経費: 3,100千円、間接経費: 930千円)
2018年度: 3,900千円 (直接経費: 3,000千円、間接経費: 900千円)
2017年度: 16,380千円 (直接経費: 12,600千円、間接経費: 3,780千円)
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| キーワード | ゲルマニウムスズ / 結晶成長 / n型ドーピング / MOSFET / 偏析溶融成長 / その場観察 / IV族混晶 |
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| 研究成果の概要 |
本研究では、ゲルマニウムスズワイヤを用いたＭＯＳ型電界効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）の創製に向けて、デバイス形成に必要な基盤技術である（１）絶縁膜上におけるゲルマニウムスズワイヤの形成および電子物性評価、（２）高濃度ｎ型ドーピング技術を構築した。加えて、（３）ＭＯＳＦＥＴや熱電素子の試作も行い、ゲルマニウムスズの基礎的な各種物性値（電子物性、熱物性に関するＳｎ組成依存性など）を得た。
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| 研究成果の学術的意義や社会的意義 |
本研究では、ゲルマニウムスズの基礎的な電子物性や熱物性を明らかにしたことに加え、ゲルマニウム系で困難とされてきた高濃度n型ドーピング手法の開発を行った。これらは、他の半導体デバイス（熱電素子や光学素子など）への応用が可能である。加えて、本研究がターゲットとするゲルマニウムスズは、デバイス応用、集積化の観点から最も有力視されているIV族元素で構成されているため、シリコン大規模集積回路などへの産業応用上の基盤になりうると期待できる。
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