| 研究課題/領域番号 |
17H04925
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| 研究種目 |
若手研究(A)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 研究分野 |
電子デバイス・電子機器
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| 研究機関 | 九州大学 |
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研究代表者 |
多喜川 良 九州大学, システム情報科学研究院, 助教 (80706846)
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| 研究期間 (年度) |
2017-04-01 – 2020-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2019年度)
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| 配分額 *注記 |
24,310千円 (直接経費: 18,700千円、間接経費: 5,610千円)
2019年度: 2,600千円 (直接経費: 2,000千円、間接経費: 600千円)
2018年度: 5,850千円 (直接経費: 4,500千円、間接経費: 1,350千円)
2017年度: 15,860千円 (直接経費: 12,200千円、間接経費: 3,660千円)
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| キーワード | 常温接合 / 導波路切削加工 / LNOI / 異種材料集積 / LN/Siハイブリッド構造 / LNOI光集積回路 / LNOIリング共振器 / LNOI/Siハイブリッド構造 / 光実装 / ハイブリッド光導波路 / LN/Siフォトニクス / 切削導波路加工 / LiNbO3/Si集積化 / 小型・低消費電力光デバイス / 強誘電体/半導体融合デバイス / ハイブリッド光導波路型デバイス / 常温移載接合 / 大気中接合・加工 / 光マイクロシステム / ナノ切削加工 / 大気中微細加工・接合 |
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| 研究成果の概要 |
ニオブ酸リチウム（LN）結晶に切削加工を適用し、強い光閉じ込めを可能とするLNOI光導波路を作製し、これをSiプラットフォーム上へ常温接合し集積化することに成功した。LN結晶の導波路切削加工条件の明確化を行い、低損失LNOI(直線・曲げ・マイクロリング型)作製を実証した。また、表面活性化接合法というアプローチから新しい常温接合技術の開発を行い、熱膨張係数が一桁異なるSi上へのLNOI光導波路集積・実装を実現した。
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| 研究成果の学術的意義や社会的意義 |
本研究成果により、光通信等の幅広い分野で利用されるニオブ酸リチウム(LN)光デバイスの大幅な小型・低消費電力・高効率化とともにこれを常温接合することでSiプラットフォーム上への集積・実装の道を拓いた。LN高速光変調器に展開した場合、将来のLSIチップ間・内の大容量・低消費電力データ伝送に役立つ可能性があり、電子機器の性能向上に繋がる。また、提案する導波路切削加工の確立と常温接合のメカニズム解明は学術的な意義のみならず、将来の広範なマイクロデバイス基盤製造技術としての展開も期待できる。
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