ラマン分光オペランド測定による極微細熱電発電Ｓｉナノワイヤデバイスの熱伝導率評価

• 研究課題/領域番号: 17J08240
• 研究種目: 特別研究員奨励費
• 配分区分: 補助金
• 応募区分: 国内
• 研究分野: 電子・電気材料工学
• 研究機関: 明治大学
• 研究代表者: 横川 凌 明治大学, 理工学研究科, 特別研究員(DC1)
• 研究期間 (年度): 2017-04-26 – 2020-03-31
• 研究課題ステータス: 完了 (2019年度)
• 配分額: 300千円 (直接経費: 300千円); 2019年度: 100千円 (直接経費: 100千円); 2018年度: 100千円 (直接経費: 100千円); 2017年度: 100千円 (直接経費: 100千円)
• キーワード: ラマン分光法 / Siナノワイヤ / 熱電発電デバイス / SiO2 / ストークス・アンチストークスラマン散乱 / 分子動力学法(MD)

研究実績の概要

今年度は極微細熱電発電Siナノワイヤデバイスにおける極微小領域の温度分布評価実現のため、ラマン分光オペランド測定に取り組み、測定条件およびデバイスデザイン最適化を試みた。試料に局所的な温度勾配を形成することを目的として作製した温調プローバを顕微ラマン分光器に搭載することで、ラマン測定で得られる格子振動(フォノン)のエネルギー情報を元に、熱電発電Siナノワイヤデバイスの温度測定が可能かを検討した。また、Siナノワイヤに対する入射光の侵入長を抑えるため、UV励起光源を選択した。
ラマン分光オペランド測定を実施した結果、温調プローバの温度上昇に伴い、熱電発電Siナノワイヤデバイス内のSiナノワイヤに関するラマンシフト(光学フォノンモード)が徐々に低波数側へシフトすることが確認された。また、過去の文献で報告されているSiのラマンシフトと温度の関係式を用いて、Siナノワイヤの温度を算出した結果、温調プローバから誘起される熱が適切にSiナノワイヤ部分へ伝わっていることが明らかになった。更にSiナノワイヤの場所依存性も評価し、温調プローバから離れている箇所では熱伝導が遅延することを示した。
しかしながら、ある一定時間を過ぎると、試料全体が温まり局所的な温度勾配ができていないことも同時に明らかになった。この点に関しては、冷却試料ステージを導入することで改善できると考えている。本研究課題で得られた知見を元に、今後更なるラマン分光オペランド測定の高精度化が期待される。

現在までの達成度 (段落)

令和元年度が最終年度であるため、記入しない。

今後の研究の推進方策

令和元年度が最終年度であるため、記入しない。

研究成果

• [雑誌論文] Anisotropic biaxial stress evaluation in metal-organic chemical vapor deposition grown Ge1-Sn mesa structure by oil-immersion Raman spectroscopy (2020)
  • 著者名/発表者名: Kazutoshi Yoshioka, Ryo Yokogawa, Atsushi Ogura
  • 雑誌名: Thin Solid Films 巻: 697 ページ: 137797-137797
  • DOI: 10.1016/j.tsf.2020.137797
  • 査読あり
• [雑誌論文] Anisotropic Biaxial Strain Evaluation in Carbon-Doped Silicon Using Water-Immersion Raman Spectroscopy (2019)
  • 著者名/発表者名: Kazutoshi Yoshioka, Ryo Yokogawa, Naomi Sawamoto, Atsushi Ogura
  • 雑誌名: ECS Transactions 巻: 92 号: 4 ページ: 33-39
  • DOI: 10.1149/09204.0033ecst
  • 査読あり
• [雑誌論文] Evaluation of thermal conductivity characteristics in Si nanowire covered with oxide by UV Raman spectroscopy (2019)
  • 著者名/発表者名: Ryo Yokogawa, Motohiro Tomita, Takanobu Watanabe, Atsushi Ogura
  • 雑誌名: Japanese Journal of Applied Physics 巻: 58 号: SD ページ: SDDF04-SDDF04
  • DOI: 10.7567/1347-4065/ab0889
  • 査読あり
• [雑誌論文] Evaluations of minority carrier lifetime in floating zone Si affected by Si insulated gate bipolar transistor processes (2019)
  • 著者名/発表者名: Kobayashi Hiroto, Yokogawa Ryo, Kinoshita Kosuke, Numasawa Yohichiroh, Ogura Atsushi, Nishizawa Shin-ichi, Saraya Takuya, Ito Kazuo, Takakura Toshihiko, Suzuki Shin-ichi, Fukui Munetoshi, Takeuchi Kiyoshi, Hiramoto Toshiro
  • 雑誌名: Japanese Journal of Applied Physics 巻: 58 号: SB ページ: SBBD07-SBBD07
  • DOI: 10.7567/1347-4065/aafd90
  • 査読あり
• [雑誌論文] Evaluation of Laterally Graded Silicon Germanium Wires for Thermoelectric Devices Fabricated by Rapid Melting Growth (2018)
  • 著者名/発表者名: Yokogawa Ryo, Hashimoto Shuichiro, Takahashi Kouta, Oba Shunsuke, Tomita Motohiro, Kurosawa Masashi, Watanabe Takanobu, Ogura Atsushi
  • 雑誌名: ECS Transactions 巻: 86 号: 7 ページ: 87-93
  • DOI: 10.1149/08607.0087ecst
  • 査読あり
• [雑誌論文] Determination of phonon deformation potentials and strain-shift coefficients in Ge-rich Si1-xGex using bulk Ge-rich Si1-xGex crystals and oil-immersion Raman spectroscopy (2018)
  • 著者名/発表者名: Yokogawa Ryo, Takeuchi Kazuma, Murakami Tatsumi, Usuda Koji, Yonenaga Ichiro, Ogura Atsushi
  • 雑誌名: Japanese Journal of Applied Physics 巻: 57 号: 10 ページ: 106601-106601
  • DOI: 10.7567/jjap.57.106601
  • 査読あり
• [雑誌論文] Strain Evaluation of Laser-Annealed SiGe Thin Layers (2018)
  • 著者名/発表者名: Komago Shota, Murakami Tatsumi, Yoshioka Kazutoshi, Yokogawa Ryo, Borland John O, Kuroi Takashi, Tabata Toshiyuki, Huet Karim, Horiguchi Naoto, Ogura Atsushi
  • 雑誌名: ECS Transactions 巻: 86 号: 7 ページ: 59-65
  • DOI: 10.1149/08607.0059ecst
  • 査読あり
• [雑誌論文] Determination of Phonon Deformation Potentials in Carbon-Doped Silicon (2018)
  • 著者名/発表者名: Yoshioka Kazutoshi, Yokogawa Ryo, Murakami Tatsumi, Komago Shota, Sawamoto Naomi, Ogura Atsushi
  • 雑誌名: ECS Transactions 巻: 86 号: 7 ページ: 419-425
  • DOI: 10.1149/08607.0419ecst
  • 査読あり
• [雑誌論文] Evaluation of Anisotropic Three-Dimensional Strain Relaxation in Stripe-Shaped Ge1-xSnx Mesa Structure (2018)
  • 著者名/発表者名: Takahashi Yuki, Yokogawa Ryo, Murakami Tatsumi, Hirosawa Ichiro, Suda Kohei, Ogura Atsushi
  • 雑誌名: ECS Transactions 巻: 86 号: 7 ページ: 329-336
  • DOI: 10.1149/08607.0329ecst
  • 査読あり
• [雑誌論文] Miniaturized planar Si-nanowire micro-thermoelectric generator using exuded thermal field for power generation (2018)
  • 著者名/発表者名: Tianzhuo Zhan, Ryo Yamato, Shuichiro Hashimoto, Motohiro Tomita, Shunsuke Oba, Shunsuke, Yuya Himeda, Kohei Mesaki, Hiroki Takezawa, Ryo Yokogawa, Yibin Xu, Takashi Matsukawa, Atsushi Ogura, Yoshinari Kamakura, Takanobu Watanabe
  • 雑誌名: Science and Technology of Advanced Materials (STAM) 巻: 未定 号: 1 ページ: 443-453
  • DOI: 10.1080/14686996.2018.1460177
  • 査読あり / オープンアクセス
• [雑誌論文] Evaluation of Anisotropic Biaxial Stress Induced Around Trench Gate of Si Power Transistor Using Water-Immersion Raman Spectroscopy (2018)
  • 著者名/発表者名: Suzuki Takahiro, Yokogawa Ryo, Oasa Kohei, Nishiwaki Tatsuya, Hamamoto Takeshi, Ogura Atsushi
  • 雑誌名: Journal of Electronic Materials 巻: 47 号: 9 ページ: 5050-5055
  • DOI: 10.1007/s11664-018-6318-2
  • 査読あり
• [雑誌論文] Evaluation of controlled strain in silicon nanowire by UV Raman spectroscopy (2017)
  • 著者名/発表者名: Yokogawa Ryo、Hashimoto Shuichiro、Asada Shuhei、Tomita Motohiro、Watanabe Takanobu、Ogura Atsushi
  • 雑誌名: Japanese Journal of Applied Physics 巻: 56 号: 6S1 ページ: 06GG10-06GG10
  • DOI: 10.7567/jjap.56.06gg10
  • 査読あり / オープンアクセス
• [雑誌論文] Local anisotropic strain evaluation in thin Ge epitaxial film using SiGe stressortemplate grown on Ge substrate by selective ion implantation (2017)
  • 著者名/発表者名: K. Takeuchi, R. Yokogawa, S. Ishihara, S. Yamamoto, S. Konoshima, K. Sawano, and A. Ogura
  • 雑誌名: Japanese Journal of Applied Physics 巻: 56 号: 11 ページ: 110313-110313
  • DOI: 10.7567/jjap.56.110313
  • 査読あり
• [雑誌論文] Enhanced nickelidation rate in silicon nanowires with interfacial lattice disorder (2017)
  • 著者名/発表者名: Hashimoto Shuichiro、Yokogawa Ryo、Oba Shunsuke、Asada Shuhei、Xu Taiyu、Tomita Motohiro、Ogura Atsushi、Matsukawa Takashi、Masahara Meishoku、Watanabe Takanobu
  • 雑誌名: Journal of Applied Physics 巻: 122 号: 14 ページ: 144305-144305
  • DOI: 10.1063/1.4999195
  • 査読あり / オープンアクセス
• [雑誌論文] Probing spatial heterogeneity in silicon thin films by Raman spectroscopy (2017)
  • 著者名/発表者名: H. Yamazaki, M. Koike, M. Saitoh, M. Tomita, R. Yokogawa, N. Sawamoto, M. Tomita, D. Kosemura, and A. Ogura
  • 雑誌名: Scientific Reports 巻: 7 号: 1
  • DOI: 10.1038/s41598-017-16724-4
  • 査読あり / オープンアクセス
• [学会発表] 液浸ラマン分光法を用いたMoS2のキャリア濃度評価 (2020)
  • 著者名/発表者名: 小柳有矢, 日比野祐介, 横川凌, 若林整, 小椋厚志
  • 学会等名: 第67回応用物理学会春季学術講演会
• [学会発表] X線非弾性散乱法によるBulk SiGe単結晶フォノン分散曲線の測定 (2020)
  • 著者名/発表者名: 横川凌, 竹内悠希, 荒井康智, 米永一郎, 内山裕士, 小椋厚志
  • 学会等名: 第67回応用物理学会春季学術講演会
• [学会発表] ラマン分光法による多結晶シリコン粒内のナノ結晶構造が及ぼす熱伝導特性評価(Ⅱ) (2020)
  • 著者名/発表者名: 竹内悠希, 横川凌, 高橋和也, 小森克彦, 森本保, 澤本直美, 小椋厚志
  • 学会等名: 第67回応用物理学会春季学術講演会
• [学会発表] 単結晶Si太陽電池の薄型化へ向けたスライスダメージ評価 (2020)
  • 著者名/発表者名: 原豊, 横川凌, 大西康平, 神岡武文, 中村京太郎, 大下祥雄, 河津知之, 長井俊樹, 山田昇, 宮下幸雄, 小椋厚志
  • 学会等名: 第67回応用物理学会春季学術講演会
• [学会発表] Si基板へのイオン注入とレーザーアニールで作製したSi1-x-yGexSny薄膜の歪評価 (2020)
  • 著者名/発表者名: 小笠原凱, 小孫翔大, 横川凌, 吉岡和俊, 澤本直美, Borland John, 黒井隆, 川崎洋司, 小椋厚志
  • 学会等名: 第67回応用物理学会春季学術講演会
• [学会発表] UVラマン分光法による単結晶Si1-xSnxの歪換算係数導出 (2020)
  • 著者名/発表者名: 横川凌, 丹下龍志, 黒澤昌志, 小椋厚志
  • 学会等名: 第67回応用物理学会春季学術講演会
• [学会発表] 低Ge濃度SiGe薄膜におけるEXAFS振動の温度とGe濃度依存性の評価 (2020)
  • 著者名/発表者名: 吉岡和俊, 横川凌, 高橋祐樹, 小原田賢聖, 竹内悠希, 小笠原凱, 広沢一郎, 渡辺剛, 小椋厚志
  • 学会等名: 第67回応用物理学会春季学術講演会
• [学会発表] 逆格子空間マッピングによるGe1-XSnXメサ構造における原子間隔分布の検討 (2020)
  • 著者名/発表者名: 広沢一郎, 高橋祐樹, 吉岡和俊, 横川凌, 須田耕平, 小椋厚志
  • 学会等名: 第67回応用物理学会春季学術講演会
• [学会発表] 逆格子空間マッピングを用いたGe1-xSnxメサ構造における熱膨張係数評価 (2020)
  • 著者名/発表者名: 高橋祐樹, 横川凌, 吉岡和俊, 小笠原凱, 廣沢一郎, 須田耕平, 小椋厚志
  • 学会等名: 第67回応用物理学会春季学術講演会
• [学会発表] Origin of Anomalous Phonon State in SiGe Alloys Studied with Molecular Dynamics (2020)
  • 著者名/発表者名: Sylvia Yuk Yee Chung, Motohiro Tomita, Ryo Yokogawa, Atsushi Ogura, Takanobu Watanabe
  • 学会等名: 電子デバイス界面テクノロジー研究会 ―材料・プロセス・デバイス特性の物理―(第25回研究会)
• [学会発表] 薄型フレキシブルSi太陽電池へ向けたスライスダメージ評価 (2019)
  • 著者名/発表者名: 大西康平, 横川凌, 西原達平, 神岡武文, 中村京太郎, 大下祥雄, 河津知之, 長井俊樹, 山田昇, 宮下幸雄, 小椋厚志
  • 学会等名: 第80回応用物理学会秋季学術講演会
• [学会発表] X線非弾性散乱法で観測される低エネルギー側Bulk SiGeフォノンスペクトルの考察 (2019)
  • 著者名/発表者名: 横川凌, 竹内悠希, 吉岡和俊, 荒井康智, 内山裕士, 富田基裕, 小椋厚志
  • 学会等名: 第80回応用物理学会秋季学術講演会
• [学会発表] X線非弾性散乱法によるBulk Si1-xGex(x=0.72)単結晶のフォノン分散測定 (2019)
  • 著者名/発表者名: 横川凌, 小柳有矢, 内山裕士, 筒井智嗣, 米永一郎, 小椋厚志
  • 学会等名: 第80回応用物理学会秋季学術講演会
• [学会発表] XAFS測定を用いた低温下におけるSi基板上SiGe薄膜の局所構造評価 (2019)
  • 著者名/発表者名: 吉岡和俊, 横川凌, 高橋祐樹, 竹内悠希, 広沢一郎, 渡辺剛, 小椋厚志
  • 学会等名: 第80回応用物理学会秋季学術講演会
• [学会発表] 高濃度SiGeラマンスペクトルの局在振動モードを利用したGe濃度定量 (2019)
  • 著者名/発表者名: 横川凌, 竹内悠希, 吉岡和俊, 小椋厚志
  • 学会等名: 第80回応用物理学会秋季学術講演会
• [学会発表] レーザーアニール又はRTAを施したSnドープSiGe膜の歪評価 (2019)
  • 著者名/発表者名: 小孫翔大, 横川凌, 吉岡和俊, 澤本直美, ボーランドジョン, 黒井隆, 川崎洋司, 小椋厚志
  • 学会等名: 第80回応用物理学会秋季学術講演会
• [学会発表] ラマン分光法を用いたWigglingシリコン窒化膜パターンによる応力評価 (2019)
  • 著者名/発表者名: 小原田賢聖, 横川凌, 澤本直美, 吉岡和俊, 小椋厚志
  • 学会等名: 第80回応用物理学会秋季学術講演会
• [学会発表] ラマン分光法による酸化膜被覆プロセスの異なるSOI薄膜における熱伝導特性評価 (2019)
  • 著者名/発表者名: 竹内悠希, 横川凌, 富田基裕, 渡邉孝信, 小椋厚志
  • 学会等名: 第80回応用物理学会秋季学術講演会
• [学会発表] 実験室系硬X線光電子分光法による埋もれた界面の化学結合状態評価 (2019)
  • 著者名/発表者名: 西原達平, 金井皓輝, 横川凌, 廣沢一郎, 安野聡, 大川登志郎, 小椋厚志
  • 学会等名: 第80回応用物理学会秋季学術講演会
• [学会発表] 逆格子マッピングを用いたGe1-xSn微細構造における歪評価 (2019)
  • 著者名/発表者名: 高橋祐樹, 横川凌, 小椋厚志
  • 学会等名: 第16回SPring-8産業利用報告会
• [学会発表] X線非弾性散乱法による単結晶SiGeのフォノン分散評価 (2019)
  • 著者名/発表者名: 横川凌, 竹内悠希, 吉岡和俊, 荒井康智, 内山裕士, 小椋厚志
  • 学会等名: 第3回フォノンエンジニアリング研究会
• [学会発表] 多結晶シリコン粒内のフォノン散乱要因評価 (2019)
  • 著者名/発表者名: 竹内悠希, 横川凌, 高橋和也, 小森克彦, 森本保, 澤本直美, 小椋厚志
  • 学会等名: 第3回フォノンエンジニアリング研究会
• [学会発表] 放射光を用いたIV族半導体の物性評価 (2019)
  • 著者名/発表者名: 横川凌, 小椋厚志
  • 学会等名: 第150回結晶工学分科会研究会 これからはじめる放射光 ～微細評価の新展開～
  • 招待講演
• [学会発表] Evaluation of Temperature and Ge Concentration Dependence of EXAFS Oscillations in SiGe Thin Films (2019)
  • 著者名/発表者名: Kazutoshi Yoshioka, Ryo Yokogawa, Yuki Takahashi, Haruki Takeuchi, Takanobu Watanabe, Atsushi Ogura
  • 学会等名: Materials Research Meeting 2019 (MRM2019)
  • 国際学会
• [学会発表] Investigation of Phonon Dispersion Curve for Silicon Germanium Alloy by Using Inelastic X-ray Scattering (2019)
  • 著者名/発表者名: Ryo Yokogawa, Haruki Takeuchi, Kazutoshi Yoshioka, Yasutomo Arai, Hiroshi Uchiyama, Atsushi Ogura
  • 学会等名: Materials Research Meeting 2019 (MRM2019)
  • 国際学会
• [学会発表] Strain Evaluation of Laser-annealed or RTA Sn-doped SiGe Layers (2019)
  • 著者名/発表者名: Shota Komago, Ryo Yokogawa, Kazutoshi Yoshioka, Naomi Sawamoto, John O. Borland, Takashi Kuroi, Yoji Kawasaki, Atsushi Ogura
  • 学会等名: 8th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces
  • 国際学会
• [学会発表] Characterization of Bendable Crystalline Si Solar Cells Made by Ultra-thin Wafer Slicing (2019)
  • 著者名/発表者名: Noboru Yamada, Kohei Onishi, Ryo Yokogawa, Tappei Nishihara, Takefumi Kamioka, Kyotaro Nakamura, Tomoyuki Kawatsu, Toshiki Nagai, Yuya Kotake, Yukio Miyashita, Yoshio Ohshita, Atsushi Ogura
  • 学会等名: 29th International Photovoltaic Science and Engineering Conference (PVSEC-29)
  • 国際学会
• [学会発表] Stress Evaluation Induced by Wiggling SiN Fine Pattern by Using Raman Spectroscopy (2019)
  • 著者名/発表者名: Masato Koharada, Ryo Yokogawa, Naomi Sawamoto, Kazutoshi Yoshioka, Atsushi Ogura
  • 学会等名: 32nd International Microprocess and Nanotechnology Conference (MNC 2019)
  • 国際学会
• [学会発表] Determination of Phonon Deformation Potentials in Carbon-doped Silicon (2019)
  • 著者名/発表者名: Kazutoshi Yoshioka, Ryo Yokogawa, Tatsumi Murakami, Shota Komago, Naomi Samamoto, Atsushi Ogura
  • 学会等名: 236th Electrical Chemical Society (ECS) Meeting
  • 国際学会
• [学会発表] Evaluation of Thermal Conductivity Characteristics in Polycrystalline Silicon Grains with Nanostructures by Raman Spectroscopy (2019)
  • 著者名/発表者名: Haruki Takeuchi, Ryo Yokogawa, Kazuya Takahashi, Katsuhiko Komori, Tamotsu Morimoto, Naomi Sawamoto, Atsushi Ogura
  • 学会等名: 236th Electrical Chemical Society (ECS) Meeting
  • 国際学会
• [学会発表] Temperature Measurement for Si Nanowire Thermoelectric Generators by Operand Raman Spectroscopy (2019)
  • 著者名/発表者名: Ryo Yokogawa, Tianzhuo Zhan, Motohiro Tomita, Takanobu Watanabe, Atsushi Ogura
  • 学会等名: 236th Electrical Chemical Society (ECS) Meeting
  • 国際学会
• [学会発表] Evaluation of Anisotropic Stress for Laterally Graded Silicon Germanium Wires by Raman Spectroscopy (2019)
  • 著者名/発表者名: Ryo Yokogawa, Kouta Takahashi, Masashi Kurosawa, Motohiro Tomita, Takanobu Watanabe, Atsushi Ogura
  • 学会等名: 18th Conference on Defects-Recognition, Imaging and Physics in Semiconductors (DRIP XVIII)
  • 国際学会
• [学会発表] Evaluation of Strain Relaxation in Stripe-Shaped Ge1-xSnx Mesa Structure Using X-ray Diffraction Reciprocal Space Mapping (2019)
  • 著者名/発表者名: Yuki Takahashi, Ryo Yokogawa, Kohei Suda, Atsushi Ogura, Ichiro Hirosawa
  • 学会等名: 18th Conference on Defects-Recognition, Imaging and Physics in Semiconductors (DRIP XVIII)
  • 国際学会
• [学会発表] Sawing Damage Control for Thin Flexible Si Solar Cells (2019)
  • 著者名/発表者名: Kohei Onishi, Ryo Yokogawa, Tappei Nishihara, Takefumi Kamioka, Kyotaro Nakamura, Yoshio Oshita, Tomoyuki Kawatsu, Toshiki Nagai, Noboru Yamada, Yukio Miyashita, Atsushi Ogura
  • 学会等名: 36th European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition (EU PVSEC 2019)
  • 国際学会
• [学会発表] Ultra-Thin Lightweight Bendable Crystalline Si Solar Cells for Solar Vehicles (2019)
  • 著者名/発表者名: Yoshio Ohshita, Kohei Onishi, Ryo Yokogawa, Tappei Nishihara, Takefumi Kamioka, Kyotaro Nakamura, Tomoyuki Kawatsu, Toshiki Nagai, Noboru Yamada, Yukio Miyashita, Atsushi Ogura
  • 学会等名: 46th IEEE Photovoltaic Specialists Conference (PVSC 46)
  • 国際学会
• [学会発表] IV族半導体微細加工による熱電材料の機能発現と物性評価 (2019)
  • 著者名/発表者名: 横川凌
  • 学会等名: 第5回 大型実験施設とスーパーコンピュータとの連携利用シンポジウム
  • 招待講演
• [学会発表] 液浸ラマン分光法による組成傾斜SiGeワイヤの異方性二軸応力分布評価 (2019)
  • 著者名/発表者名: 横川凌, 高橋恒太, 富田基裕, 黒澤昌志, 渡邉孝信, 小椋厚志
  • 学会等名: 第66回応用物理学会春季学術講演会
• [学会発表] ラマン分光法による酸化膜を被覆したSiナノワイヤ界面近傍の熱伝導特性評価 (2019)
  • 著者名/発表者名: 横川凌, 富田基裕, 渡邉孝信, 小椋厚志
  • 学会等名: 第66回応用物理学会春季学術講演会
• [学会発表] ラマン分光法によるAr+イオンを照射した酸化膜被覆型Siナノワイヤの熱伝導特性評価 (2019)
  • 著者名/発表者名: 横川凌, 富田基裕, 渡邉孝信, 小椋厚志
  • 学会等名: 電子デバイス界面テクノロジー研究会-材料・プロセス・デバイス特性の物理-(第24回研究会)
• [学会発表] 水浸ラマン分光法によるパターン加工したカーボンドープシリコンにおける歪緩和の評価 (2019)
  • 著者名/発表者名: 吉岡和俊, 横川凌, 澤本直美, 小椋厚志
  • 学会等名: 第66回応用物理学会春季学術講演会
• [学会発表] 逆格子空間マッピングを用いたGe1-xSnxメサ構造における歪緩和評価 (2019)
  • 著者名/発表者名: 高橋祐樹, 横川凌, 廣沢一郎, 須田耕平, 小椋厚志
  • 学会等名: 第66回応用物理学会春季学術講演会
• [学会発表] Si-IGBTプロセスによるFZ-Siの少数キャリアライフタイムへの影響評価-III- (2019)
  • 著者名/発表者名: 小林弘人, 横川凌, 木下晃輔, 沼沢陽一郎, 小椋厚志, 西澤伸一, 更屋拓哉, 伊藤一夫, 高倉俊彦, 鈴木慎一, 福井宗利, 竹内潔, 平本俊郎
  • 学会等名: 第66回応用物理学会春季学術講演会
• [学会発表] ラマン分光法を用いたプラズマCVD堆積SiNおよびa-C膜の応力評価 (2019)
  • 著者名/発表者名: 小原田賢聖, 横川凌, 小椋厚志
  • 学会等名: 第66回応用物理学会春季学術講演会
• [学会発表] ラマン分光法による多結晶シリコン粒内のナノ構造が及ぼす熱伝導特性評価 (2019)
  • 著者名/発表者名: 竹内悠希, 横川凌, 高橋和也, 小森克彦, 森本保, 澤本直美, 小椋厚志
  • 学会等名: 第66回応用物理学会春季学術講演会
• [学会発表] ラマン分光法による熱電デバイス応用へ向けたSiナノワイヤのプロセス評価 (2018)
  • 著者名/発表者名: 横川凌, 富田基裕, 渡邉孝信, 小椋厚志
  • 学会等名: 平成30年度10月シリコン材料・デバイス(SDM)研究会
• [学会発表] ラマン分光法による酸化膜を被覆したSOI薄膜の熱伝導特性評価 (2018)
  • 著者名/発表者名: 横川凌, 富田基裕, 渡邉孝信, 小椋厚志
  • 学会等名: 第79回応用物理学会秋季学術講演会
• [学会発表] 液浸ラマン分光法で観測される高濃度SiGeラマンスペクトルのブロードピークを利用したGe濃度定量 (2018)
  • 著者名/発表者名: 横川凌, 小原田賢聖, 吉岡和俊, 石原聖也, 臼田宏治, 小椋 厚志
  • 学会等名: 第79回応用物理学会秋季学術講演会
• [学会発表] Si-IGBTプロセスによるFZ-Siの少数キャリアライフタイムへの影響評価-II- (2018)
  • 著者名/発表者名: 小林弘人, 横川凌, 木下晃輔, 沼沢陽一郎, 小椋厚志, 西澤伸一, 更屋拓哉, 伊藤一夫, 高倉俊彦, 鈴木慎一, 福井宗利, 竹内潔, 平本俊郎
  • 学会等名: 第79回応用物理学会秋季学術講演会
• [学会発表] C及びGeイオン注入後にレーザーアニールを施したSiGe薄膜の歪評価 (2018)
  • 著者名/発表者名: 小孫翔大, 村上達海, 吉岡和俊, 横川凌, 澤本直美, Borland John, 黒井隆, 田畑俊行, Huet Karim, 堀口直人, 小椋厚志
  • 学会等名: 第79回応用物理学会秋季学術講演会
• [学会発表] パターン加工したカーボンドーピシリコンにおける歪緩和の評価 (2018)
  • 著者名/発表者名: 吉岡和俊, 横川凌, 澤本直美, 小椋厚志
  • 学会等名: 第79回応用物理学会秋季学術講演会
• [学会発表] 逆格子空間マッピングを用いたGe1-xSnxメサ構造の3軸歪評価 (2018)
  • 著者名/発表者名: 高橋祐樹, 横川凌, 廣沢一郎, 須田耕平, 小椋厚志
  • 学会等名: 第79回応用物理学会秋季学術講演会
• [学会発表] ラマン分光法による酸化膜/Si界面の熱伝導特性評価 (2018)
  • 著者名/発表者名: 横川凌, 富田基裕, 渡邉孝信, 小椋厚志
  • 学会等名: 第2回フォノンエンジニアリング研究会
• [学会発表] Evaluation of Thermal Conductivity Characteristics for Si Nanowires Covered with Oxide by UV Raman Spectroscopy (2018)
  • 著者名/発表者名: R. Yokogawa, M. Tomita, T. Watanabe, and A. Ogura
  • 学会等名: 31st International Microprocess and Nanotechnology Conference (MNC2018)
  • 国際学会
• [学会発表] Evaluation of Laterally Graded Silicon Germanium Wires for Thermoelectric Devices Fabricated by Rapid Melting Growth (2018)
  • 著者名/発表者名: R. Yokogawa, S. Hashimoto, K. Takahashi, S. Oba, M. Tomita, M. Kurosawa, T. Watanabe, and A. Ogura
  • 学会等名: Americas International Meeting on Electrochemistry and Solid State Science (AiMES) 2018
  • 国際学会
• [学会発表] Determination of Phonon Deformation Potentials in Carbon-doped Silicon (2018)
  • 著者名/発表者名: K. Yoshioka, R. Yokogawa, T. Murakami, S. Komago, N. Sawamoto, and A. Ogura
  • 学会等名: Americas International Meeting on Electrochemistry and Solid State Science (AiMES) 2018
  • 国際学会
• [学会発表] Evaluation of Anisotropic Three-Dimensional Strain Relaxation in Stripe-Shaped Ge1-xSnx Mesa Structure (2018)
  • 著者名/発表者名: Y. Takahashi, R. Yokogawa, T. Murakami, I. Hirosawa, K. Suda, and A. Ogura
  • 学会等名: Americas International Meeting on Electrochemistry and Solid State Science (AiMES) 2018
  • 国際学会
• [学会発表] Strain Evaluation of Laser-annealed SiGe Thin Layers (2018)
  • 著者名/発表者名: S. Komago, T. Murakami, K. Yoshioka, R, Yokogawa, J. O. Borland, T. Kuroi, T. Tabata, K. Huet, N. Horiguchi, and A. Ogura
  • 学会等名: Americas International Meeting on Electrochemistry and Solid State Science (AiMES) 2018
  • 国際学会
• [学会発表] Evaluations of minority carrier lifetime in floating zone Si affected by Si insulated gate bipolar transistor processes (2018)
  • 著者名/発表者名: H. Kobayashi, R. Yokogawa, K. Kinoshita, Y. Numasawa, A. Ogura, S. Nishizawa, T. Saraya, K. Ito, T. Takakura, S. Suzuki, M. Fukui, K. Takeuchi, and T. Hiramoto
  • 学会等名: 2018 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2018)
  • 国際学会
• [学会発表] Minority carrier lifetimes degradation in FZ-Si by advanced Si-IGBT processes (2018)
  • 著者名/発表者名: H. Kobayashi, R. Yokogawa, K. Kinoshita, Y. Numasawa, A. Ogura, S. Nishizawa, T. Saraya, K. Ito, T. Takakura, S. Suzuki, M. Fukui, K. Takeuchi, and T. Hiramoto
  • 学会等名: The Forum on the Science and Technology of Silicon Materials 2018
  • 国際学会
• [学会発表] 熱電デバイス用組成傾斜SiGeワイヤの構造評価 (2018)
  • 著者名/発表者名: 横川凌, 橋本修一郎, 高橋恒太, 大場俊輔, 富田基裕, 黒澤昌志, 渡邉孝信, 小椋厚志
  • 学会等名: 第65回応用物理学会春季学術講演会
• [学会発表] ラマン分光法による多結晶シリコン粒内のナノ結晶構造評価(III) (2018)
  • 著者名/発表者名: 三野伸晃, 横川凌, 鈴木貴博, 高橋和也, 小森克彦, 森本保, 澤本直美, 小椋厚志
  • 学会等名: 第65回応用物理学会春季学術講演会
• [学会発表] Si-IGBT プロセスによるFZ-Si の少数キャリアライフタイムへの影響評価 (2018)
  • 著者名/発表者名: 小林弘人, 横川凌, 鈴木貴博, 沼沢陽一郎, 小椋厚志, 西澤伸一, 更屋拓哉, 伊藤和夫, 高倉俊彦, 鈴木慎一, 福井宗利, 竹内潔, 平本 俊郎
  • 学会等名: 第65回応用物理学会春季学術講演会
• [学会発表] 逆格子空間マッピングによるGe1-XSnXメサ構造における異方的格子定数評価 (2018)
  • 著者名/発表者名: 広沢一郎, 村上達海, 須田耕平, 高橋祐樹, 吉岡和俊, 横川凌, 小椋厚志
  • 学会等名: 第65回応用物理学会春季学術講演会
• [学会発表] AlN熱伝導膜の熱伝導向上によるSiナノワイヤ熱電発電デバイスの出力向上 (2018)
  • 著者名/発表者名: ジャンテンゾウ, 大和亮, 橋本修一郎, 大場俊輔, 姫田悠矢, 横川凌, 徐一斌, 松川貴, 渡邉孝信
  • 学会等名: 電子デバイス界面テクノロジー研究会-材料・プロセス・デバイス特性の物理-(第23回研究会)
• [学会発表] Evaluation of Strain in the Oxide Covered Silicon Nanowires for Thermoelectric Devices by Raman Spectroscopy (2018)
  • 著者名/発表者名: R. Yokogawa, S. Hashimoto, M. Tomita, T. Watanabe, and A. Ogura
  • 学会等名: 45th Conference on the Physics & Chemistry of Surfaces & Interfaces
  • 国際学会
• [学会発表] 水浸ラマン分光法によるAr+イオン照射を施した酸化膜被覆型Siナノワイヤの異方性二軸応力評価 (2017)
  • 著者名/発表者名: 横川凌, 橋本修一郎, 富田基裕, 渡邉孝信, 小椋厚志
  • 学会等名: 第78回応用物理学会秋季学術講演会
• [学会発表] バルクSiGeおよび液浸ラマン分光法を用いたSiGeフォノン変形ポテンシャルの導出 (2017)
  • 著者名/発表者名: 横川凌, 武内一真, 村上達海, 臼田宏治, 米永一郎, 小椋厚志
  • 学会等名: 第78回応用物理学会秋季学術講演会
• [学会発表] ラマン分光法による多結晶シリコン粒内のナノ結晶構造評価(II) (2017)
  • 著者名/発表者名: 鈴木貴博, 横川凌, 三野伸晃, 高橋和也, 小森克彦, 森本保, 澤本直美, 小椋厚志
  • 学会等名: 第78回応用物理学会秋季学術講演会
• [学会発表] 放射光X線回折を用いたGe1-xSnxメサ構造における異方性歪評価 (2017)
  • 著者名/発表者名: 村上達海, 須田耕平, 高橋祐樹, 吉岡和俊, 日比野祐介, 横川凌, 広沢一郎, 小椋厚志
  • 学会等名: 第78回応用物理学会秋季学術講演会
• [学会発表] カーボンドープシリコンにおけるフォノン変形ポテンシャルの導出 (2017)
  • 著者名/発表者名: 吉岡和俊, 村上達海, 小孫翔大, 横川凌, 澤本直美, 小椋厚志
  • 学会等名: 第78回応用物理学会秋季学術講演会
• [学会発表] Evaluation of Anisotropic Biaxial Stress Induced Around Trench Gate of Si Power Transistor Using Water-Immersion Raman Spectroscopy (2017)
  • 著者名/発表者名: T. Suzuki, R. Yokogawa, K. Oasa, T. Nishiwaki, T. Hamamoto, and A. Ogura
  • 学会等名: 17th Conference on Defect Recognition and Image, Processing in Semiconductors
  • 国際学会
• [学会発表] Anisotropic Biaxial Strain Evaluation in MOCVD Grown Ge1-xSnx Mesa Patterned Structure by Oil-Immersion Raman Spectroscopy (2017)
  • 著者名/発表者名: T. Murakami, T. Takeuchi, R. Yokogawa, K. Suda, S. Ishihara, and A. Ogura
  • 学会等名: 17th Conference on Defect Recognition and Image, Processing in Semiconductors
  • 国際学会