| 研究課題/領域番号 |
17K05040
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
結晶工学
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| 研究機関 | 京都工芸繊維大学 |
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研究代表者 |
福澤 理行 京都工芸繊維大学, 情報工学・人間科学系, 准教授 (60293990)
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| 研究期間 (年度) |
2017-04-01 – 2021-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2020年度)
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| 配分額 *注記 |
4,810千円 (直接経費: 3,700千円、間接経費: 1,110千円)
2019年度: 910千円 (直接経費: 700千円、間接経費: 210千円)
2018年度: 1,040千円 (直接経費: 800千円、間接経費: 240千円)
2017年度: 2,860千円 (直接経費: 2,200千円、間接経費: 660千円)
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| キーワード | 結晶評価 / 残留歪み / デバイス局所歪み / 光弾性法 / 光弾性 |
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| 研究成果の概要 |
半導体デバイス中の局所歪み場を評価するため、走査型分光偏光計(SSP)と、入射角走査機構を備えた近赤外イメージング偏光系(NIRIP+)を開発した。これらはデバイス作製済みの6インチ径基板に対応する設計で、デバイス内外の局所歪みを、基板のダイシングやスクライピングによる緩和を避けて評価できる。NIRIP+によって、オフ角付き商用SiC基板中の歪み誘起複屈折を選択的に測定することに成功した。この測定結果と、曲げ試験により実測したSiC結晶の光弾性定数を組み合わせて、局所歪み場の選択的定量イメージングが実現した。SSPによって、Siデバイス中の局所歪みのダイシング前定量イメージングも実現した。
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| 研究成果の学術的意義や社会的意義 |
本研究成果の学術的意義は、半導体デバイス中の局所歪み場を大面積で可視化した点にある。X線回折やRaman 散乱では、測定領域の制限からダイシング後の小片しか評価できず、局所歪みの一部は緩和されていたが、本研究によって、局所歪みを緩和させずに評価できるようになった。デバイス高品質化への貢献が期待でき、プロセスシミュレーションとの直接比較も可能となる。
本研究成果の社会的意義は、光弾性法の応用範囲が大きく拡大した点にある。装置構成が簡便で、X線回折やRaman 散乱とは用途が補完関係にあるため、基礎研究だけでなく、商用基板やデバイスの開発・生産における評価・検査装置としての応用も有望である。
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