| 研究課題/領域番号 |
17K05049
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
結晶工学
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| 研究機関 | 一般財団法人ファインセラミックスセンター |
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研究代表者 |
石川 由加里 一般財団法人ファインセラミックスセンター, その他部局等, 主席研究員 (60416196)
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| 研究分担者 |
菅原 義弘 一般財団法人ファインセラミックスセンター, その他部局等, 上級研究員 (70466291)
姚 永昭 一般財団法人ファインセラミックスセンター, その他部局等, 上級研究員 (80523935)
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| 研究期間 (年度) |
2017-04-01 – 2020-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2019年度)
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| 配分額 *注記 |
4,290千円 (直接経費: 3,300千円、間接経費: 990千円)
2019年度: 910千円 (直接経費: 700千円、間接経費: 210千円)
2018年度: 1,040千円 (直接経費: 800千円、間接経費: 240千円)
2017年度: 2,340千円 (直接経費: 1,800千円、間接経費: 540千円)
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| キーワード | 4H-SiC / 非極性面 / 転位 / CL / 積層欠陥 / M面 / 基底面転位 / 部分転位 / GaN / EBIC / TEM / 拡張 / 結晶工学 / 半導体 |
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| 研究成果の概要 |
4H-SiCの非極性面から基底面転位を電子線励起し、その拡張挙動を観察することによってSiCを使ったデバイスの性能劣化の原因とされる積層欠陥の生成と拡張が、１）直接に基底面転位や積層欠陥を励起しなくても電子―正孔が供給されれば生じること、２）積層欠陥の直接励起よりも部分転位の励起の方が励起効果が大きいこと、３）動かないとされてきたC-core転位も閾値以上の電子―正孔の供給によって可動化することを初めて示した。
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| 研究成果の学術的意義や社会的意義 |
SiCパワーデバイスの順方向ドリフトの原因となる積層欠陥の生成メカニズムに関して新たな知見を得た。これは、電気自動車、電力変換、電車等社会インフラに必要な電力変換素子の信頼性、性能維持に必要な情報となる。また、学術的には光や電子線の照射によって転位が可動化するメカニズムに新たな知見を加えるものである。転位はデバイスだけではなく材料の力学的特性を決めるものであり、光・放射線照射下（宇宙・原子炉等の加工環境下）での材料物性の変化の予測、解明に役立つことが期待される。
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