研究課題/領域番号 |
17K05106
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研究種目 |
基盤研究(C)
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配分区分 | 基金 |
応募区分 | 一般 |
研究分野 |
応用物理学一般
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研究機関 | 成蹊大学 |
研究代表者 |
中野 武雄 成蹊大学, 理工学部, 教授 (40237342)
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研究期間 (年度) |
2017-04-01 – 2020-03-31
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研究課題ステータス |
完了 (2019年度)
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配分額 *注記 |
4,810千円 (直接経費: 3,700千円、間接経費: 1,110千円)
2019年度: 780千円 (直接経費: 600千円、間接経費: 180千円)
2018年度: 2,080千円 (直接経費: 1,600千円、間接経費: 480千円)
2017年度: 1,950千円 (直接経費: 1,500千円、間接経費: 450千円)
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キーワード | スパッタリング / 薄膜作製プロセス / プラズマ電位 / 薄膜構造制御 / 膜応力 / 大電力パルススパッタリング / 金属膜堆積 / 構造制御 / 大電力パルススパッタ / プラズマ電位制御 / 低温製膜 / プラズマ制御 / 薄膜微細構造 / 堆積粒子エネルギー / プラズマ加工 / デュアルターゲット |
研究成果の概要 |
イオン化した原子を用いて薄膜を堆積させる大電力パルススパッタ(HPPMS)の発展手法として、プラズマ電位を効率よく上昇させることで膜の構造を制御する、デュアルカソード型バイポーラHPPMSのアイデアを検証した。実動作は今後の課題となったが、電位上昇の機構が対極への電流流入によるものであるという、重要な知見を得た。また我々が以前に開発した三極型HPPMSを用いてMo金属からなる微細構造の作製を試み、プロセスの最適化に寄与する様々な知見を得た。
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研究成果の学術的意義や社会的意義 |
低温で緻密な膜が製膜できるHPPMS、中でもバイポーラHPPMSは、近年非常に期待されている製膜手法のひとつである。これをさらに改善する本手法は、産業分野に大きな進歩をもたらすものと考える。この手法の実際の動作にまで期間中に到達できなかったことは大変遺憾だが、主要な動作原理が理学的に解明できたことで、近々のうちに動作を実証できると確信している。またプラズマ電位制御型のHPPMSに対する、圧力・放電ガス種・印加電圧などの影響が明らかにできたことは、今後の本手法の発展に大きく寄与するものと考える。
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