| 研究課題/領域番号 |
17K05111
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
応用物理学一般
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| 研究機関 | 国立研究開発法人量子科学技術研究開発機構 |
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研究代表者 |
牧野 高紘 国立研究開発法人量子科学技術研究開発機構, 高崎量子応用研究所 先端機能材料研究部, 主任研究員(定常) (80549668)
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| 研究期間 (年度) |
2017-04-01 – 2020-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2019年度)
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| 配分額 *注記 |
4,680千円 (直接経費: 3,600千円、間接経費: 1,080千円)
2019年度: 780千円 (直接経費: 600千円、間接経費: 180千円)
2018年度: 1,560千円 (直接経費: 1,200千円、間接経費: 360千円)
2017年度: 2,340千円 (直接経費: 1,800千円、間接経費: 540千円)
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| キーワード | SiC / シングルイベント / パワーデバイス / MOSFET |
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| 研究成果の概要 |
炭化ケイ素(SiC)製-金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)にイオンが入射することで誘起される破壊現象解明のため、SiC-MOSFET内に入射するイオンが誘起する電荷の挙動解明を目的とした。イオン誘起電荷量のデバイス構造依存性の観測結果の解析を行い、デバイス破壊に支配的なパラメータの推定を行った。その結果より、イオンのLET(Linear Energy Transfer)と、デバイス構造が支配的であると考えられる結果が得られた。破壊されたデバイスの破壊痕の断面観察を行い、それらもデバイス構造に依存していることを確認し、今後の研究指針を得た。
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| 研究成果の学術的意義や社会的意義 |
イオン誘起電荷量のデバイス構造依存性の観測結果の解析を行い、デバイス破壊に支配的なパラメータの推定を行うことで、イオンのLET(Linear Energy Transfer)と、デバイス構造が支配的であると考えられる結果が得られた。破壊されたデバイスの破壊痕の断面観察を行い、それらもデバイス構造に依存していることを確認し、今後の研究指針を得た。本研究結果は、半導体デバイスのイオン耐性向上に寄与する結果であり、最先端・高効率半導体デバイスの宇宙応用を大きく推進するものである。
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