• 研究課題をさがす
  • 研究者をさがす
  • KAKENの使い方
  1. 前のページに戻る

ビスマス原子による黒リン構造層状物質の電子状態

研究課題

研究課題/領域番号 17K05493
研究種目

基盤研究(C)

配分区分基金
応募区分一般
研究分野 物性Ⅰ
研究機関東京工業大学

研究代表者

中辻 寛  東京工業大学, 物質理工学院, 准教授 (80311629)

研究分担者 平山 博之  東京工業大学, 理学院, 教授 (60271582)
研究期間 (年度) 2017-04-01 – 2022-03-31
研究課題ステータス 完了 (2021年度)
配分額 *注記
4,550千円 (直接経費: 3,500千円、間接経費: 1,050千円)
2019年度: 1,040千円 (直接経費: 800千円、間接経費: 240千円)
2018年度: 910千円 (直接経費: 700千円、間接経費: 210千円)
2017年度: 2,600千円 (直接経費: 2,000千円、間接経費: 600千円)
キーワード表面電子状態 / ビスマス超薄膜 / 光電子分光 / 走査トンネル顕微鏡 / 表面・界面物性
研究成果の概要

黒リン(BP-like)構造をもつBi(110)超薄膜は、2次元トポロジカル絶縁体の電子物性が予測される興味深い系である。本研究ではシリコン基板上に作製したBi(110)超薄膜の構造と電子状態を角度分解光電子分光と走査トンネル顕微鏡を用いて系統的に調べ、8原子層程度以下の薄膜内部の構造がBP-likeであること、基板からの電荷移動によりホールドープされていること、Biを100 K程度で蒸着後に室温まで加熱する2段階成長によって高さの揃った超薄膜を広範囲に作製可能であることを明らかにした。

研究成果の学術的意義や社会的意義

黒リン構造のBi(110)超薄膜は、基板との相互作用や電荷移動によるトポロジカル絶縁体転移が予想されており、その電子状態が大変興味深いにもかかわらず、研究例は少ない状態であった。本研究により、デバイス整合性のよい半導体基板を用いて将来的に半導体技術で電荷量を制御する可能性を担保したうえで、Bi(110超薄膜の成長過程と電子状態についての系統的な知見を得ることができたことは、学術的にも社会的にも大変意義深いことと考えている。

報告書

(6件)
  • 2021 実績報告書   研究成果報告書 ( PDF )
  • 2020 実施状況報告書
  • 2019 実施状況報告書
  • 2018 実施状況報告書
  • 2017 実施状況報告書
  • 研究成果

    (19件)

すべて 2020 2019 2018 2017 その他

すべて 雑誌論文 (2件) (うち査読あり 2件) 学会発表 (16件) (うち国際学会 5件) 備考 (1件)

  • [雑誌論文] Growth of extremely flat Bi(110) films on a Si(111)√3 × √3-B substrate2020

    • 著者名/発表者名
      Nagase Kentaro、Ushioda Ryota、Nakatsuji Kan、Shirasawa Tetsuroh、Hirayama Hiroyuki
    • 雑誌名

      Applied Physics Express

      巻: 13 号: 8 ページ: 085506-085506

    • DOI

      10.35848/1882-0786/aba0df

    • 関連する報告書
      2020 実施状況報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Structure and growth of Bi(110) islands on Si(111)√3×√3-B substrates2018

    • 著者名/発表者名
      Nagase Kentaro、Kokubo Ikuya、Yamazaki Shiro、Nakatsuji Kan、Hirayama Hiroyuki
    • 雑誌名

      Physical Review B

      巻: 97 号: 19 ページ: 195418-195418

    • DOI

      10.1103/physrevb.97.195418

    • 関連する報告書
      2018 実施状況報告書
    • 査読あり
  • [学会発表] Si(110)3x2-Bi表面の電子状態2020

    • 著者名/発表者名
      金野達、勝俣錬、木村彰博、中村玲雄、諸貫亮太、山崎詩郎、小澤健一、間瀬一彦、飯盛拓嗣、小森文夫、平山博之、中辻寬
    • 学会等名
      2020年日本表面真空学会学術講演会
    • 関連する報告書
      2020 実施状況報告書
  • [学会発表] Si(111)√3×√3-(Bi,In)表面の電子状態2020

    • 著者名/発表者名
      勝俣錬, 中村玲雄, 金野達, 木村彰博, 大内拓実, 永友慶, 田中和也, 下川裕理, 小澤健一, 間瀬一彦, 小森文夫, 飯盛拓嗣, 平山博之, 中辻寬
    • 学会等名
      日本物理学会第76回年次大会
    • 関連する報告書
      2020 実施状況報告書
  • [学会発表] Si(110)3×2-Bi表面の構造解析2020

    • 著者名/発表者名
      諸貫亮太, 大内拓実, 永友慶, 森井七生, 金野達, 白澤徹郎, 平山博之, 中辻寬
    • 学会等名
      日本物理学会第76回年次大会
    • 関連する報告書
      2020 実施状況報告書
  • [学会発表] Si(111)7×7 基板上における奇数層高さBi(110)島の出現2020

    • 著者名/発表者名
      潮田亮太、長瀬謙太郎、荻野嵩大、車尾ヴァレンティン基、中辻 寛、白澤 徹郎、平山 博之
    • 学会等名
      日本物理学会第75回年次大会
    • 関連する報告書
      2019 実施状況報告書
  • [学会発表] Si(110)3x2-Bi表面の電子状態2020

    • 著者名/発表者名
      金野達、勝俣錬、木村彰博、中村玲雄、山崎詩郎、小澤健一、 間瀬一彦、飯盛拓嗣、小森文夫、平山博之、中辻寛
    • 学会等名
      日本物理学会第75回年次大会
    • 関連する報告書
      2019 実施状況報告書
  • [学会発表] Electronic structure of Bi(110) ultra-thin films grown on a Si(111)√3×√3-B substrate2019

    • 著者名/発表者名
      K. Nakatsuji, Y. Shimokawa, T. Fujiwara, K. Nagase, S. Yamazaki, Y. Watanabe, K. Mase, K. Takahashi and H. Hirayama
    • 学会等名
      21th International Vacuum Congress (IVC-21)
    • 関連する報告書
      2019 実施状況報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] Si(111)√3×√3-B基板上に低温蒸着したビスマス超薄膜の室温アニールによる構造変化2019

    • 著者名/発表者名
      長瀬謙太郎、山崎詩郎、中辻寛、平山博之
    • 学会等名
      日本物理学会2019年秋季大会
    • 関連する報告書
      2019 実施状況報告書
  • [学会発表] Structural change of Bi ultrathin films in the two-step growth on Si(111)√3 x √3-B substrates2019

    • 著者名/発表者名
      K. Nagase, S. Yamazaki, K. Nakatsuji and H. Hirayama
    • 学会等名
      12th International Symposium on Atomic Level Characterizations for New Materials and Devices (ALC-19)
    • 関連する報告書
      2019 実施状況報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] Si(111)√3x√3-B基板上に低温吸着したビスマス超薄膜のアニールによる構造変化2018

    • 著者名/発表者名
      長瀬謙太郎、山崎詩郎、中辻寛、平山博之
    • 学会等名
      日本物理学会2018年秋季大会
    • 関連する報告書
      2018 実施状況報告書
  • [学会発表] Atomic Structure and Growth of Bi(110) Islands on Si(111)√3×√3-B Substrates2018

    • 著者名/発表者名
      K. Nagase, I. Kokubo, S. Yamazaki, K. Nakatsuji and H. Hirayama
    • 学会等名
      14th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures (ACSIN-14)
    • 関連する報告書
      2018 実施状況報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] Electronic Structure of Bi(110) Islands Grown on a Si(111)√3×√3-B Substrate2018

    • 著者名/発表者名
      K. Nakatsuji, Y. Shimokawa, T. Fujiwara, K. Nagase, S. Yamazaki, Y. Watanabe, K. Mase, K. Takahashi and H. Hirayama
    • 学会等名
      14th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures (ACSIN-14)
    • 関連する報告書
      2018 実施状況報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] Si(111)基板上におけるBi-In表面合金の構造と電子状態2018

    • 著者名/発表者名
      田中和也、金野達、下川裕理、佐藤圭介、山崎詩郎、飯盛拓嗣、小森文夫、間瀬一彦、平山博之、中辻寛
    • 学会等名
      日本物理学会第74回年次大会
    • 関連する報告書
      2018 実施状況報告書
  • [学会発表] Bi/Si(111)4×1-In表面の構造と電子状態2018

    • 著者名/発表者名
      下川裕理、田中和也、佐藤圭介、渡邊瞳、山崎詩郎、飯盛拓嗣、小森文夫、間瀬一彦、平山博之、中辻寛
    • 学会等名
      日本物理学会第73回年次大会
    • 関連する報告書
      2017 実施状況報告書
  • [学会発表] Si(111)√3x√3-B表面上に成長した数層Bi(110)薄膜の電子状態2017

    • 著者名/発表者名
      下川裕理、藤原翼、長瀬謙太郎、山崎詩郎、渡辺義夫、仲武昌史、間瀬一彦、高橋和敏、中辻寛、平山博之
    • 学会等名
      日本物理学会2017年秋季大会
    • 関連する報告書
      2017 実施状況報告書
  • [学会発表] 低温蒸着によるBi超薄膜の構造と電子状態2017

    • 著者名/発表者名
      長瀬謙太郎、山崎詩郎、中辻寛、平山博之
    • 学会等名
      日本物理学会2017年秋季大会
    • 関連する報告書
      2017 実施状況報告書
  • [学会発表] Electronic structure of Bi(110) ultra-thin films grown on Si(111)√3×√3-B surfaces2017

    • 著者名/発表者名
      Y. Shimokawa, T. Fujiwara, K. Nagase, S. Yamazaki, Y. Watanabe, M. Nakatake, K. Mase, K. Takahashi, K. Nakatsuji, H. Hirayama
    • 学会等名
      The 8th International Symposium on Surface Science (ISSS-8)
    • 関連する報告書
      2017 実施状況報告書
    • 国際学会
  • [備考]

    • URL

      http://www.materia.titech.ac.jp/~hirayama/2009hirayamalabHP/

    • 関連する報告書
      2017 実施状況報告書

URL: 

公開日: 2017-04-28   更新日: 2023-01-30  

サービス概要 検索マニュアル よくある質問 お知らせ 利用規程 科研費による研究の帰属

Powered by NII kakenhi