| 研究課題/領域番号 |
17K05593
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
原子・分子・量子エレクトロニクス
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| 研究機関 | 東京大学 |
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研究代表者 |
長谷川 宗良 東京大学, 大学院総合文化研究科, 准教授 (20373350)
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| 研究期間 (年度) |
2017-04-01 – 2020-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2019年度)
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| 配分額 *注記 |
4,420千円 (直接経費: 3,400千円、間接経費: 1,020千円)
2019年度: 1,300千円 (直接経費: 1,000千円、間接経費: 300千円)
2018年度: 910千円 (直接経費: 700千円、間接経費: 210千円)
2017年度: 2,210千円 (直接経費: 1,700千円、間接経費: 510千円)
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| キーワード | 高強度光 / 分子配列 / イオン化 / 角度依存性 / イオン化確率の角度依存性 / 回転波束 / イオン化確率 / 原子・分子物理 |
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| 研究成果の概要 |
本研究では，高強度レーザー光による分子のイオン化確率の角度依存性の計測法開発を行い，この手法に基づいた高強度レーザー光の電場と分子軸のなす角度に依存したイオン化確率の決定を行った。この方法を用いて，高強度光によりNO分子の回転波束を生成し，分子軸分布を時間発展させ，遅延時間ののちに第二の高強度光を照射しNO分子をイオン化する。生成した1価および２価親イオンの収量の遅延時間依存性からNO分子のイオン化確率の角度依存性を取り出すことができることを示した。また，3次高調波を用いて分子軸分布を計測する簡易な手法をN2分子に対して示した。
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| 研究成果の学術的意義や社会的意義 |
本研究では，高強度レーザー光による分子のイオン化確率の角度依存性の計測法開発を行い，この手法に基づいた高強度レーザー光の電場と分子軸のなす角度に依存したイオン化確率の決定を行った。この方法を用いることにより，分子の向きによりイオン化の確率の変化を明瞭に観測することができる。この成果は，強い光と物質の相互作用の起源を深く理解し，極限的な環境下での分子の振る舞いを明らかしたものである。
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