| 研究課題/領域番号 |
17K05727
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
プラズマ科学
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| 研究機関 | 大阪大学 |
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研究代表者 |
田中 のぞみ 大阪大学, レーザー科学研究所, 特任助教(常勤) (60581296)
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| 研究期間 (年度) |
2017-04-01 – 2020-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2019年度)
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| 配分額 *注記 |
4,420千円 (直接経費: 3,400千円、間接経費: 1,020千円)
2019年度: 780千円 (直接経費: 600千円、間接経費: 180千円)
2018年度: 1,430千円 (直接経費: 1,100千円、間接経費: 330千円)
2017年度: 2,210千円 (直接経費: 1,700千円、間接経費: 510千円)
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| キーワード | 極端紫外(EUV)光 / ワイドバンドギャップ材料 / 物質アブレーション / 薄膜 / 極端紫外光 / EUV / アブレーション / x線光学 / X線光学 / 粒子スパッタリング / 反射粒子 / 成膜 / 材料プロセシング |
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| 研究成果の概要 |
高強度極端紫外(EUV)光を用いたアブレーションによる成膜を行い、従来光との比較を行うことでEUV光成膜の可能性を示した。産業化に有用なコンパクトEUV光源を改良することでEUV光エネルギー5-8 mJ、デブリフリーの照射システムを構築した。Si, SiC, AlNをそれぞれターゲットとしてAl2O3基板上に成膜をし、同条件でのレーザー照射との比較をした。膜質分析を行い、EUV光では熱的影響を抑えながらアブレーションおよび成膜ができること、薄膜として十分な50-60 nmの膜厚生成が可能であることを実験的に示した。また低強度EUV光を薄膜に照射することで膜粒子の焼結による結晶化を確認した。
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| 研究成果の学術的意義や社会的意義 |
近年パワーデバイスなどにワイドバンドギャップ(WBG)材料や、誘電体の薄膜の利用が着目されている。一方波長10-20 nmの極端紫外(EUV)光は光子エネルギーの高さと材料への吸収率の高さから、このような新規材料の加工へ応用が期待される光である。本研究では高強度パルスEUV光を用いた固体材料のアブレーションによる成膜に取り組んだ。EUV光により成膜したSi, SiC, AlNの薄膜は、従来光と比較してターゲット材や薄膜粒子への熱影響が抑えられることを示した。更にEUV焼結による膜の結晶化にも成功し、EUV光の成膜技術応用への可能性を示した。
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