| 研究課題/領域番号 |
17K06187
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
熱工学
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| 研究機関 | 東京大学 |
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研究代表者 |
千足 昇平 東京大学, 大学院工学系研究科(工学部), 准教授 (50434022)
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| 研究期間 (年度) |
2017-04-01 – 2020-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2019年度)
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| 配分額 *注記 |
4,680千円 (直接経費: 3,600千円、間接経費: 1,080千円)
2019年度: 1,560千円 (直接経費: 1,200千円、間接経費: 360千円)
2018年度: 1,560千円 (直接経費: 1,200千円、間接経費: 360千円)
2017年度: 1,560千円 (直接経費: 1,200千円、間接経費: 360千円)
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| キーワード | カーボンナノチューブ / レイリー散乱分光 / その場計測 / 単層カーボンナノチューブ / レイリー散乱 |
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| 研究成果の概要 |
単層カーボンナノチューブ（SWCNT）の工学的デバイス応用展開の加速を目指し，光学分光計測技術を開発した．特にレイリーイメージ像計測手法に着目しながら，他の光学分光イメージング法（ラマン散乱分光，蛍光発光分光など）と組み合わせ，同時に電子顕微鏡（SEM）や原子間力顕微鏡（AFM）と比較分析を行った．さらに，長尺なSWCNTの合成や，SWCNTの保護膜としてその外表面に窒化ホウ素ナノチューブを新たに合成する技術開発にも成功し，そのレイリーイメージ分析も実現した．また，SWCNT電子デバイス特性を計測しながら，光学分析も可能にする小型真空チャンバーの設計・製作にも成功した．
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| 研究成果の学術的意義や社会的意義 |
SWCNTは注目されるナノ材料の1つであり，様々な応用デバイスが開発・報告されているが，その実用化においては多くの課題がある．その1つとして，SWCNT物性が周辺環境に非常に敏感であることが挙げられる．その為，優れたSWCNT物性をデバイス応用するには，その保護膜形成技術やデバイス機能中におけるSWCNTを非接触で計測・分析する技術が重要である．ここでは，ナノチューブによる保護膜形成技術およびレイリー分光を含めた複数の光学計測手法による非接触なイメージング計測手法を開発することに成功しており，その学術的意義だけなく工学的応用を加速させる社会的意義も非常に大きいと考える．
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