| 研究課題/領域番号 |
17K06337
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
電子・電気材料工学
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| 研究機関 | 北見工業大学 |
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研究代表者 |
佐藤 勝 北見工業大学, 工学部, 准教授 (10636682)
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| 研究分担者 |
武山 眞弓 北見工業大学, 工学部, 教授 (80236512)
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| 研究期間 (年度) |
2017-04-01 – 2020-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2019年度)
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| 配分額 *注記 |
4,680千円 (直接経費: 3,600千円、間接経費: 1,080千円)
2019年度: 1,040千円 (直接経費: 800千円、間接経費: 240千円)
2018年度: 1,300千円 (直接経費: 1,000千円、間接経費: 300千円)
2017年度: 2,340千円 (直接経費: 1,800千円、間接経費: 540千円)
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| キーワード | 3次元集積回路 / シリコン貫通ビア / 拡散バリヤ / 絶縁バリヤ / TiNx膜 / ZrNx膜 / HfNx膜 / 表面・界面物性 / ナノ材料 / 誘電体物性 |
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| 研究成果の概要 |
集積回路の分野では、微細化限界を迎え、微細化せずに高集積化を行うことができる3次元集積化技術の開発が盛んに行われている。ウェハやチップを積層するための配線技術の一つとして、シリコン貫通ビア(Through-Silicon-Via: TSV)が注目されているが、LSIに比べTSVの占有面積は格段に大きく、できるだけ微細なTSV配線が求められる。一方、TSV配線は微細化と共に配線の信頼性も同時に要求される。そこで本申請では、IVa族元素の窒化物を用い、微細TSV配線に適用可能な薄いバリヤ膜の形成に加え、Cu配線の信頼性を向上させることができる特性を付加することができるという極めて有用な結果を得た。
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| 研究成果の学術的意義や社会的意義 |
本研究成果によって、配線の信頼性を向上させることが期待できる薄いバリヤが実現できる見通しが立った。このような結果から、同じ材料系で安定した系を実現できるという成果自体が新規性があり、今後のTSVプロセスや材料開発に大きく影響を与えることが考えられるため、次世代集積回路の分野の発展に大きく貢献できることが期待される。
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