| 研究課題/領域番号 |
17K06354
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
電子・電気材料工学
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| 研究機関 | 佐賀大学 |
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研究代表者 |
齊藤 勝彦 佐賀大学, シンクロトロン光応用研究センター, 助教 (40380795)
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| 研究期間 (年度) |
2017-04-01 – 2023-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2022年度)
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| 配分額 *注記 |
4,680千円 (直接経費: 3,600千円、間接経費: 1,080千円)
2019年度: 1,430千円 (直接経費: 1,100千円、間接経費: 330千円)
2018年度: 1,430千円 (直接経費: 1,100千円、間接経費: 330千円)
2017年度: 1,820千円 (直接経費: 1,400千円、間接経費: 420千円)
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| キーワード | エピタキシャル成長 / 半導体 / 薄膜 / ドーピング / グリーンギャップ / 化合物半導体 / MOVPE法 / 結晶成長 / 放射光 / MOVPE / 電子・電気材料 / 結晶工学 / 半導体物性 / エピタキシャル / シンクロトロン放射光 |
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| 研究成果の概要 |
緑から青色の広い可視光領域をカバーできる新規発光層・クラッド層材料として、そして「グリーンギャップ問題」を解決し得る有望材料として期待されるZnTeおよびZnMgTe混晶半導体に着目し，p型の単極性を示す本材材料の電気伝導型制御を困難としてきた阻害要因を明らかにすることを目的とした。有機金属気相成長法と成長後アニール処理を組み合わせた手法を用いることで，ドーパントの活性化率が向上すること，そしてキャリア密度と格子定数の相関性が明確になるケースの存在を見出すとともに，ZnMgTeの電子状態に関する知見を得た。またアニール処理温度が複合体アクセプタの増減に影響することなど多くの重要な洞察を得た。
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| 研究成果の学術的意義や社会的意義 |
ワイドギャップ半導体にみられる単極性は，デバイス応用を進める上で問題となる共通の課題である。本研究により得られた種々の基礎的知見および洞察は，純緑色発光に適したユニークな材料であるZnTeからなるLEDの高効率化と「グリーンギャップ」の克服，さらには純緑色レーザーへの道を切り開く点など，低炭素・省エネルギー社会における次世代光デバイス応用に寄与し得るものである。
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