| 研究課題/領域番号 |
17K06359
|
|---|
| 研究種目 |
基盤研究(C)
|
| 配分区分 | 基金 |
|---|
| 応募区分 | 一般 |
|---|
| 研究分野 |
電子・電気材料工学
|
|---|
| 研究機関 | 神奈川大学 |
|---|
研究代表者 |
水野 智久 神奈川大学, 理学部, 教授 (60386810)
|
|---|
| 研究分担者 |
鮫島 俊之 東京農工大学, 工学(系)研究科(研究院), 教授 (30271597)
|
|---|
| 研究期間 (年度) |
2017-04-01 – 2020-03-31
|
| 研究課題ステータス |
完了 (2019年度)
|
| 配分額 *注記 |
4,680千円 (直接経費: 3,600千円、間接経費: 1,080千円)
2019年度: 1,690千円 (直接経費: 1,300千円、間接経費: 390千円)
2018年度: 1,300千円 (直接経費: 1,000千円、間接経費: 300千円)
2017年度: 1,690千円 (直接経費: 1,300千円、間接経費: 390千円)
|
|---|
| キーワード | SiC / 量子ドット / PL発光 / ホットイオン注入 / 量子閉じ込め効果 / Si系発光素子 / SiC量子ドット / Si酸化膜 / 電子・電気材料 / 半導体物性 / ナノ材料 / 光物性 / SiCドット / 不確定性原理 |
|---|
| 研究成果の概要 |
Si半導体及び酸化膜への簡易なホットイオン注入法とその後のN2アニール法の組み合わせにより，現在注目されているバンドギャップの大きいSiCの0次元化（サイズ1-数nmのドット）を実現できた．その結果，SiCドットからの近紫外から近赤外までの広帯域発光を達成できた．特に，酸化膜中のSiCドットは量子ドットのため，その電子の大きな量子的閉じ込め効果により，その発光強度の増大現象が実現できた．以上より，本研究のSiCドットは，学問的意義のみならず，新規の発光デバイスとしても将来有望であることが判明した．
|
| 研究成果の学術的意義や社会的意義 |
ULSI製法と互換性のある簡易なホットイオン注入を一般的なSi基板及びSiO2層に行うだけで，低次元（0次元）SiCの形成と，その大きな発光特性が実現できた．本研究のSiCドット構造は，量子効果実現の学問的意義のみならず，安価な新規Si系発光デバイス応用，及びULSI用電子素子とのハイブリット素子としても将来有望であることが判明した．
|
