| 研究課題/領域番号 |
17K06361
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
電子・電気材料工学
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| 研究機関 | 長岡工業高等専門学校 |
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研究代表者 |
皆川 正寛 長岡工業高等専門学校, 電子制御工学科, 准教授 (20584684)
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| 研究分担者 |
新保 一成 新潟大学, 自然科学系, 教授 (80272855)
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| 研究期間 (年度) |
2017-04-01 – 2020-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2019年度)
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| 配分額 *注記 |
4,810千円 (直接経費: 3,700千円、間接経費: 1,110千円)
2019年度: 1,170千円 (直接経費: 900千円、間接経費: 270千円)
2018年度: 1,040千円 (直接経費: 800千円、間接経費: 240千円)
2017年度: 2,600千円 (直接経費: 2,000千円、間接経費: 600千円)
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| キーワード | 有機トランジスタ / 酸化銀電極 / ウェットプロセス / コンタクト抵抗の低減 / ＯＦＥＴ / 銀電極 / コンタクト抵抗 / AgOx電極 / コンタクト抵抗低減 / OFET / 電子・電気材料 |
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| 研究成果の概要 |
本研究は，化学ドーピングおよび立体的な段差構造を持つトランジスタを実現することにより大きな出力電流を取り出せるＯＦＥＴの開発を試みた。しかし，段差構造を持つ基板上にＯＦＥＴを安定的に作製ことが予想以上に困難だったため，本研究では電極表面に酸化銀を挿入したボトムコンタクト型ＯＦＥＴを開発した。
その結果，これまでは動作が不可能であったワイドギャップ有機半導体層でも良好な伝達特性が得られることを明らかにした。 さらに，電極を溶液プロセスで作製したボトムコンタクト型ＯＦＥＴにおいても酸化銀の挿入により伝達特性が大幅に改善され，コンタクト抵抗も劇的に小さくできることを見出した。
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| 研究成果の学術的意義や社会的意義 |
この本研究成果によれば，両キャリア輸送性を持つワイドギャップ有機半導体材料が一種類あれば，電極表面の処理方法を変えることによりホールまたは電子を選択的に注入できるようになるため，pチャネル形またはnチャネル形OFETを作製することが可能となる。これは，１種類の有機半導体でC-MOSインバータを実現できることを示し，フレキシブルLSIの実現を大きく後押しする。その結果，シート状フレキシブル圧力センサの大面積化が可能となり，例えば義手や義足への触覚機能の実装など国民のクオリティ・オブ・ライフの向上に大きく貢献できる。
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