| 研究課題/領域番号 |
17K06383
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
電子デバイス・電子機器
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| 研究機関 | 豊橋技術科学大学 |
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研究代表者 |
岡田 浩 豊橋技術科学大学, 工学(系)研究科(研究院), 教授 (30324495)
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| 研究期間 (年度) |
2017-04-01 – 2020-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2019年度)
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| 配分額 *注記 |
4,680千円 (直接経費: 3,600千円、間接経費: 1,080千円)
2019年度: 1,170千円 (直接経費: 900千円、間接経費: 270千円)
2018年度: 1,300千円 (直接経費: 1,000千円、間接経費: 300千円)
2017年度: 2,210千円 (直接経費: 1,700千円、間接経費: 510千円)
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| キーワード | 窒化物半導体 / 集積回路 / プロセス技術 / 過酷環境エレクトロニクス / トランジスタ / 絶縁ゲート構造 / イオン注入 / 耐環境性デバイス / 半導体プロセス技術 |
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| 研究成果の概要 |
青色LEDに加えてパワーエレクトロニクス分野での応用が期待される窒化物半導体(GaN)は、ワイドギャップ半導体の特性をもつなど、シリコン集積回路では困難な高温など過酷環境で動作可能なエレクトロニクス実現のポテンシャルを有している。本研究では、過酷環境で動作するトランジスタや集積回路実現に必須である金属/絶縁体/半導体(MIS)構造の形成技術を開発するとともに、試作したGaN トランジスタの高温動作特性を報告した。また、イオン注入技術などモノリシック集積回路を検討し、GaN基板上にモノリシックに作製したE/D型インバータ回路の動作を世界で初めて報告した。
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| 研究成果の学術的意義や社会的意義 |
Internet-of-Things (IoT)の時代において、様々な装置・機器に必須である電源の効率化、小型化は重要であり、窒化物半導体デバイスはそのキーデバイスとしての要求が高まっている。また、センシングに基づいた制御は工学の基礎であり、高温のエンジンルームなどにもセンシング対象を広げることは持続可能な社会実現にも大きな寄与をもたらす。本研究はこうしたエレクトロニクスの新領域開拓に有用な窒化物半導体の特性を生かした過酷環境応用に重要な課題である絶縁ゲート構造や集積回路技術の提案、開発を行うとともに作製したデバイスの特性評価による有用性を報告するなど意義のある成果を報告できた。
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