| 研究課題/領域番号 |
17K06387
|
|---|
| 研究種目 |
基盤研究(C)
|
| 配分区分 | 基金 |
|---|
| 応募区分 | 一般 |
|---|
| 研究分野 |
電子デバイス・電子機器
|
|---|
| 研究機関 | 崇城大学 (2018-2019)
九州大学 (2017) |
|---|
研究代表者 |
池田 晃裕 崇城大学, 情報学部, 准教授 (60315124)
|
|---|
| 研究期間 (年度) |
2017-04-01 – 2020-03-31
|
| 研究課題ステータス |
完了 (2019年度)
|
| 配分額 *注記 |
4,810千円 (直接経費: 3,700千円、間接経費: 1,110千円)
2019年度: 1,040千円 (直接経費: 800千円、間接経費: 240千円)
2018年度: 1,040千円 (直接経費: 800千円、間接経費: 240千円)
2017年度: 2,730千円 (直接経費: 2,100千円、間接経費: 630千円)
|
|---|
| キーワード | レーザドーピング / 4H-SiC / パルス波形整形 / 低コンタクト抵抗 / CO2レーザ / パルス波形制御 / オーミックコンタクト / 2色法 / 表面温度 / 拡散係数 / コンタクト抵抗 / ロングパルス / アルミ / 電子デバイス・機器 |
|---|
| 研究成果の概要 |
レーザ光のパルス波形を制御するため，光路の途中にビームスプリッタを設置して2本のビームに光路差を付けて，その光路差を調整することでパルス幅を調整した．パルス幅を50nsから100nsに拡大することでAlの注入深さは100nmから230nmに深くなった．また2色法を用いてレーザ照射時のSiC温度を計測したところSiCの昇華温度に近い3100 K 程度であった．またTLM法を用いてAlドーピング箇所とTi/Al電極の固有コンタクト抵抗を測定したところ，ポストアニールなしで4E-6 Ω・cm2 と非常に低い値が得られた．
|
| 研究成果の学術的意義や社会的意義 |
SiCは次世代パワーデバイス用の材料として期待されている．鉄道車両のインバータなど広く使われ始めているが，一方で価格が高くて普及における課題となっている．本研究で開発した光路差を用いたビーム波形の整形ができるレーザドーピング装置を用いると，従来SiCデバイス作製に用いられてきたイオン注入と同様に，不純物プロファイル制御ができる可能性がある．イオン注入工程はデバイス作製コストの大部分を占めており，これを低コストのレーザドーピング装置と置き換えることで，SiCデバイスのより一層の普及に貢献すると期待される．
|
