| 研究課題/領域番号 |
17K06410
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
電子デバイス・電子機器
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| 研究機関 | 国立研究開発法人情報通信研究機構 |
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研究代表者 |
古澤 健太郎 国立研究開発法人情報通信研究機構, 未来ICT研究所フロンティア創造総合研究室, 主任研究員 (40392104)
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| 研究期間 (年度) |
2017-04-01 – 2020-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2019年度)
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| 配分額 *注記 |
4,810千円 (直接経費: 3,700千円、間接経費: 1,110千円)
2019年度: 520千円 (直接経費: 400千円、間接経費: 120千円)
2018年度: 1,430千円 (直接経費: 1,100千円、間接経費: 330千円)
2017年度: 2,860千円 (直接経費: 2,200千円、間接経費: 660千円)
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| キーワード | 光マイクロリング共振器 / テラヘルツ / 窒化シリコン / 微小光共振器 / 非線形光学効果 / 電子デバイス・機器 / 光源技術 |
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| 研究成果の概要 |
本研究は、高Q値導波路型光マイクロリング共振器を活用した新しいタイプのテラヘルツ波光源を実現し、その周波数安定性を評価することを目的とした。窒化シリコン(SiN)光導波路作製技術の向上に取り組み、hot-wire CVD法を用いた高Q値リング共振器の作製・評価を行った。また、マイクロコムを発生して得られる光ビート信号を単一走行キャリアフォトダイオード(UTC-PD)に入射することで0.3 THzまでのテラヘルツ波を発生し、その周波数安定性をマイクロ波基準を参照可能な測定手法で評価した。これらから、通信や高周波計測に有用な小型狭線幅なテラヘルツ光源の実現に向けた基盤技術となる成果が得られた。
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| 研究成果の学術的意義や社会的意義 |
CMOSコンパチブルな材料であるSiNを用いた高Q値微小光共振器デバイスを実現するための作製技術は高温堆積法に限られており、応力によるデバイスの自発的損傷などの課題があった。低温堆積法を用いた低応力デバイスの作製は、作製プロセスを簡便化できるだけでなく、デバイスの信頼性の向上にも寄与できると考えられる。また、100 mW以下の励起光パワーで発生したマイクロコムのビート信号を利用することで高効率なテラヘルツ発生を実証し、狭線幅のテラヘルツ信号が発生できることを示した。これらの成果から、将来の高精度高周波計測技術に供する小型テラヘルツ光源を開発していく上で重要な知見が得られた。
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