| 研究課題/領域番号 |
17K06866
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
材料加工・組織制御工学
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| 研究機関 | 工学院大学 |
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研究代表者 |
阿相 英孝 工学院大学, 先進工学部, 教授 (80338277)
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| 研究分担者 |
橋本 英樹 工学院大学, 先進工学部, 助教 (60579556)
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| 研究期間 (年度) |
2017-04-01 – 2020-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2019年度)
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| 配分額 *注記 |
4,680千円 (直接経費: 3,600千円、間接経費: 1,080千円)
2019年度: 1,300千円 (直接経費: 1,000千円、間接経費: 300千円)
2018年度: 1,300千円 (直接経費: 1,000千円、間接経費: 300千円)
2017年度: 2,080千円 (直接経費: 1,600千円、間接経費: 480千円)
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| キーワード | 化合物半導体 / 湿式エッチング |
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| 研究成果の概要 |
III-V族化合物半導体は次世代材料として注目され，規則的な周期を持つナノ構造を作製することは様々なデバイス応用を考える上で重要である。本研究では，金ナノドットアレイを触媒とした化学エッチングにより，GaAs基板上にナノピラーアレイを作製することに成功した。金ナノドットアレイは，ポーラスアルミナをマスクとして真空蒸着でGaAs基板上に準備した。高濃度の酸と低濃度の酸化剤からなるエッチャント中で，比較的低い温度でエッチングを実施することで，ピラーアレイが作製され，最適条件下では，高さ50 nmのピラーを100 nm間隔で配置させることができた。
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| 研究成果の学術的意義や社会的意義 |
湿式プロセスによる半導体基板の微細加工は研究者人口も少なく，未開拓な研究課題が多い。本研究は半導体の中でも，GaAsなどのⅢ-Ⅴ族化合物半導体に対し，特に湿式プロセスによりナノ構造を高度に制御するという取り組みである。次世代を担うナノ素材とナノプロセス技術の開発という観点からも，今日の社会的要請に応える研究課題と言える。シリコン基板に比べ，GaAs基板の製造コストが高く，普及するまでには技術課題が多く存在するが，次世代，次々世代デバイスへの応用可能性を秘めた魅力的な材料であり，基礎研究を通じて情報を蓄積・整理し，研究基盤を整備しておく意義は大きい。
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