| 研究課題/領域番号 |
17K06901
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
化工物性・移動操作・単位操作
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| 研究機関 | 一般財団法人ファインセラミックスセンター |
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研究代表者 |
永野 孝幸 一般財団法人ファインセラミックスセンター, その他部局等, 主任研究員 (70450848)
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| 研究分担者 |
佐藤 功二 一般財団法人ファインセラミックスセンター, その他部局等, 技師 (20552590)
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| 研究期間 (年度) |
2017-04-01 – 2020-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2019年度)
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| 配分額 *注記 |
4,810千円 (直接経費: 3,700千円、間接経費: 1,110千円)
2019年度: 1,690千円 (直接経費: 1,300千円、間接経費: 390千円)
2018年度: 1,560千円 (直接経費: 1,200千円、間接経費: 360千円)
2017年度: 1,560千円 (直接経費: 1,200千円、間接経費: 360千円)
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| キーワード | 炭化ケイ素 / アルミナ / CVD / 水素 / 二酸化炭素 / 分離 / XPS / EDS / シラシクロブタン / ヘリウム / 窒素 / 多孔質 / スラリー / 分散 / コーティング |
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| 研究成果の概要 |
Si-C結合を含む有機金属を出発原料して、対向拡散CVD法にてメソポーラス細孔内にSiC膜を合成することを試みた。SiC源としてシラシクロブタン(SCB)、基材はφ3mm、細孔径150nmのα-Al2O3基材上にNi添加γ-Al2O3を2層コートした。SCBのキャリアガスとしてAr、反応ガスとしてH2を使用した。673Kにおける水素透過率は1.2X10-7 mol/m2・s・Pa、H2/CO2=2600で、細孔径分布が非常にシャープであり、極めて欠陥の少ない膜が合成することができた。
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| 研究成果の学術的意義や社会的意義 |
コストの安価なアルミナ多孔質基材を利用して、耐熱性、耐久性に優れた炭化ケイ素膜を合成することが可能となったことで、過酷環境下における化学プロセスへの応用、化学プロセスの省エネルギー化が期待できる。
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