研究課題/領域番号 |
17K14335
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研究種目 |
若手研究(B)
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配分区分 | 基金 |
研究分野 |
物性Ⅱ
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研究機関 | 東京大学 |
研究代表者 |
平岡 奈緒香 (太田奈緒香) 東京大学, 大学院理学系研究科(理学部), 助教 (40758827)
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研究期間 (年度) |
2017-04-01 – 2021-03-31
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研究課題ステータス |
完了 (2020年度)
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配分額 *注記 |
4,160千円 (直接経費: 3,200千円、間接経費: 960千円)
2019年度: 910千円 (直接経費: 700千円、間接経費: 210千円)
2018年度: 1,560千円 (直接経費: 1,200千円、間接経費: 360千円)
2017年度: 1,690千円 (直接経費: 1,300千円、間接経費: 390千円)
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キーワード | 強相関電子系 / ディラック電子系 |
研究成果の概要 |
ペロブスカイト型SrIrO3およびCaIrO3は結晶および時間反転対称性で保護されたディラックノードを持つことが期待されている半金属である。SrTiO3(001) 上に作製した 両物質の膜において、IrをSnで置換することによってバンド幅の抑制とポテンシャルの不均一性の導入を行った。SrIrO3においては置換の影響は低温での磁性と絶縁性の同時発現という形で現れ、CaIrO3においては磁気転移を伴わない絶縁化として現れた。Sn置換CaIrO3では不均一性が絶縁化の直接の原因になったのに対し、Sn置換SrIrO3ではそうではないと結論した。
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研究成果の学術的意義や社会的意義 |
磁性を担っている電子とディラック分散を担っている電子が共通であると知られている例は少ない。本研究では、その候補物質について、置換という摂動がどのような影響を与えるか一例を示した。電子の遍歴と局在、その制御の方法に関して、新たな知見を与えると考えられる。
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