| 研究課題/領域番号 |
17K14548
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| 研究種目 |
若手研究(B)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 研究分野 |
デバイス関連化学
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| 研究機関 | 東京工業大学 |
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研究代表者 |
金 正煥 東京工業大学, 元素戦略研究センター, 助教 (90780586)
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| 研究期間 (年度) |
2017-04-01 – 2019-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2018年度)
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| 配分額 *注記 |
4,420千円 (直接経費: 3,400千円、間接経費: 1,020千円)
2018年度: 2,210千円 (直接経費: 1,700千円、間接経費: 510千円)
2017年度: 2,210千円 (直接経費: 1,700千円、間接経費: 510千円)
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| キーワード | 酸化物TFT / アモルファス酸化物半導体 / TFT / 光劣化 / 酸化物半導体デバイス / 光劣化のない電子デバイス |
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| 研究成果の概要 |
アモルファス酸化物半導体は様々な利点を持つことからすでにフラットパネルディスプレイの駆動回路のTFTに使われている。また、今後、TFT以外の電子素子としての応用が期待される。しかし、従来のアモルファス酸化物半導体はバンドギャップ内に存在する欠陥準位による光劣化が深刻な問題として指摘されてきた。一方、申請者はこのような問題点を解決するため、超ワイドギャップアモルファス酸化物半導体, Zn-Ga-Oを新たに開発した。その結果、高移動度ながらも光安定性を持つTFTの開発に成功した。
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| 研究成果の学術的意義や社会的意義 |
アモルファス酸化物半導体は低温プロセスながらも高い性能を示すため、非常に魅力のある半導体材料である。また、アモルファス酸化物半導体の持つ透明さは透明エレクトロニクスの実現を期待させる。しかし、従来のアモルファス酸化物半導体の持つ光劣化により透明のまま使うことが出来ない。本研究はこのような問題点を解決しており、また、高性能、高安定なアモルファス酸化物半導体の設計指針を提案している。このような結果は今後、透明素子のような次世代エレクトロニクスの開発に繋がると考えられる。
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