| 研究課題/領域番号 |
17K14655
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| 研究種目 |
若手研究(B)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 研究分野 |
電子・電気材料工学
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| 研究機関 | 東京大学 |
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研究代表者 |
Holmes Mark 東京大学, 生産技術研究所, 准教授 (90760570)
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| 研究期間 (年度) |
2017-04-01 – 2019-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2018年度)
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| 配分額 *注記 |
3,770千円 (直接経費: 2,900千円、間接経費: 870千円)
2018年度: 1,560千円 (直接経費: 1,200千円、間接経費: 360千円)
2017年度: 2,210千円 (直接経費: 1,700千円、間接経費: 510千円)
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| キーワード | semiconductor / optics / semiconductors / GaN / defects / photoluminescence / III-nitride / 電子・電気材料 |
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| 研究成果の概要 |
低密度Znドープ窒化ガリウムの量子井戸サンプル作成、光学評価を行った。このZnドープGaNから、２．６eV~2.7eV付近のエネルギー（～４７０nm）で今まで発表されていなかった鋭い発光ピークを測定することができた（発光線幅は2meV程度）。発光線の原因は未確認ですが、Zn：N状態であると考えられる。発光は安定する（秒スケールのスペクトル拡散などはほとんど無い）が、低温(<50K)のみで現れ、フォノンとの相互作用は強い。単一光子発生を確認するために自己相関g(2)関数を測定したが、アンチバンチングはでない。
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| 研究成果の学術的意義や社会的意義 |
The basic understanding of semiconductors is crucial for the development of many devices such as LEDs, Lasers, and single photon emitters. In this research we have shown that Zn doping of GaN can allow for a new, hitherto unreported, emission line, and investigated its optical properties.
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