| 研究課題/領域番号 |
17K14658
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| 研究種目 |
若手研究(B)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 研究分野 |
電子・電気材料工学
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| 研究機関 | 大阪大学 |
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研究代表者 |
山本 真人 大阪大学, 産業科学研究所, 助教 (00748717)
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| 研究期間 (年度) |
2017-04-01 – 2019-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2018年度)
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| 配分額 *注記 |
4,420千円 (直接経費: 3,400千円、間接経費: 1,020千円)
2018年度: 780千円 (直接経費: 600千円、間接経費: 180千円)
2017年度: 3,640千円 (直接経費: 2,800千円、間接経費: 840千円)
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| キーワード | 原子薄膜半導体 / 強相関酸化物 / 二次元材料 / 急峻スロープトランジスタ / ヘテロ構造 / 相転移材料 / 二酸化バナジウム / 遷移金属ダイカルコゲナイド / 六方晶窒化ホウ素 / スティープスロープ / 電子デバイス / 強相関エレクトロニクス / ナノ材料 |
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| 研究成果の概要 |
トランジスタにおけるオン・オフスイッチの急峻化は、その低消費電力動作に向けて重要な課題の一つである。本研究では、相転移に由来して急峻な抵抗変化を示す強相関酸化物と、どこへでも張り付けられる半導体である原子薄膜半導体とを用いることで新奇ヘテロ構造トランジスタを作製し、急峻スロープスイッチの実現を試みた。具体的には、室温近傍で4桁におよぶ抵抗変化を伴う相転移を示す二酸化バナジウムを電極、優れた半導体特性を示す二セレン化タングステンをチャネルとしたヘテロ構造トランジスタを作製した。このトランジスタにおいて、二酸化バナジウムの熱的相転移に由来する急峻なオン・オフスイッチを実現した。
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| 研究成果の学術的意義や社会的意義 |
今後テクノロジーが持続的に発展するためには、テクノロジーの根幹であるトランジスタのさらなる低消費電力化が必要不可欠である。しかし、従来のシリコンを基盤としたMOSFETではその低消費電力化に理論的限界があった。本研究では、強相関酸化物と原子薄膜半導体とのヘテロ構造を用いた新原理トランジスタにおいて、将来的に社会実装に資する低消費電力動作を実現したことに社会的意義がある。一方、強相関酸化物/原子薄膜半導体ヘテロ構造は新奇物性の発現と場となる可能性も大いにあり、本研究はその作製指針を提示した点において学術的に意義がある。
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