| 研究課題/領域番号 |
17K14660
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| 研究種目 |
若手研究(B)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 研究分野 |
電子・電気材料工学
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| 研究機関 | 横浜国立大学 (2018-2019)
工学院大学 (2017) |
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研究代表者 |
大竹 充 横浜国立大学, 大学院工学研究院, 准教授 (60611415)
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| 研究期間 (年度) |
2017-04-01 – 2020-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2019年度)
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| 配分額 *注記 |
4,290千円 (直接経費: 3,300千円、間接経費: 990千円)
2019年度: 1,430千円 (直接経費: 1,100千円、間接経費: 330千円)
2018年度: 1,430千円 (直接経費: 1,100千円、間接経費: 330千円)
2017年度: 1,430千円 (直接経費: 1,100千円、間接経費: 330千円)
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| キーワード | 硬磁性材料 / 希土類－遷移金属合金 / 薄膜 / 結晶工学 / エピタキシャル成長 / 希土類-遷移金属合金 / 電気・電子材料 / 磁性材料 |
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| 研究成果の概要 |
希土類金属（R）と遷移金属（T）から構成されるRT5規則合金のエピタキシャル薄膜形成技術の開発を行った。融点の低いRもしくはT元素を用いることにより、RT5相の結晶化が促進される傾向が認められた。また、結晶化しにくい場合においても、Cu原子によるTサイトの部分置換により規則相形成の促進が可能であることが見出され、元素選択幅増大の可能性を示すことができた。本研究により、硬磁性RT5合金のエピタキシャル薄膜形成基礎技術が構築された。
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| 研究成果の学術的意義や社会的意義 |
本研究により、RT5合金膜のRおよびTサイトの元素選択に関する課題が明確となった。そして、元素選択および多元化により結晶性が優れたRT5合金膜の形成可能性が増大することが示され、それに伴い、構造および磁気特性の制御範囲の更なる拡張も期待される。本研究の技術は、硬磁性RT5合金膜の形成基本技術として高い可能性を持つと考えられる。
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