研究課題/領域番号 |
17K18177
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研究種目 |
若手研究(B)
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配分区分 | 基金 |
研究分野 |
電子・電気材料工学
物性Ⅰ
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研究機関 | 防衛大学校(総合教育学群、人文社会科学群、応用科学群、電気情報学群及びシステム工学群) (2018) 早稲田大学 (2017) |
研究代表者 |
森本 貴明 防衛大学校(総合教育学群、人文社会科学群、応用科学群、電気情報学群及びシステム工学群), 電気情報学群, 助教 (70754795)
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研究期間 (年度) |
2017-04-01 – 2019-03-31
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研究課題ステータス |
完了 (2018年度)
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配分額 *注記 |
4,290千円 (直接経費: 3,300千円、間接経費: 990千円)
2018年度: 2,990千円 (直接経費: 2,300千円、間接経費: 690千円)
2017年度: 1,300千円 (直接経費: 1,000千円、間接経費: 300千円)
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キーワード | 溶液法 / 酸化物半導体 / 透明半導体 / 酸素空孔 / フレキシブルデバイス / IGZO / TFT / X線光電子分光 / フォトルミネッセンス / センサー |
研究成果の概要 |
我々はこれまで、比較的高い特性を持つIndium gallium zinc oxide薄膜トランジスタ(IGZO-TFT)が溶液法により作製可能であることを確認したが、作製条件の最適化は不十分であった。本研究では作製条件の影響を調べた結果、Inが多く、Gaが少なく、また焼成温度が高いほどオン電流が大きいことが分かった。X線光電子分光より、酸素空孔は電流を阻害する散乱源として働き、それが少ないとオン電流が大きいという機構が示された。さらに、2.0eV付近に見られるブロードなフォトルミネッセンス(PL)の強度が酸素空孔量と良く相関することより、これが酸素空孔量の指標して使えることが分かった。
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研究成果の学術的意義や社会的意義 |
フレキシブル半導体デバイスを低コストで作製する研究自体は、ここ数年活発にされている。しかしながら、こうしたデバイスへの応用に不可欠な、低温焼成されたIGZO薄膜の物性について系統的な研究はこれまでほとんど行われていない。また、フレキシブルデバイスへの応用研究は、基本的なトランジスタ、配線作製に関するものが大半であるため、センサーの形成に関する研究開発の試みは報告例が極めて少ない。本研究は、そのような基礎的な知見の蓄積によって、溶液法によるトランジスタの特性向上や、新たなデバイスの開発に貢献するものである。
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