| 研究課題/領域番号 |
17K18224
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| 研究種目 |
若手研究(B)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 研究分野 |
ナノ材料工学
薄膜・表面界面物性
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| 研究機関 | 国立研究開発法人物質・材料研究機構 (2018)
豊田工業大学 (2017) |
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研究代表者 |
鈴木 誠也 国立研究開発法人物質・材料研究機構, 若手国際研究センター, ICYS研究員 (90590117)
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| 研究協力者 |
吉村 雅満
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| 研究期間 (年度) |
2017-04-01 – 2019-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2018年度)
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| 配分額 *注記 |
3,770千円 (直接経費: 2,900千円、間接経費: 870千円)
2018年度: 1,950千円 (直接経費: 1,500千円、間接経費: 450千円)
2017年度: 1,820千円 (直接経費: 1,400千円、間接経費: 420千円)
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| キーワード | ゲルマネン / グラフェン / X線光電子分光 / チップ増強ラマン散乱分光 / ラマン散乱分光 / 単原子層物質 / チップ増強ラマン散乱 / エピタキシャル成長 / ナノ材料工学 / 層状物質 |
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| 研究成果の概要 |
本研究では、電子デハイス応用へ向けた界面へのゲルマネン合成を目指した。その結果、Si基板上に積層したグラフェン/Au/Ag/Geを加熱することで、グラフェンとAu-Ag-Geの混晶界面に数原子層のGe薄膜を析出させることに成功した。界面のGeはグラフェンがガスバリア層として機能するために、大気暴露しても酸化されないことを明らかにした。
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| 研究成果の学術的意義や社会的意義 |
本成果は、グラフェンとの界面に原子層レベルのGe薄膜を合成した初めての成果である。特に、グラフェンのファンデルワールス相互作用が界面の析出への影響が弱く、他の金属/金属、酸化物/金属界面とは異なる可能性を示唆した点に、材料科学における学術的な意義がある。また今回実証したグラフェンの高いガスバリア性は、他の原子層物質の保護や合成界面にも応用可能である。
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