| 研究課題/領域番号 |
17K18877
|
|---|
| 研究種目 |
挑戦的研究(萌芽)
|
| 配分区分 | 基金 |
|---|
| 研究分野 |
電気電子工学およびその関連分野
|
|---|
| 研究機関 | 名古屋大学 |
|---|
研究代表者 |
牧原 克典 名古屋大学, 工学研究科, 准教授 (90553561)
|
|---|
| 研究期間 (年度) |
2017-06-30 – 2019-03-31
|
| 研究課題ステータス |
完了 (2018年度)
|
| 配分額 *注記 |
6,370千円 (直接経費: 4,900千円、間接経費: 1,470千円)
2018年度: 3,510千円 (直接経費: 2,700千円、間接経費: 810千円)
2017年度: 2,860千円 (直接経費: 2,200千円、間接経費: 660千円)
|
|---|
| キーワード | Si量子ドット |
|---|
| 研究成果の概要 |
n-Si(100)基板上に高密度形成したSi量子ドット6層集積構造において、Au極薄上部電極形成後、硬X線光電子分光を用いて、電圧印加時のSi量子ドット多重集積構造における電界分布を調べた結果、Si酸化膜成分およびSi基板とSi量子ドットに起因するSi-Si結合成分は、電圧印加の増加に伴い低エネルギー側へシフトし、半値幅が増大することに加え、Si-Si成分が非対称なスペクトル形状になることが分かった。また、得られたスペクトルは、印加電圧-6VではSi量子ドット6層およびSi基板の7成分で分離することができ、隣接する成分間のシフト量は、上層のドットほど増加することが分かった。
|
| 研究成果の学術的意義や社会的意義 |
本研究は、これまでに申請者が独自考案してきたプロセス技術を先鋭化させ、均一サイズのSi 量子ドットを高密度形成するとともに、注入電子の量子準位間における熱励起ポンピングを促進させるでSi-ULSI で発生する熱を高効率で電力に変換するSi 系熱電変換材料を新たに創出することを意図した、これまでに実施・報告例のない研究である。本研究によって得られた成果は、これまでSi-ULSI で未利用であった廃熱を活用する新規デバイス開発に繋がると期待できる。
|
