| 研究課題/領域番号 |
17K19067
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| 研究種目 |
挑戦的研究(萌芽)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 研究分野 |
応用物理工学およびその関連分野
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| 研究機関 | 東北大学 |
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研究代表者 |
安達 正芳 東北大学, 多元物質科学研究所, 助教 (90598913)
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| 研究期間 (年度) |
2017-06-30 – 2020-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2019年度)
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| 配分額 *注記 |
6,500千円 (直接経費: 5,000千円、間接経費: 1,500千円)
2019年度: 1,950千円 (直接経費: 1,500千円、間接経費: 450千円)
2018年度: 1,950千円 (直接経費: 1,500千円、間接経費: 450千円)
2017年度: 2,600千円 (直接経費: 2,000千円、間接経費: 600千円)
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| キーワード | 気相成長 / 蒸発 / 窒化アルミニウム / エピタキシャル成長 / Ga-Alフラックス / 結晶成長 / 電子・電気材料 |
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| 研究成果の概要 |
窒化アルミニウムは(AlN)は次世代白色光源や殺菌光源など幅広い用途での使用が期待される窒化アルミニウムガリウム(AlGaN)系深紫外発光ダイオードの基板材料として，最良の材料である．本研究課題では，このAlN単結晶の大量生産技術となり得る手法の開発を目指し，Ga-AlフラックスからのAlの蒸発を用いた新たなAlN気相成長法の開発を行った．本研究課題により，本AlN成長法が構築され，各成長条件がAlN成長に及ぼす影響が明らかとなった．
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| 研究成果の学術的意義や社会的意義 |
AlNは高温で高い解離圧を示すため，常圧下では融解する前に解離する．そのため，シリコンのように自身の融液から単結晶を作製することが困難であり，その量産技術が確立していない．そこで，本研究課題では，AlN結晶の量産技術となり得る手法の開発を目指した研究を行った．本研究課題の成果を元に，本技術の実用化へ向けた研究を継続し，AlN結晶の量産技術の確立を目指す．
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